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SiC半导化掺杂电子结构及物理性质的第一性原理计算.张晓旭.【摘要】：SiC具有优越的半导体特性,并且成为第三代半导体的核心材料,随着半导体器件的发展越来越迅速,纯净的半导体材料的性能越来越不能满足实际应用的需求,所以利用掺杂改性的方法,就成了一...
中国科学技术大学博士学位论文宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究姓名：苏剑峰申请学位级别：博士专业：凝聚态物理指导教师：傅竹西20080501摘要作为第三代宽禁带半导体材料，SiC和ZnO由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。
北京化工大学硕士学位论文SiC材料P型掺杂的第一性原理研究姓名：张云申请学位级别：硕士专业：凝聚态物理指导教师：邵晓红20100528北京化工大学硕士学位论文SiC材料P型掺杂的第一性原理研究摘要宽禁带导体材料SiC拥有许多优越的物理特性，这使得它在高温，高频，大功率，以及…
sic材料n型掺杂的第一性原理研究,第一性原理,第一性原理计算,第一性原理计算软件<1b82/a>AthesissubmittedZhengzhouUniversityMaster．TheFirstPrinciplestudyn—typedoped4H—SiCByXiaoweiGuoSupervisor：Prof．RonghuiLuoOpticsPhysicsEngineeringSchoolMay201原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下...
SiC材料P型掺杂的第一性原理研究.【摘要】：宽禁带导体材料SiC拥有许多优越的物理特性,这使得它在高温,高频,大功率,以及极端化学环境下具有广泛应用。.目前,对于SiC材料的电子结构,缺陷态,表面、界面态等方面已有了不少理论和实验研究。.其中,对于N型...
有两种SI－SiC材料，其一为高纯SI－SiC，称为HPSI—SiC，其二为掺钒SI－SiC。本文研究内容限于PVT生长掺钒SI—SiC的理论和技术问题。通常情况下，如果不故意掺杂和采取其它工艺措施，PVT法生长的SiC是n型，这是由于吸附空气中的氮可形成非故意掺杂。
SiC单晶的生长工艺优化及V掺杂单晶的.蒋秉轩.【摘要】：碳化硅(SiC)是第三代半导体材料,具有高禁带宽度,高击穿电场强度、高电子饱和漂移速度、高热导率等特性。.这些特性使SiC半导体材料可用于制作高温、高频、抗辐射和大功率的电子器件,同时在...
论文查重优惠论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究喜欢0阅读量：18作者：苏剑峰展开摘要：...
SiC半导化掺杂电子结构及物理性质的第一性原理计算—硕士毕业论文下载.SiC半导化掺杂电子结构及物理性质的第一性原理计算.论文目录.摘要.第1-6页.Abstract.
JMCC论文：具有超低开启电场的P掺杂SiC纳米线场发射阴极材料.场发射是低维纳米材料的固有特性之一，在显示和真空电子等领域具有广泛的应用前景，其得以真正应用的关键基础是如何降低其开启电场(Eto)和提高电子发射稳定性。.基于F-N理…
SiC半导化掺杂电子结构及物理性质的第一性原理计算.张晓旭.【摘要】：SiC具有优越的半导体特性,并且成为第三代半导体的核心材料,随着半导体器件的发展越来越迅速,纯净的半导体材料的性能越来越不能满足实际应用的需求,所以利用掺杂改性的方法,就成了一...
中国科学技术大学博士学位论文宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究姓名：苏剑峰申请学位级别：博士专业：凝聚态物理指导教师：傅竹西20080501摘要作为第三代宽禁带半导体材料，SiC和ZnO由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。
北京化工大学硕士学位论文SiC材料P型掺杂的第一性原理研究姓名：张云申请学位级别：硕士专业：凝聚态物理指导教师：邵晓红20100528北京化工大学硕士学位论文SiC材料P型掺杂的第一性原理研究摘要宽禁带导体材料SiC拥有许多优越的物理特性，这使得它在高温，高频，大功率，以及…
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SiC材料P型掺杂的第一性原理研究.【摘要】：宽禁带导体材料SiC拥有许多优越的物理特性,这使得它在高温,高频,大功率,以及极端化学环境下具有广泛应用。.目前,对于SiC材料的电子结构,缺陷态,表面、界面态等方面已有了不少理论和实验研究。.其中,对于N型...
有两种SI－SiC材料，其一为高纯SI－SiC，称为HPSI—SiC，其二为掺钒SI－SiC。本文研究内容限于PVT生长掺钒SI—SiC的理论和技术问题。通常情况下，如果不故意掺杂和采取其它工艺措施，PVT法生长的SiC是n型，这是由于吸附空气中的氮可形成非故意掺杂。
SiC单晶的生长工艺优化及V掺杂单晶的.蒋秉轩.【摘要】：碳化硅(SiC)是第三代半导体材料,具有高禁带宽度,高击穿电场强度、高电子饱和漂移速度、高热导率等特性。.这些特性使SiC半导体材料可用于制作高温、高频、抗辐射和大功率的电子器件,同时在...
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SiC半导化掺杂电子结构及物理性质的第一性原理计算—硕士毕业论文下载.SiC半导化掺杂电子结构及物理性质的第一性原理计算.论文目录.摘要.第1-6页.Abstract.
JMCC论文：具有超低开启电场的P掺杂SiC纳米线场发射阴极材料.场发射是低维纳米材料的固有特性之一，在显示和真空电子等领域具有广泛的应用前景，其得以真正应用的关键基础是如何降低其开启电场(Eto)和提高电子发射稳定性。.基于F-N理…
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