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氧化铪薄膜阻变特性研究.pdf,氧化铪薄膜阻变特性研究论文摘要摘要本文将研究RRAM的注意力集中在HfO2金属氧化物材料上，因为其组份简单且工艺与目前的CMOS工艺相兼容。在基于HfO2材料的阻变存储器中，我们从器件结构等多个...
外延BaTi03薄膜的铁电及阻变特性研究摘要外延BaTi0。薄膜的铁电及阻变特性研究专业名称：材料物理与化学申请者姓名：李明导师姓名：陆旭兵教授本论文的工作研究了脉冲激光沉积的外延钛酸钡（BaTi03，BTO）薄膜的微结构，铁电特性以及阻变行为和相关的微观物理机制。
基于氧化钽薄膜阻变器件及特性研究-微电子学与固体电子学专业论文.docx,万方数据万方数据独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究成果，除了文中特别加以标注和致谢之处外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为...
优秀硕士论文库—《掺杂复合氧化物薄膜的阻变特性及器件应用》摘要第1-6页Abstract第6-8页目录第8-10页1绪论第10-21页·概述第10-11页·RRAM器件的基本工作原理
本论文主要对基于氧化铪薄膜,研究了不同顶电极及叠层结构对器件性能的影响,对其阻变特性进行了测试及分析,并对其内在的阻变机理进行了探究。论文基于TiN为底电极,采用磁控溅射方法淀积了氧化铪功能层,对比了不同顶电极(Ni和Ta)阻变器件并构建了不同叠层
氧化钒薄膜阻变特性及仿神经突触行为研究.发布时间：2021-09-0412:36.近年来,作为第四类无源电路基础器件的忆阻器赢得了社会各界的广泛关注。.忆阻器因其拥有着独特非线性特性、低功耗、结构简明易集成以及电阻记忆特性,在各领域研究人员眼中已经成为...
ELECTRONICSCIENCECHINA硕士学位论文MASTERTHESIS论文题目基于PET柔性衬底的掺锰ZnO薄膜阻变特性研究学科专业材料科学与工程...
阻变通道的变化是氢化非晶氮化硅薄膜双极阻变的根源；而纳米晶硅连续导电通路的形成与断裂是纳米晶硅镶嵌氮化硅多层膜发生单极阻变的主要原因，其免电激活的阻变特性在存储器集成方有很好的应用前景。
我在ITO上直流磁控溅射渡ZnO薄膜，工作气压为0.a，氩氧比4:1,3:1,2:1的都做过，时间大概都是10到20分钟，没有渡上电极直接测的，开关特性一直测不出来，不知道问题是不是出在没有渡上电极上？测的时候forming都是挺好的，4-6伏左右，但是...
分子包埋纳米粒子薄膜阻变特性研究进展李建昌,邵思佳1.东北大学真空与流体工程技术研究中心,沈阳110819通信作者:李建昌,jcli@mail.neu.edu收稿日期:2016-08-28修回日期:2016-10-15刊出日期:2017-01-05
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分子包埋纳米粒子薄膜阻变特性研究进展李建昌,邵思佳1.东北大学真空与流体工程技术研究中心,沈阳110819通信作者:李建昌,jcli@mail.neu.edu收稿日期:2016-08-28修回日期:2016-10-15刊出日期:2017-01-05
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