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摘要：III-V族半导体化合物氮化镓(GaN)是第三代直接带隙半导体材料,带隙宽度3.4eV,有耐高温、耐腐蚀、电子迁移率高、良好的化学和热稳定等优点,从而被广泛应用于发光二极管(lightemissiondiode,LED)、激光二极管(lasingdiode,LD)、高电子迁移率晶体管(high...
综述论文1.氮化镓衬底的氢化物气相外延与氮化镓（GaN）的另一种生长方法相比，氢化物气相外延（HVPE）具有很高的生长速率，所以该方法目前是批量生产GaN衬底的唯一方法。中科院半导体所杨少延研究员等综述了商业化的HVPE系统及其生长的GaN
相关论文以《用于高效功率转换的多沟道纳米线器件》（Multi-channelnanowiredevicesforefficientpowerconversion）为题发表在NaturalElectronics。实现1300V高击穿电压，导通电阻降低为1/5，品质因子提升4倍氮化镓电力电子器件目前的主流方案是硅基...
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。
氮化镓电力电子器件目前的主流方案是硅基氮化镓，也就是说，在硅片上外延生长一层氮化镓薄膜，并以此为基础电力电子器件。这种方法大幅降低了氮化镓器件的成本，加速了先进技术的落地和市场化。但是，另一方面也限制了器件的性能。
在硅基氮化镓新材料中，硅不再是功率器件的核心，而是作为新核心氮化镓的支撑底座。新材料的优势在于，不仅发挥了氮化镓的优势，而且可利用原有的硅材质生产线。“开发一条生产线少则千万元，多则上亿元，硅基氮化镓功率器件不用新...
第三代半导体大热，揭秘子露笑科技！,半导体,露笑科技,碳化硅,氮化镓,...就像硅基的半导体，要是没有硅片，那做毛个芯片呢？这三个流派都是90年代开始就开启研究了，起步时间和国外是差不太多的，读者有兴趣可以自行搜索下他们的论文...
17、士兰微（600460）：公司已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线涵盖材料生长、器件研发、GaN电路研发、封装、系统应用的全技术链。18、航天发展（000547）：氮化镓芯片的生产与研发是旗下系统研究院的主要任务之一。
氮化镓硅基衬底主要供应商有德国世创、日本信越化学、日本胜高等。日本电信公司研究所、英国IQE和比利时的EpiGaN等则是硅基氮化镓外延片的主要供应商。美国Bridg、日本富士通等公司主要从事功率氮化镓器件代工制造。
硅基氮化镓（GaN-on-Si）：最有前景的衬底技术目前来看，GaN主要有三种类型的衬底，分别是硅基、碳化硅（SiC）衬底和金刚石衬底。金刚石衬底氮化镓（GaN-on-Diamond）：制造较为困难，但是优势明显：在世界上所有材料中金刚石的热导率最高（因此最好能够用来散热）。
摘要：III-V族半导体化合物氮化镓(GaN)是第三代直接带隙半导体材料,带隙宽度3.4eV,有耐高温、耐腐蚀、电子迁移率高、良好的化学和热稳定等优点,从而被广泛应用于发光二极管(lightemissiondiode,LED)、激光二极管(lasingdiode,LD)、高电子迁移率晶体管(high...
综述论文1.氮化镓衬底的氢化物气相外延与氮化镓（GaN）的另一种生长方法相比，氢化物气相外延（HVPE）具有很高的生长速率，所以该方法目前是批量生产GaN衬底的唯一方法。中科院半导体所杨少延研究员等综述了商业化的HVPE系统及其生长的GaN
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“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。
氮化镓电力电子器件目前的主流方案是硅基氮化镓，也就是说，在硅片上外延生长一层氮化镓薄膜，并以此为基础电力电子器件。这种方法大幅降低了氮化镓器件的成本，加速了先进技术的落地和市场化。但是，另一方面也限制了器件的性能。
在硅基氮化镓新材料中，硅不再是功率器件的核心，而是作为新核心氮化镓的支撑底座。新材料的优势在于，不仅发挥了氮化镓的优势，而且可利用原有的硅材质生产线。“开发一条生产线少则千万元，多则上亿元，硅基氮化镓功率器件不用新...
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17、士兰微（600460）：公司已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线涵盖材料生长、器件研发、GaN电路研发、封装、系统应用的全技术链。18、航天发展（000547）：氮化镓芯片的生产与研发是旗下系统研究院的主要任务之一。
氮化镓硅基衬底主要供应商有德国世创、日本信越化学、日本胜高等。日本电信公司研究所、英国IQE和比利时的EpiGaN等则是硅基氮化镓外延片的主要供应商。美国Bridg、日本富士通等公司主要从事功率氮化镓器件代工制造。
硅基氮化镓（GaN-on-Si）：最有前景的衬底技术目前来看，GaN主要有三种类型的衬底，分别是硅基、碳化硅（SiC）衬底和金刚石衬底。金刚石衬底氮化镓（GaN-on-Diamond）：制造较为困难，但是优势明显：在世界上所有材料中金刚石的热导率最高（因此最好能够用来散热）。
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