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微波氮化镓功率器件物理基统计模型研究.氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)以其高频,大功率,高效率等特性,在微波电路中得到了广泛的应用.为了提高电路设计的效率,缩短电路设计的周期,针对GaNHEMT建立准确...乔世阳-《电子科技大学》.被引量:0发表:2018...
微波氮化镓功率器件机理及其模型研究.贾永昊.【摘要】：在当前电子信息产业中,射频功率器件占有重要地位。.第三代宽禁带半导体氮化镓(GaN)是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后最重要的半导材料之一,在雷达、通信、电力电子、光学等方面已获得广泛应用,在近...
器件功率论文,关于氮化镓器件在功率电子领域中的应用相关参考文献资料-免费论文范文.摘要:导读:本论文可用于器件功率论文范文参考下载，器件功率相关论文写作参考研究。.湘能华磊光电股份有限公司湖南郴州背景随着经济增长,人们日常活动中越来越...
目前微波功率器件的主流产品主要基于第1代半导体材料硅(Si)、锗(Ge)和第2代半导体材料砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)。20世纪90年代,基于第3代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)的高频、大功率微波器件（共5页)
第3代半导体氮化镓功率器件的发展现状和展望.新材料产业NO.102015FOCUS第3代半导体氮化镓功率器件的发展现状和展望北京工业大学省部共建光电子技术实验室一、引言电力电子技术在人类的生产生活中扮演着重要的角色，日常生活中的家用电源到工业生产...
学位论文库会议论文库年鉴全文库学术百科工具书学术不端检测注册|登录|我的账户基础科学|工程科技I辑|工程科技II辑|医药卫生科技|信息科技|农业科技...
氮化镓功率器件具有工作频带宽、输出功率大、效率高等特点，特别适合于阵列雷达收发系统中应用，根据阵列雷达工作的自身特点，应用氮化镓功率器件有以下几点值得重点关注[3]。.阵列雷达收发系统通常由多级功率放大器级联组成，为了把每一级的差异...
西安电子科技大学硕士学位论文AIGaN／GaNHEMT功率器件测试及封装技术研究作者：艾君导师：郝跃教授学科：微电子学与固体电子学中国西安2011年6月packagingtechnologyAIGaN／GaNHEMTpowerdevicesADissertationSubmittedXidianUniversitySolid．StateElectronicsByAiJunXi’an，P．R．ChinaJune2011m0西安电子科技大学...
然而，氮化镓高功率微波二极管研制难度非常大，一方面因为氮化镓禁带宽度大难以同时获得低开启电压、低泄漏电流、高击穿电压等器件关键特性，另一方面由于当前氮化镓材料具有较高的位错缺陷密度，导致器件可靠性极差。郝跃院士团队...
学习氮化镓（GaN）材料与器件有哪些推荐的书籍？.RongmingChu和Shinohara最近（2019）编辑了一本书III-Nitrideelectronicdevices.内容比较新，值得一读。.如果你将来打算做射频的话，很多细节的地方可以看看Palacios的学生JinwookChung和DongSeupLee的博士论文，有很多关于...
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微波氮化镓功率器件机理及其模型研究.贾永昊.【摘要】：在当前电子信息产业中,射频功率器件占有重要地位。.第三代宽禁带半导体氮化镓(GaN)是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后最重要的半导材料之一,在雷达、通信、电力电子、光学等方面已获得广泛应用,在近...
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目前微波功率器件的主流产品主要基于第1代半导体材料硅(Si)、锗(Ge)和第2代半导体材料砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)。20世纪90年代,基于第3代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)的高频、大功率微波器件（共5页)
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然而，氮化镓高功率微波二极管研制难度非常大，一方面因为氮化镓禁带宽度大难以同时获得低开启电压、低泄漏电流、高击穿电压等器件关键特性，另一方面由于当前氮化镓材料具有较高的位错缺陷密度，导致器件可靠性极差。郝跃院士团队...
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