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Mn掺杂CdS纳米带的光学特性研究及CdSSe纳米带的光学﹑光电性质研究.【摘要】：在Ⅱ-Ⅵ族一维纳米半导体材料中,硫化镉纳米材料因具有良好的化学和物理特性,因此被广泛地应用于光电探测﹑发光二极管和太阳能电池等领域。.硫化镉是一种直接带隙半导体,室温...
CdS：Mn半导体纳米晶的、壳层修饰及其光学性质研究.翟辉.【摘要】：半导体纳米晶具有独特的物理和化学性质,在生物标记、波长可调激光器、离子检测和太阳能电池等领域显示出了巨大的应用潜力,因而引起了学者们的广泛关注。.其中,过渡族金属掺杂的...
论文通过掺杂过渡金属离子Mn、Co和稀土离子Eu的CdS基量子点,研究掺杂对其光学和磁学性质的影响,高压对其结构稳定性和光学特性的影响,进而理解掺杂和高压对其电子结构的改变,为CdS基纳米材料的性能优化提供理论和实验基础。.本文的主要研究成果如下：1...
过渡金属离子掺杂CdS纳米结构的、表征及光学与磁学研究.【摘要】：CdS是一类非常重要的II-VI半导体材料,由于其独特的性质可在太阳能电池、发光二极管、纳米激光、场效应晶体管、光电探测器、气体传感器、光开关等方面有重要应用。.近期还发现硫化...
，葡萄糖代谢反应剂-葡萄糖氧化酶（GOx），作为光敏剂的Mn，Cu掺杂碳点（CDs）和自备的充氧器纳米点。γ-PGA@GOx@Mn，Cu-CDs纳米颗粒（NPs）在酸性微环境中显示出较长的保留时间，并且可能进一步靶向癌细胞。NP在730nm的激光照射下也
本论文较系统地研究了低维半导体纳米材料的、表征、物性及其纳米光电器件和传感器,利用简单的液相方法成功了高质量的CdS、ZnS纳米线,ZnO纳米锥,PbSe纳米管以及过渡性金属元素(Mn、Co、Ni)掺杂II-VI族稀磁半导体纳米线,研究了纳米线的
本论文较系统地研究了低维半导体纳米材料的、表征、物性及其纳米光电器件和传感器,利用简单的液相方法成功了高质量的CdS、ZnS纳米线，ZnO纳米锥，PbSe纳米管以及过渡性金属元素(Mn、Co、Ni)掺杂II-VI族稀磁半导体纳米线，研究了纳米
无掺杂量子点发射542nm黄光，利用双金属簇法的Mn、Cu和Ni掺杂的CdS量子点分别发射620nm红光、590nm橙光和503nm绿光，荧光寿命也随之显著变化。整个反应在50°C下进行，很容易扩大并得到克量级产物。
半导体发光材料具有许多优良并且很奇特的发光性能,作为II-VI族直接宽带隙半导体,ZnS材料拥有很好的优异性能。ZnS通过掺杂可获得更好的发光性能。材料表面大量的缺陷态会成为荧光猝灭中心,造成非辐射复合,从而导致材料发光效率降低。对材料表面进行包覆改性处理可有效地
Mn掺杂CdS量子点的微波水相.pdf上传人：first2文档编号：100378547上传时间：2021-09-08格式：PDF页数：3大小：187.82KB返回下载相关第1页/共3页...
Mn掺杂CdS纳米带的光学特性研究及CdSSe纳米带的光学﹑光电性质研究.【摘要】：在Ⅱ-Ⅵ族一维纳米半导体材料中,硫化镉纳米材料因具有良好的化学和物理特性,因此被广泛地应用于光电探测﹑发光二极管和太阳能电池等领域。.硫化镉是一种直接带隙半导体,室温...
CdS：Mn半导体纳米晶的、壳层修饰及其光学性质研究.翟辉.【摘要】：半导体纳米晶具有独特的物理和化学性质,在生物标记、波长可调激光器、离子检测和太阳能电池等领域显示出了巨大的应用潜力,因而引起了学者们的广泛关注。.其中,过渡族金属掺杂的...
论文通过掺杂过渡金属离子Mn、Co和稀土离子Eu的CdS基量子点,研究掺杂对其光学和磁学性质的影响,高压对其结构稳定性和光学特性的影响,进而理解掺杂和高压对其电子结构的改变,为CdS基纳米材料的性能优化提供理论和实验基础。.本文的主要研究成果如下：1...
过渡金属离子掺杂CdS纳米结构的、表征及光学与磁学研究.【摘要】：CdS是一类非常重要的II-VI半导体材料,由于其独特的性质可在太阳能电池、发光二极管、纳米激光、场效应晶体管、光电探测器、气体传感器、光开关等方面有重要应用。.近期还发现硫化...
，葡萄糖代谢反应剂-葡萄糖氧化酶（GOx），作为光敏剂的Mn，Cu掺杂碳点（CDs）和自备的充氧器纳米点。γ-PGA@GOx@Mn，Cu-CDs纳米颗粒（NPs）在酸性微环境中显示出较长的保留时间，并且可能进一步靶向癌细胞。NP在730nm的激光照射下也
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本论文较系统地研究了低维半导体纳米材料的、表征、物性及其纳米光电器件和传感器,利用简单的液相方法成功了高质量的CdS、ZnS纳米线，ZnO纳米锥，PbSe纳米管以及过渡性金属元素(Mn、Co、Ni)掺杂II-VI族稀磁半导体纳米线，研究了纳米
无掺杂量子点发射542nm黄光，利用双金属簇法的Mn、Cu和Ni掺杂的CdS量子点分别发射620nm红光、590nm橙光和503nm绿光，荧光寿命也随之显著变化。整个反应在50°C下进行，很容易扩大并得到克量级产物。
半导体发光材料具有许多优良并且很奇特的发光性能,作为II-VI族直接宽带隙半导体,ZnS材料拥有很好的优异性能。ZnS通过掺杂可获得更好的发光性能。材料表面大量的缺陷态会成为荧光猝灭中心,造成非辐射复合,从而导致材料发光效率降低。对材料表面进行包覆改性处理可有效地
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