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硅单晶电阻率标准样品均匀性的研究文档贡献者汉斯开源期刊贡献于2019-12-181/2相关文档推荐影响区熔硅单晶电阻率均...¥1.00区熔高阻硅单晶电阻率均...5页¥2.00用PMCZ法生长的单晶硅中...4页免费大直径单晶硅棒径向电阻...
电阻率对N型单晶硅电池电性能影响的研究.贾琰王振交严慧敏张光春李果华.【摘要】：近年来,P型太阳电池商业化生产效率已趋于稳定,N型太阳电池逐渐走向产业化。.基于N+NP+型铝背结单晶硅太阳电池,研究了电阻率为1~5.5Ω·cm的N型硅衬底材料经过相同工艺后...
摘要：本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率，对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响，采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻，结果显示基体电阻率越高，扩散后的方阻越高，采用电化学电压电容（ECV）测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化，ECV测量的结果表明了电阻率高的...
目前单晶硅（高阻硅）的电阻率范围晶体晶体应用小木虫论坛版块导航正在加载中...客户端APP下载考博/论文辅导登录注册帖子...一篇NanoToday研究型论文的投稿经历已经有4人回复1楼2015-09-2411:24:10已阅回复此楼关注TA给TA发消息...
河北工业大学硕士学位论文氮离子注入单晶硅的性能研究姓名：赵二敏申请学位级别：硕士专业：材料物理与化学指导教师：李养贤20080301知识水坝论文河IL上业大学硕士学位论义氮离子注入单晶硅的性能研究摘要氮杂质对单品硅的性能有重要影响，氮在硅rr【的性质，相关缺陷的作用机理...
单晶硅生产工艺及应用的研究毕业论文.单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。.在光伏技术和微小型...
单晶硅的及其太阳能电池中的运用本科毕业论文.doc,2015届毕业论文（设计）论文（设计）题目单晶硅的及其在太阳能电池中的运用子课题题目无所属院系物理科学与技术系专业年级物理学2班2015年5月毕业设计（论文）原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺：所呈交的...
欧姆接触中接触电阻率的计算(11河北师范大学物理学院,河北石家庄050016;21兰州大学物理系,甘肃兰州730000)摘要:从欧姆接触电阻率的定义出发,先从理论上介绍了热离子发射、热离子场发射和场发射三种不同情况下欧姆接触电阻率的计算公式,然后详细地从...
2017/0416/w267h3487009_1492350163_567.png|bcs|1这是硅片电阻率与掺杂浓的的对照表，但是我不知道该怎么查询，左边一栏是电阻率，那右边0.0、0.1、0.2指的是啥啊？求助这个表到底怎么用，我想知道某一电阻率范围的硅片的大致掺杂浓度
由实验结果得到，随着初始埚位的提升，单晶硅棒少子寿命逐渐降低。然后又固定埚转8rpm，变晶转6rpm、10rpm、14rpm，其他工艺参数相同的晶体生长工艺，拉制了三根φ200mm，P型，晶向〈100〉，电阻率2Ωcm的单晶硅棒。
硅单晶电阻率标准样品均匀性的研究文档贡献者汉斯开源期刊贡献于2019-12-181/2相关文档推荐影响区熔硅单晶电阻率均...¥1.00区熔高阻硅单晶电阻率均...5页¥2.00用PMCZ法生长的单晶硅中...4页免费大直径单晶硅棒径向电阻...
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摘要：本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率，对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响，采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻，结果显示基体电阻率越高，扩散后的方阻越高，采用电化学电压电容（ECV）测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化，ECV测量的结果表明了电阻率高的...
目前单晶硅（高阻硅）的电阻率范围晶体晶体应用小木虫论坛版块导航正在加载中...客户端APP下载考博/论文辅导登录注册帖子...一篇NanoToday研究型论文的投稿经历已经有4人回复1楼2015-09-2411:24:10已阅回复此楼关注TA给TA发消息...
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欧姆接触中接触电阻率的计算(11河北师范大学物理学院,河北石家庄050016;21兰州大学物理系,甘肃兰州730000)摘要:从欧姆接触电阻率的定义出发,先从理论上介绍了热离子发射、热离子场发射和场发射三种不同情况下欧姆接触电阻率的计算公式,然后详细地从...
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由实验结果得到，随着初始埚位的提升，单晶硅棒少子寿命逐渐降低。然后又固定埚转8rpm，变晶转6rpm、10rpm、14rpm，其他工艺参数相同的晶体生长工艺，拉制了三根φ200mm，P型，晶向〈100〉，电阻率2Ωcm的单晶硅棒。
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