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硅的霍尔系数及电阻率的测量实验报告.北京大学近代物理实验I物理学院实验题目硅的霍尔系数及电阻率测量院系物理学院学号:1200011357本实验通过在不同温度条件下对高阻p型Si的霍尔系数和电阻率的测量，了解半导体内存在本征导电和杂志导电两种导电...
物理实验半导体硅的Seebeck系数和电阻率测量(清华大学物理系,北京100084)本文介绍了半导体硅的Seebeck系数和电阻率的测量Hall系数和电阻率测量实验相对应,从另一个方面了解半导体导电性能的一些特征Seebec系数的正负号确定载流子的类型是在杂质导电区...
硅霍尔系数及电阻率测量实验报告.pdf,北京大学近代物理实验I物理学院王正1200011357实验题目硅的霍尔系数及电阻率测量姓名王正院系物理学院学号:1200011357本实验通过在不同温度条件下对高阻p型Si的霍尔系数和电阻率的测量，了解...
硅的霍尔系数及电阻率的测量实验报告.pdf,北京大学近代物理实验I物理学院王正1200011357实验题目硅的霍尔系数及电阻率测量姓名王正院系物理学院学号:1200011357本实验通过在不同温度条件下对高阻p型Si的霍尔系数和电阻率的测量，了解半导体内存在本征导电和杂志导电两种导电机构；晶…
汞探针CV测试仪测量硅重掺衬底外延层电阻率的准确性和稳定性.pdf,IUlIIIIIIIIlllII[1lllllIII摘要本论文针对公司使用汞探针CV495测试仪测量重掺衬底硅外延层电阻率时，发现所得结果有不稳定情况，从而导致大批产品报废的问题进行研究。首先，分析了影响测试结果稳定性、重复性的各种因素；在此...
实验二四探针法测试硅片的电阻率一、实验目的1.掌握方块电阻的概念和意义；2.掌握四探针法测量方块电阻的原理；3.学会操作四探针测试仪。二、实验原理1.方块电阻对任意一块均匀的薄层半导体，厚W，宽h，长L。图1薄层半导体示意图如果电流沿着垂直于宽和厚的方向，则电阻为，当…
硅的霍尔系数及电阻率的测量9-1硅的霍尔系数及电阻率的测量霍尔效应是有关材料中的载流子在电场和磁场作用下所产生的效应.1879年霍尔在研究带电导体在磁场中受力性质时发现了这种效应,后来发现半导体中的霍尔效应比金属大几个数量级.二十世纪的前半个世纪,它的研究一直推动着固体导电...
用四探针法测试硅片微区薄层电阻的稳定性研究2.doc,河北工业大学硕士学位论文用四探针法测试硅片微区薄层电阻的稳定性研究摘要随着电子科学技术的发展，各种电子设备的电路尺寸越来越小，集成化程度越来越高，这就要求制作电路的核心材料---半导体材料的各种电气性能稳定。
电阻率测量基础知识电阻率测定有两种基本方法:体积和表面。下面我们将会讲解这两种方法和具体使用案例。体积电阻率测量体积电阻率测量一般采用图1所示的测试夹具电极配置—将电压源Vs施加到上电极，指定流经测试样品的大电流为Im，随后体积电阻率Rv用公式Rv=Vs/Im计算。
表面体积电阻率的标准测试方法您的评论发布评论用户评价关于体积的内容，不错2018-06-2516:17:30文档贡献者夏天的奇特贡献于2018-06-281/2相关文档推荐表面电阻率测试标准...
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