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第10卷第4期Vol.10No.42017年2月February2017沟槽MOS势垒肖特基二极管器件刻蚀工艺优化研究徐晨余*（上海交通大学微电子学院，上海200240）摘要：主要阐述了沟槽MOS势垒肖特基（trenchMOSbarrierSchottky，TMBS）二极
上海交通大学硕士学位论文基于射频CMOS工艺的肖特基二极管建模和特性研究姓名：王楠申请学位级别：硕士专业：微电子与固体电子学指导教师：汪辉20081201上海交通大学工学硕士学位论文摘要随着射频无线通讯产业的快速发展，人们对高性能低成本射频设计方案的需求也在飞速增长。
东南大学硕士学位论文砷化镓PIN二极管工艺研究姓名：杨立杰申请学位级别：硕士专业：电子与信息工程领域指导教师：黄庆安;陈堂胜20070420在大功率发射的电子系统中，为了防止高灵敏接收机前置低噪声放大器（LNA）被发射的泄漏功率烧毁，需要在前置低...
CMOS图像传感器的失效分析及工艺改进FailureAnalysisProcessOptimizationCMOSImageSensor指导教师：毛陆虹教授企业导师：阎高级工程师天津大学电子信息学院二零一四年十二月独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究...
PN结二极管工艺流程图.ppt,PN结二极管的主要内容：PN结二极管的（0）准备p-Si1、单晶硅片2、硅片表面的化学清洗PN结二极管的(1)氧化问题：1、为什么要双面氧化？2、氧化层的厚度需要大于设计的厚度，为什么？PN结...
本论文致力于研究在CMOS工艺下的高性能ESD防护器件及全芯片防护设计，主要对SCR器件和电源轨间线间的ESD箝位电路进行优化设计，并将改进后的器件应用到某数据接口芯片的全芯片ESD防护网络中。论文主要工作分为两大板块：（1）对常规...
本科毕业设计（论文）LED芯片封装设计与制作—LED工艺的研究电子科学与技术（光电子技术、微电子技术方向）年级班别20073107009274学生姓名本文大致可划分为四大部分。
1、简述稳压二极管，英文名称Zenerdiode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电…
论文在理解业界通用I／O电路设计标准以及二极管、MOSFET、SCR等基本ESD防护单元工作原理的基础上，设计了典型工艺下的I／O电路以及ESD防护方案，包括：高压0．5umBipolar－CMOS．DMOS（BCD）工艺下的
工厂布局规划管理是工厂生产过程组织的一项先行工作。布局合理与否，往往很大程度上事先就决定生产效率的高低。1、工厂布局设计的要求工厂布局的内容包括工厂总体平面布置（解决工厂各个组成部分，包括生产车间…
第10卷第4期Vol.10No.42017年2月February2017沟槽MOS势垒肖特基二极管器件刻蚀工艺优化研究徐晨余*（上海交通大学微电子学院，上海200240）摘要：主要阐述了沟槽MOS势垒肖特基（trenchMOSbarrierSchottky，TMBS）二极
上海交通大学硕士学位论文基于射频CMOS工艺的肖特基二极管建模和特性研究姓名：王楠申请学位级别：硕士专业：微电子与固体电子学指导教师：汪辉20081201上海交通大学工学硕士学位论文摘要随着射频无线通讯产业的快速发展，人们对高性能低成本射频设计方案的需求也在飞速增长。
东南大学硕士学位论文砷化镓PIN二极管工艺研究姓名：杨立杰申请学位级别：硕士专业：电子与信息工程领域指导教师：黄庆安;陈堂胜20070420在大功率发射的电子系统中，为了防止高灵敏接收机前置低噪声放大器（LNA）被发射的泄漏功率烧毁，需要在前置低...
CMOS图像传感器的失效分析及工艺改进FailureAnalysisProcessOptimizationCMOSImageSensor指导教师：毛陆虹教授企业导师：阎高级工程师天津大学电子信息学院二零一四年十二月独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究...
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本论文致力于研究在CMOS工艺下的高性能ESD防护器件及全芯片防护设计，主要对SCR器件和电源轨间线间的ESD箝位电路进行优化设计，并将改进后的器件应用到某数据接口芯片的全芯片ESD防护网络中。论文主要工作分为两大板块：（1）对常规...
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1、简述稳压二极管，英文名称Zenerdiode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电…
论文在理解业界通用I／O电路设计标准以及二极管、MOSFET、SCR等基本ESD防护单元工作原理的基础上，设计了典型工艺下的I／O电路以及ESD防护方案，包括：高压0．5umBipolar－CMOS．DMOS（BCD）工艺下的
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