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ITO高阻薄膜的及光电特性研究.docx,25．ITO高阻薄膜的及光电特性研究李东平+，李青(东南大学电子科学与工程学院。江苏南京210096)娶三亟卫!垡巳壁12鱼：￡Q坚摘要：采用直流磁控溅射法在玻璃基板上ITO薄膜，研究了溅射功率...
在这个机制的启发下，该论文首次实现了利用阳极氧化对溅射生长的高导电氧化物薄膜进行改性，形成适合运用于沟道层的高阻氧化物薄膜，并出了低温高性能同质结构的ITOTFT，同时对TFT阈值电压进行了有效调节。该论文的第一作者为博士生邵阳
高阻多晶硅电阻的研究与实现(1)电阻,高阻,阻阻,多晶硅电阻,多晶硅,多晶硅,硅电阻,多晶硅的,1和一,电阻实现（i青华大学微电子所，北京100084；中电华清微电子中心）摘要：对使用磷离子注入方式的轻掺杂多晶硅进行试验，研究了注入剂量、退火温度、退火时间、后续热处理过程于高阻多晶硅电学...
由于高阻硅衬底具有良好的射频特性，高阻硅IPD技术可以出值高达70以上的电感。高阻硅IPD基于薄膜技术具有高精度、高集成度等特点，可将无源器件特征尺寸缩小一个数量级。同时可利用成熟的硅工艺平台，便于批量生产降低成本。
90年代初，日本、美国相继开发出一种镀氧化硅（si0，l蔓x2）复合膜的高阻隔包装材料，并成功地投放市场．2．氧化硅瑟其复台膜的性麓和特点（1）高阻隔性Si0，镀层的一个最主要优点是具有高阻隔性，即具有优良的阻隔氧气和水蒸汽的
TFC'17全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集会议时间：2017年会议地点：中国安徽合肥收藏引用批量引用报错分享全部来源求助全文知网knski.net通过文献互助...
3．塑料薄膜的透湿性透湿即一种材料从某一吸收湿气后再将其从另一面蒸发出去的现象。通常将厚度为25μm的薄膜，透湿量低于5g/(24h)之间的称为高阻湿性包装材料；透湿量大于20g/(24h)的称为阻湿性包装材料；透湿量大于20g/(24h)的称为低阻湿性包装
氧化铪薄膜阻变特性研究.pdf,氧化铪薄膜阻变特性研究论文摘要摘要本文将研究RRAM的注意力集中在HfO2金属氧化物材料上，因为其组份简单且工艺与目前的CMOS工艺相兼容。在基于HfO2材料的阻变存储器中，我们从器件结构等多个...
磁控溅射类金刚石（DLC）薄膜及其结构和性能研究材料是人类可以利用的物质，一般是指固体。而材料学是研究材料的或工艺、材料结构与材料性能三者之间的相互关系的科学。涉及的理论包括固体物理学，材..
1，首先难推的很多都是高阻耳机。.高阻耳机一般来说都是因为音圈匝数多，铜线细。.但是这样的好处就是不吃前端的电流，同时，高阻耳机更需要前端输出的电压摆幅。.而更大的电压摆幅，等于提高了解析力。.相当于相机里的宽容度更高，既可以提升小...
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在这个机制的启发下，该论文首次实现了利用阳极氧化对溅射生长的高导电氧化物薄膜进行改性，形成适合运用于沟道层的高阻氧化物薄膜，并出了低温高性能同质结构的ITOTFT，同时对TFT阈值电压进行了有效调节。该论文的第一作者为博士生邵阳
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由于高阻硅衬底具有良好的射频特性，高阻硅IPD技术可以出值高达70以上的电感。高阻硅IPD基于薄膜技术具有高精度、高集成度等特点，可将无源器件特征尺寸缩小一个数量级。同时可利用成熟的硅工艺平台，便于批量生产降低成本。
90年代初，日本、美国相继开发出一种镀氧化硅（si0，l蔓x2）复合膜的高阻隔包装材料，并成功地投放市场．2．氧化硅瑟其复台膜的性麓和特点（1）高阻隔性Si0，镀层的一个最主要优点是具有高阻隔性，即具有优良的阻隔氧气和水蒸汽的
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