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超结高压功率mosfet器件研究,功率mosfet,高压mosfet,大功率mosfet,大功率mosfet型号,功率mosfet应用指南,功率mosfet驱动波形,mosfet功率损耗计算,功率mosfet耐压值选择,功率mosfet驱动
基于电荷平衡的横向功率器件研究,功率器件,功率集成电路,超级结,击穿电压,比导通电阻。高速、低损耗、可集成的横向功率器件是功率集成电路(PowerIntegratedCircuit:PIC)的核心和关键...
导读:本论文可用于器件功率论文范文参考下载，器件功率相关论文写作参考研究。湘能华磊光电股份有限公司湖南郴州背景随着经济增长,人们日常活动中越来越依赖电子化数据和设备.这为功率电子产业增长注入了动力,人们正在致力于提高供电网络及电力设备
功率UMOSFET器件新结构及其特性研究,沟槽栅,功率MOSFET,导通电阻,硅锗,超结。功率槽栅MOS(UMOSFET)是在VDMOS和VMOS基础上发展起来的一种功率半导体器件,由于功率UMOSFET可以...
功率VDMOS器件结构设计.摘要摘要VDMOS（垂直导电双扩散场效应晶体管）器件具有高输入阻抗、高开关速度、宽安全工作区以及很好的热稳定性等特点，广泛应用于移动通信、雷达、开关电源、汽车电子、马达驱动、节能灯等各种领域。.这篇论文介绍了VDMOS的...
上海大学工学硕士论文1．1．2横向功率器件的研究现状众所周知，功率集成电路是现代电子学中具有广’泛应用前景的发展热点之一，由于横向功率MOS器件的电极均位于芯片表面，易于通过内部连接实现与低压信号电路及其它器件的相互集成，并且驱动
一种分立式高压功率VDMOS器件SPICE宏模型的研究,高压功率VDMOS,SPICE宏模型,曲线拟合,参数提取,热阻模型。当今,功率VDMOSFET(垂直双扩散MOSFET)在电力电子系统中得到了非常广泛地应用。但是,复杂的器件结构及工艺、...
本作品内容为高功率GaN基LED器件的研究现状与发展-LED技术论文(1)，格式为docx，大小1MB，页数为3，请使用软件Word(2010)打开，作品中主体文字及图片可替换修改，文字修改可直接点击文本框进行编辑，图片更改可选中图片后单击鼠标右键选择更换图片，也可根据自身需求增加和删除作品…
西安电子科技大学硕士学位论文4H-SiC功率MOSFET特性研究与器件模拟姓名：侯峰波申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：张玉明20100101摘要摘要碳化硅（SiC）由于其带隙宽、热导率高、电子的饱和速度大、临界...
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功率VDMOS器件结构设计.摘要摘要VDMOS（垂直导电双扩散场效应晶体管）器件具有高输入阻抗、高开关速度、宽安全工作区以及很好的热稳定性等特点，广泛应用于移动通信、雷达、开关电源、汽车电子、马达驱动、节能灯等各种领域。.这篇论文介绍了VDMOS的...
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一种分立式高压功率VDMOS器件SPICE宏模型的研究,高压功率VDMOS,SPICE宏模型,曲线拟合,参数提取,热阻模型。当今,功率VDMOSFET(垂直双扩散MOSFET)在电力电子系统中得到了非常广泛地应用。但是,复杂的器件结构及工艺、...
本作品内容为高功率GaN基LED器件的研究现状与发展-LED技术论文(1)，格式为docx，大小1MB，页数为3，请使用软件Word(2010)打开，作品中主体文字及图片可替换修改，文字修改可直接点击文本框进行编辑，图片更改可选中图片后单击鼠标右键选择更换图片，也可根据自身需求增加和删除作品…
西安电子科技大学硕士学位论文4H-SiC功率MOSFET特性研究与器件模拟姓名：侯峰波申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：张玉明20100101摘要摘要碳化硅（SiC）由于其带隙宽、热导率高、电子的饱和速度大、临界...
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