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这种Si光电二极管具有单片集成到CMOS集成电路的潜力，这可以显着降低每吉比特低于1美元的数据传输成本。为了克服硅在这些波长下固有的吸收弱点，将捕获光子的微结构孔阵列蚀刻到硅表面，并将高速硅PIN光电二极管的工作波长扩展到1000nm。
硅基雪崩光电二极管（SiAPD）由于硅材料中空穴与电子的碰撞离化率比值低、雪崩击穿电压随温度变化小、隧道电流低等...光电技术与系统文选——中国光学学会光电技术专业委员会成立二十周年暨第十一届全国光电技术与系统学术会议论文集[C];2005年...
在国内外学术期刊上发表论文50余篇,授权国家专利9项。主要从事半导体硅化物材料与器件的研究。qqxiao@gzu.edu引用本文:陈豪,肖清泉,谢泉,王坤,史娇娜.近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的结构设计与[J].材料导报,2019,33(20):3358-3362...
鉴于此，综合考虑工艺上对Mg2Si低掺杂的难度杂浓度和提高n型区的掺杂浓度会使光电二极管的耗尽层几乎全部在Mg2Si薄膜层上，从而使产生的光电流与光谱响16-316-3与器件性能，选取1×10cm和5×10cm分别作为Mg2Si层与Si层的掺杂浓度。图n型光电二极
华中科技大学硕士学位论文基于硅光电二极管的荧光检测电路设计姓名：张振请学位级别：硕士专业：生物医学工程指导教师：瞿安连20090520PMT模块用于高灵敏度的光检测存在一定的局限性，而逐渐被体积更小，抗干扰能力更强，性能也更突出的固态光检测器件代替。
Ge/Si波导型雪崩光电二极管研究.王婷.【摘要】：随着外延技术的发展,可用于近红外光探测且能与CMOS工艺集成的Ge/Si波导(Waveguide,WG)雪崩光电二极管(AvalanchePhotodiode,APD)成为了研究热点。.一方面,它利用Ge作为吸收层材料,可以拓展器件的波长探测范围;另一方面...
光电二极管论文二极管论文.pdf.收稿日期：2009-12-20；修订日期：2010-02-15作者简介：石柱（1960-），男，四川成都人，高级工程师，硕士，主要从事近红外光电探测器的研制工作。.Email：hx333666@163红外与激光工程2010LaserEngineeringOct2010中心带雪崩光电二极管...
13华南理T大学硕十学位论文第三章雪崩光电二极管特性研究3．1雪崩光电二极管的特性参数3．1．1量子效率及响应度光子能量大于禁带宽度的光照射到雪崩光电二极管上时将被半导体吸收，每一个被吸收的光子产生一个电子一空穴对。
第91页.本篇论文共91页，点击这进入下载页面。.更多论文.Ge/Si波导型雪崩光电二极管研究.非高斯冲激干扰下基于核方法的自适.低压低噪声CMOS放大器的研究与设计.基于WLANDisplay传输技术的QoS研究.基于循环平稳特征的协作频谱检测算.基于红黑树的RFID标签...
单光子雪崩二极管(SPAD)是一种固态光电探测器，与光电二极管和雪崩光电二极管(APD)属于同一家族，同时也与基本的二极管行为有着根本的联系。SPAD和APD的历史和发展与诸如二极管和早期p-n结…
这种Si光电二极管具有单片集成到CMOS集成电路的潜力，这可以显着降低每吉比特低于1美元的数据传输成本。为了克服硅在这些波长下固有的吸收弱点，将捕获光子的微结构孔阵列蚀刻到硅表面，并将高速硅PIN光电二极管的工作波长扩展到1000nm。
硅基雪崩光电二极管（SiAPD）由于硅材料中空穴与电子的碰撞离化率比值低、雪崩击穿电压随温度变化小、隧道电流低等...光电技术与系统文选——中国光学学会光电技术专业委员会成立二十周年暨第十一届全国光电技术与系统学术会议论文集[C];2005年...
在国内外学术期刊上发表论文50余篇,授权国家专利9项。主要从事半导体硅化物材料与器件的研究。qqxiao@gzu.edu引用本文:陈豪,肖清泉,谢泉,王坤,史娇娜.近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的结构设计与[J].材料导报,2019,33(20):3358-3362...
鉴于此，综合考虑工艺上对Mg2Si低掺杂的难度杂浓度和提高n型区的掺杂浓度会使光电二极管的耗尽层几乎全部在Mg2Si薄膜层上，从而使产生的光电流与光谱响16-316-3与器件性能，选取1×10cm和5×10cm分别作为Mg2Si层与Si层的掺杂浓度。图n型光电二极
华中科技大学硕士学位论文基于硅光电二极管的荧光检测电路设计姓名：张振请学位级别：硕士专业：生物医学工程指导教师：瞿安连20090520PMT模块用于高灵敏度的光检测存在一定的局限性，而逐渐被体积更小，抗干扰能力更强，性能也更突出的固态光检测器件代替。
Ge/Si波导型雪崩光电二极管研究.王婷.【摘要】：随着外延技术的发展,可用于近红外光探测且能与CMOS工艺集成的Ge/Si波导(Waveguide,WG)雪崩光电二极管(AvalanchePhotodiode,APD)成为了研究热点。.一方面,它利用Ge作为吸收层材料,可以拓展器件的波长探测范围;另一方面...
光电二极管论文二极管论文.pdf.收稿日期：2009-12-20；修订日期：2010-02-15作者简介：石柱（1960-），男，四川成都人，高级工程师，硕士，主要从事近红外光电探测器的研制工作。.Email：hx333666@163红外与激光工程2010LaserEngineeringOct2010中心带雪崩光电二极管...
13华南理T大学硕十学位论文第三章雪崩光电二极管特性研究3．1雪崩光电二极管的特性参数3．1．1量子效率及响应度光子能量大于禁带宽度的光照射到雪崩光电二极管上时将被半导体吸收，每一个被吸收的光子产生一个电子一空穴对。
第91页.本篇论文共91页，点击这进入下载页面。.更多论文.Ge/Si波导型雪崩光电二极管研究.非高斯冲激干扰下基于核方法的自适.低压低噪声CMOS放大器的研究与设计.基于WLANDisplay传输技术的QoS研究.基于循环平稳特征的协作频谱检测算.基于红黑树的RFID标签...
单光子雪崩二极管(SPAD)是一种固态光电探测器，与光电二极管和雪崩光电二极管(APD)属于同一家族，同时也与基本的二极管行为有着根本的联系。SPAD和APD的历史和发展与诸如二极管和早期p-n结…
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