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（1合肥波林新材料有限公司，2洛阳轴承研究所）摘要：简要介绍了氮化硅陶瓷球生产工艺方法，并对其关键技术（包括粉末、体系、成型剂、烧结工艺技术等）的研究进展进行了综述，加快国内开展精细氮化硅材料产业化工艺技术的研究，具有重要的现实意义。
洛阳轴承研究所)摘要：简要介绍了氮化硅陶瓷球生产工艺方法，并对其关键技术(包括粉末、体系、成型剂、烧结工艺技术等)的研究进展进行了综述，加快国内开展精细氮化硅材料产业化工艺技术的研究，具有重要的现实意义。
1.多晶硅的生产工艺：从西门子法到改良西门子法从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100℃左右的硅芯（也称“硅棒”）上沉积多晶硅的生产工艺；1957年，这种多晶硅生产工艺开始应用于…
根据硅片生产流程，首先通过提纯硅氧化得到多晶硅，其后通过单晶硅生长工艺得到硅片原始材料单晶锭，再通过切片、研磨、抛光等硅片制造工艺得到抛光硅片。通过对抛光硅片进行特殊工艺处理，可得到退火片、外延片等具
多晶硅硅料生产工艺.ppt,硅材料科学与技术授课老师：刘仪柯单位：新余高等专科学校太阳能科学与工程系工业硅的生产高纯多晶硅的生产太阳电池分类太阳电池按其材料主要可分为四种类型：(1)硅太阳电池；(2)多元化合物薄膜太阳电池；(3)有机物太阳电池；(4)纳米晶太阳电池。
半导体材料的研究综述文献综述毕业论文.doc,半导体材料的研究综述文献综述毕业论文半导体研究文献综述学院：材料科学与工程学院专业：材料化学班级：材料122姓名：刘田防学号：2012141009半导体材料的研究综述文献综述摘要：半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分…
所谓硅光技术，即研究和利用硅材料中的光子、电子及光电子器件的工作机理和光电特性，采用与集成电路兼容的微纳米工艺，在硅晶圆上开发光电子芯片的技术。硅光芯片结合了集成电路技术的超大规模、超高精度制造的特性和光子...
基于以上几个方面考虑，硅是最理想的材料，也是硅材料为主的主要原因。本文简要地综述了太阳能电池的种类及其研究现状，介绍了目前产业化生产过程中各工序的技术现状、出现的新工艺、新技术及配套的新装备与新材料，讨论了太阳能电池的发展及趋势，并对今后的发展做了简单的评价与...
PECVD氮化硅薄膜的研究进展毕业设计（论文）（2013届）题目PECVD氮化硅薄膜的研究进展学号1003020147姓名钟建斌所属系新能源科学与工程学院专业材料及技术应用班级10材料（1）班指导教师胡耐根新余学院...
碳化硅半导体材料的研究现状3.1国外碳化硅半导体材料研究现状20世纪80年代以来，美、日、欧等发达国家为保持航天、军事和技术强国地位，始终将宽禁带半导体技术放在极其重要的战略地位，投入巨资实施了多项旨在提升装备系统能力。
（1合肥波林新材料有限公司，2洛阳轴承研究所）摘要：简要介绍了氮化硅陶瓷球生产工艺方法，并对其关键技术（包括粉末、体系、成型剂、烧结工艺技术等）的研究进展进行了综述，加快国内开展精细氮化硅材料产业化工艺技术的研究，具有重要的现实意义。
洛阳轴承研究所)摘要：简要介绍了氮化硅陶瓷球生产工艺方法，并对其关键技术(包括粉末、体系、成型剂、烧结工艺技术等)的研究进展进行了综述，加快国内开展精细氮化硅材料产业化工艺技术的研究，具有重要的现实意义。
1.多晶硅的生产工艺：从西门子法到改良西门子法从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100℃左右的硅芯（也称“硅棒”）上沉积多晶硅的生产工艺；1957年，这种多晶硅生产工艺开始应用于…
根据硅片生产流程，首先通过提纯硅氧化得到多晶硅，其后通过单晶硅生长工艺得到硅片原始材料单晶锭，再通过切片、研磨、抛光等硅片制造工艺得到抛光硅片。通过对抛光硅片进行特殊工艺处理，可得到退火片、外延片等具
多晶硅硅料生产工艺.ppt,硅材料科学与技术授课老师：刘仪柯单位：新余高等专科学校太阳能科学与工程系工业硅的生产高纯多晶硅的生产太阳电池分类太阳电池按其材料主要可分为四种类型：(1)硅太阳电池；(2)多元化合物薄膜太阳电池；(3)有机物太阳电池；(4)纳米晶太阳电池。
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所谓硅光技术，即研究和利用硅材料中的光子、电子及光电子器件的工作机理和光电特性，采用与集成电路兼容的微纳米工艺，在硅晶圆上开发光电子芯片的技术。硅光芯片结合了集成电路技术的超大规模、超高精度制造的特性和光子...
基于以上几个方面考虑，硅是最理想的材料，也是硅材料为主的主要原因。本文简要地综述了太阳能电池的种类及其研究现状，介绍了目前产业化生产过程中各工序的技术现状、出现的新工艺、新技术及配套的新装备与新材料，讨论了太阳能电池的发展及趋势，并对今后的发展做了简单的评价与...
PECVD氮化硅薄膜的研究进展毕业设计（论文）（2013届）题目PECVD氮化硅薄膜的研究进展学号1003020147姓名钟建斌所属系新能源科学与工程学院专业材料及技术应用班级10材料（1）班指导教师胡耐根新余学院...
碳化硅半导体材料的研究现状3.1国外碳化硅半导体材料研究现状20世纪80年代以来，美、日、欧等发达国家为保持航天、军事和技术强国地位，始终将宽禁带半导体技术放在极其重要的战略地位，投入巨资实施了多项旨在提升装备系统能力。
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