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东南大学硕士学位论文砷化镓PIN二极管工艺研究姓名：杨立杰申请学位级别：硕士专业：电子与信息工程领域指导教师：黄庆安;陈堂胜20070420在大功率发射的电子系统中，为了防止高灵敏接收机前置低噪声放大器（LNA）被发射的泄漏功率烧毁，需要在前置低...
上海交通大学硕士学位论文基于射频CMOS工艺的肖特基二极管建模和特性研究姓名：王楠申请学位级别：硕士专业：微电子与固体电子学指导教师：汪辉20081201上海交通大学工学硕士学位论文摘要随着射频无线通讯产业的快速发展，人们对高性能低成本射频设计方案的需求也在飞速增长。
第10卷第4期Vol.10No.42017年2月February2017沟槽MOS势垒肖特基二极管器件刻蚀工艺优化研究徐晨余*（上海交通大学微电子学院，上海200240）摘要：主要阐述了沟槽MOS势垒肖特基（trenchMOSbarrierSchottky，TMBS）二极
量子点发光二极管的及性能表征之软件工程分析.日期：2019-08-07作者：硕博论文网编辑：vicky点击次数：133.论文价格：免费论文论文编号：sb2019062910294727069论文字数：48854所属栏目：软件工程论文.论文地区：论文语种：其他论文用途：其他.Tag...
PN结二极管工艺流程图.ppt,PN结二极管的主要内容：PN结二极管的（0）准备p-Si1、单晶硅片2、硅片表面的化学清洗PN结二极管的(1)氧化问题：1、为什么要双面氧化？2、氧化层的厚度需要大于设计的厚度，为什么？PN结...
半导体专业实验补充silvaco器件(毕业论文)实验2PN结二极管特性1、实验内容(1)PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等。.(2)结构和参数:PN结穿通二极管的结构如图所示,两端高掺杂,n-为耐压层,低掺杂,具体参数:器件宽度4μm...
本科毕业设计（论文）LED芯片封装设计与制作—LED工艺的研究电子科学与技术（光电子技术、微电子技术方向）年级班别20073107009274学生姓名本文大致可划分为四大部分。
一、低熔点合金电极的非真空工艺及其在量子点发光二极管的应用论文“Laminatedlow-melting-point-alloyelectrodesforvacuum-free-processedquantum-dotlight-emitting-diodes”作为“FeaturedArticle”发表于AppliedPhysicsLetters，研究助理夏丰田为第一作者，陈树明为通讯作者。
论文在理解业界通用I／O电路设计标准以及二极管、MOSFET、SCR等基本ESD防护单元工作原理的基础上，设计了典型工艺下的I／O电路以及ESD防护方案，包括：高压0．5umBipolar－CMOS．DMOS（BCD）工艺下的
量子点作为一种新型的半导体纳米材料,具有发光颜色可调、色纯度高、稳定性好、量子产率高、可溶液等优点,已经被普遍应用到太阳能电池、光电探测器、发光二极管、平板显示、固态照明和生物标记等领域。量子点发光二极管具有可自发光、器件效率高、可全溶液等特
东南大学硕士学位论文砷化镓PIN二极管工艺研究姓名：杨立杰申请学位级别：硕士专业：电子与信息工程领域指导教师：黄庆安;陈堂胜20070420在大功率发射的电子系统中，为了防止高灵敏接收机前置低噪声放大器（LNA）被发射的泄漏功率烧毁，需要在前置低...
上海交通大学硕士学位论文基于射频CMOS工艺的肖特基二极管建模和特性研究姓名：王楠申请学位级别：硕士专业：微电子与固体电子学指导教师：汪辉20081201上海交通大学工学硕士学位论文摘要随着射频无线通讯产业的快速发展，人们对高性能低成本射频设计方案的需求也在飞速增长。
第10卷第4期Vol.10No.42017年2月February2017沟槽MOS势垒肖特基二极管器件刻蚀工艺优化研究徐晨余*（上海交通大学微电子学院，上海200240）摘要：主要阐述了沟槽MOS势垒肖特基（trenchMOSbarrierSchottky，TMBS）二极
量子点发光二极管的及性能表征之软件工程分析.日期：2019-08-07作者：硕博论文网编辑：vicky点击次数：133.论文价格：免费论文论文编号：sb2019062910294727069论文字数：48854所属栏目：软件工程论文.论文地区：论文语种：其他论文用途：其他.Tag...
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一、低熔点合金电极的非真空工艺及其在量子点发光二极管的应用论文“Laminatedlow-melting-point-alloyelectrodesforvacuum-free-processedquantum-dotlight-emitting-diodes”作为“FeaturedArticle”发表于AppliedPhysicsLetters，研究助理夏丰田为第一作者，陈树明为通讯作者。
论文在理解业界通用I／O电路设计标准以及二极管、MOSFET、SCR等基本ESD防护单元工作原理的基础上，设计了典型工艺下的I／O电路以及ESD防护方案，包括：高压0．5umBipolar－CMOS．DMOS（BCD）工艺下的
量子点作为一种新型的半导体纳米材料,具有发光颜色可调、色纯度高、稳定性好、量子产率高、可溶液等优点,已经被普遍应用到太阳能电池、光电探测器、发光二极管、平板显示、固态照明和生物标记等领域。量子点发光二极管具有可自发光、器件效率高、可全溶液等特
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