硅基发光材料研究进展毕业论文.doc,硅基发光材料研究进展摘要:硅基发光材料是实现光电子集成的关键材料。本文分析了传统工艺制作的硅基发光材料存在发光效率低、发光性能不稳定等缺点,在此基础上,总结目前量子理论、超晶格理论和纳米技术在硅基发光材料研究进展以及多孔硅的实践...
硅基材料因其具有较高的理论比容量被认为是具有广阔前景的锂离子电池负极材料,在近年来得到广泛的研究;但是硅较差的电子导电性和在充放电过程中的巨大的体积膨胀问题,导致其具有较差的循环性能,阻碍了它的商业化应用。本文从介绍硅材料储锂机制及失效原理出发,重点综述了近年来对...
毕业论文:锂离子电池硅基负极材料研究现状与发展趋势.docx,XX大学毕业论文题目锂离子电池硅基负极材料研究现状与发展趋势姓名教育层次大专学号省级电大专业应用化工技术分校指导教师教学点目录
作者暨授权人签字:南开大学研究生学位论文作者信息论文题目新型锂离子电池硅基负极材料的设计、和储锂性能研究姓名学号2120070709答辩日期2010年5月26日论文类别博士学历硕十一硕士专业学位口高校教师口同等学力硕士口
在理论上,这两类材料都可以较大幅度地提高电池的能量密度,因此成为开发下一代负极材料的热门材料[2-3]锡、硅负极材料产业化应用开发进展1.1锡基负极材料的产业化应用开发进展锡基负极材料的研究首先起源于日本精工电子工业公司,随后三洋电机
锂离子电池硅基负极材料及改性研究来自万方喜欢0阅读量:119作者:孔令龙展开摘要:随着高容量锂离子电池的快速发展,人们对负极材料的容量要求越来越高.以碳类材料为代表的传统负极材料由于受到理论容量的限制(石墨理论比容量...
半导体学报2019年第10期——硅基化合物材料与器件专题.硅基光子学的研究凭借低成本、高可靠性、高能量效率和高密度芯片集成等优点正在蓬勃发展,不仅广泛应用于CMOS技术中,还在调制器、探测器以及其他无源波导组件的工业生产中取得了巨大成功。.然而...
本论文在国家863计划项目的资助下,对硅基锗材料光电探测器的结构、布局、负载匹配进行了研究,并优化设计出高性能的硅基锗探测器,已经完成的主要工作和创新性如下:(1)理论上探讨了肼型锗材料探测器的尺寸、波导对结构、掺杂浓度以及工艺
中国在硅基芯片上的落后态势,有可能在未来的碳基芯片上得以改观。2020年5月22日,北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授团队在《科学》杂志发表《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》论文,介绍了该团队最新发展的多次提纯和维度限制自组装方法。
本论文针对硅负极的相关问题做了以下三方面的工作:(1)硅尺寸对硅碳复合材料的影响研究,主要针对含有不同大小硅颗粒的材料的开裂与循环衰减进行分析;(2)氧化亚硅碳复合材料的结构演变,主要包括氧化亚硅碳复合材料的开裂,衰减,结构变化以及不同热处理
硅基发光材料研究进展毕业论文.doc,硅基发光材料研究进展摘要:硅基发光材料是实现光电子集成的关键材料。本文分析了传统工艺制作的硅基发光材料存在发光效率低、发光性能不稳定等缺点,在此基础上,总结目前量子理论、超晶格理论和纳米技术在硅基发光材料研究进展以及多孔硅的实践...
硅基材料因其具有较高的理论比容量被认为是具有广阔前景的锂离子电池负极材料,在近年来得到广泛的研究;但是硅较差的电子导电性和在充放电过程中的巨大的体积膨胀问题,导致其具有较差的循环性能,阻碍了它的商业化应用。本文从介绍硅材料储锂机制及失效原理出发,重点综述了近年来对...
毕业论文:锂离子电池硅基负极材料研究现状与发展趋势.docx,XX大学毕业论文题目锂离子电池硅基负极材料研究现状与发展趋势姓名教育层次大专学号省级电大专业应用化工技术分校指导教师教学点目录
作者暨授权人签字:南开大学研究生学位论文作者信息论文题目新型锂离子电池硅基负极材料的设计、和储锂性能研究姓名学号2120070709答辩日期2010年5月26日论文类别博士学历硕十一硕士专业学位口高校教师口同等学力硕士口
在理论上,这两类材料都可以较大幅度地提高电池的能量密度,因此成为开发下一代负极材料的热门材料[2-3]锡、硅负极材料产业化应用开发进展1.1锡基负极材料的产业化应用开发进展锡基负极材料的研究首先起源于日本精工电子工业公司,随后三洋电机
锂离子电池硅基负极材料及改性研究来自万方喜欢0阅读量:119作者:孔令龙展开摘要:随着高容量锂离子电池的快速发展,人们对负极材料的容量要求越来越高.以碳类材料为代表的传统负极材料由于受到理论容量的限制(石墨理论比容量...
半导体学报2019年第10期——硅基化合物材料与器件专题.硅基光子学的研究凭借低成本、高可靠性、高能量效率和高密度芯片集成等优点正在蓬勃发展,不仅广泛应用于CMOS技术中,还在调制器、探测器以及其他无源波导组件的工业生产中取得了巨大成功。.然而...
本论文在国家863计划项目的资助下,对硅基锗材料光电探测器的结构、布局、负载匹配进行了研究,并优化设计出高性能的硅基锗探测器,已经完成的主要工作和创新性如下:(1)理论上探讨了肼型锗材料探测器的尺寸、波导对结构、掺杂浓度以及工艺
中国在硅基芯片上的落后态势,有可能在未来的碳基芯片上得以改观。2020年5月22日,北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授团队在《科学》杂志发表《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》论文,介绍了该团队最新发展的多次提纯和维度限制自组装方法。
本论文针对硅负极的相关问题做了以下三方面的工作:(1)硅尺寸对硅碳复合材料的影响研究,主要针对含有不同大小硅颗粒的材料的开裂与循环衰减进行分析;(2)氧化亚硅碳复合材料的结构演变,主要包括氧化亚硅碳复合材料的开裂,衰减,结构变化以及不同热处理