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掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究-材料科学与工程专业论文.docx,摘要ZnO是一种宽禁带(Eg≈3:37eV)、直接带隙、II-VI族半导体材料，在室温下ZnO具有较大的激子能(≈60meV)，在晶格特性和能带结构方面与GaN有许多相似之处，拥有可以比拟的...
本论文就是通过基于密度泛函理论的第一性原理方法，对纤锌矿ZnO的体相和表面材料进行了相关的理论计算，具体内容如下：1.计算了S掺杂ZnO体相材料的电子结构和光学性质。
掺杂ZnO的第一性原理研究-本文通过第一性原理方法，从理论角度研究掺杂ZnO的电子结构（包括能带结构、电子态密度）和光学性质（包括介电函数、光吸收谱）。氧化锌（ZnO）是一种有着广泛的应用前景的宽带隙半导体材料，属...
掺杂ZnO稀磁材料薄膜的工艺及室温磁性研究,稀磁半导体;;ZnO;;磁控溅射;;溶胶凝胶法;;室温铁磁性,稀磁半导体(DMS)材料可利用电子自旋所需能量小,易控制等优点实现许多新的多功能器件。其中,纤锌矿结构的ZnO由于具有生长温度较低...
从该图可以清晰地看到，当掺杂浓度低于2%时获得的ZnO材料为棒状结构，尺寸分布均匀，然而随着掺杂浓度增加到10%时，ZnO的形貌发生了改变，形成直径约为50nm颗粒状结构.这可能是Ce的掺杂对ZnO的成核过程和接下来的择优生长有影响造成的.
中国科技论文在线Al掺杂ZnO晶格常数及弹性性质研究基金项目：江苏省自然科学基金（14KJB140012）作者简介：崔荣华（1978－），男，实验师，主要研究方向：热电材料.E-mail:ronghuacui@ntu.edu（南通大学理学院，南通226019）摘要：利用第一性原理方法研究了ZnO...
ZnO掺杂的第一性原理研究-半导体材料是现代信息社会的基础，各种元器件，功能设备的制造都离不开它，ZnO作为第三代半导体材料，具有宽禁带，高激子能，原料成本低等优点，在很多领域都有发展潜力，虽然目前n型ZnO的...
Na掺杂ZnO纳米材料的实验与第一性原理研究.【摘要】：众所周知,ZnO是一种重要的宽禁带、直接禁带半导体,室温下的禁带宽度约为3.37eV,激子能为60meV。.近几年,对ZnO纳米结构的研究以及其潜在的广泛应用,如在光催化、压电效应、光电子学、光电转换与气敏...
掺杂纳米ZnO改性PVDF超滤膜的及特性研究.【摘要】：聚偏氟乙烯（PVDF）超滤膜具有优异的化学、热力学稳定性和机械性能。.由于PVDF的强疏水性，PVDF超滤膜的通量低，容易造成严重的膜污染。.纳米ZnO具有良好的亲水性和优异的光催化活性，在光的照射下...
第四族元素能作为ZnO的p型掺杂元素吗？我做的一族元素掺杂ZnO，其中Li、Na、K作为掺杂元素后得到的受主能级分别为220meV、165meV和40meV，是依次减下的，而文献上却是依次增大的，我使用的Ms做的，不知道为什么会产生这么大的差别！
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从该图可以清晰地看到，当掺杂浓度低于2%时获得的ZnO材料为棒状结构，尺寸分布均匀，然而随着掺杂浓度增加到10%时，ZnO的形貌发生了改变，形成直径约为50nm颗粒状结构.这可能是Ce的掺杂对ZnO的成核过程和接下来的择优生长有影响造成的.
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