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高效氮化反应引领了近几年国内外化学及杂原子引入反应的研究。本项目围绕氮化反应发表SCI论文63篇，论文总影响因子590.88，他引总次数4862。其中，6篇代表性论文分别发表在《美国化学会志》、《应用化学》、《化学研
近十年来，周圣军博士在大功率LED芯片制造领域做出了持续性的研究成果，发表SCI、EI收录论文三十多篇，获授权中国发明专利三项。随着氮化镓材料的不断深入研究，基于氮化镓的第三代半导体器件也在飞速的发展，如：高电子迁移率晶体管...
目前的研究主要集中在光催化反应（水制氢、CO2还原、有机物降解），金属超小原子簇和单原子催化剂的；新型氮化碳基光催化材料的绿色，共发表SCI论文6篇，以第一作者在Adv.Mater.,ACSNano,ChineseJ.Catal.上发表论文，其中ESI1%高被引
研究方向：第三代宽禁带半导体氮化铝晶圆工艺研究及其模拟模块开发展开全文5篇SCI论文、4篇中文核心（1篇1区1作封面论文，3篇3区1作「含封面论文」，1篇4区2作）20余项国内外专利（含1项PCT），6项已授权
（影响因子12.1）、ChemicalScience（影响因子9.9）等，其中Chem.Sci.,2018,9,4662-4670与J.Am.Chem.Soc.,2014,136(10),3760-3763被WebofScience选为高被引文章。前沿科研成果：近场驱动浅层载流子捕获促进氮化碳产氢
为了验证氮化硅全陶瓷球轴承具有更高的高速性能，热上升和振动是限制轴承高速移动的两个主要因素。在这份手稿中，在建立轴承力学模型的基础上，建立了所有陶瓷电动主轴轴承的结构模型。通过分析轴承热量的产生来模拟主轴轴承系统的温度场。
Sci.2011,4,3502–35084对工作进行完善、深化5完成文章撰写一个响亮的题目一个创新点就可以，在前言中第一段或第二段开头点出图注（Figurecaption）满足自明性要求结论文章的逻辑，讨论是否到位致谢谢谢大家
氮化镓（GaN）作为典型的第三代宽禁带半导体材料,在光电子器件和电子器件领域具有广泛的应用前景。相比于常用的氮化镓外延用蓝宝石和碳化硅（SiC）衬底,硅衬底更容易实现大尺寸,且具有低成本和良好的导热性与导电性等诸多优势。但由于其与氮化镓薄膜之间存在着较大的晶
东南大学的张袁健教授课题组和南京大学的马海波教授在前期氮化碳非共价修饰共同研究的基础上（J.Am.Chem.Soc.,2017,139,11698，ESI高被引），再次合作，试图从实验和理论计算角度揭示氮化碳溶解的一般性规律。
中国科学家实现铁催化烯烃的不对称碳叠氮化以及双叠氮化。相关研究成果以Iron-CatalyzedEnantioselectiveRadicalCarboazidationandDiazidationofα,β-UnsaturatedCarbonylCompounds为题，于2021年7月23日在线发表于《美国化学会志》。
高效氮化反应引领了近几年国内外化学及杂原子引入反应的研究。本项目围绕氮化反应发表SCI论文63篇，论文总影响因子590.88，他引总次数4862。其中，6篇代表性论文分别发表在《美国化学会志》、《应用化学》、《化学研
近十年来，周圣军博士在大功率LED芯片制造领域做出了持续性的研究成果，发表SCI、EI收录论文三十多篇，获授权中国发明专利三项。随着氮化镓材料的不断深入研究，基于氮化镓的第三代半导体器件也在飞速的发展，如：高电子迁移率晶体管...
目前的研究主要集中在光催化反应（水制氢、CO2还原、有机物降解），金属超小原子簇和单原子催化剂的；新型氮化碳基光催化材料的绿色，共发表SCI论文6篇，以第一作者在Adv.Mater.,ACSNano,ChineseJ.Catal.上发表论文，其中ESI1%高被引
研究方向：第三代宽禁带半导体氮化铝晶圆工艺研究及其模拟模块开发展开全文5篇SCI论文、4篇中文核心（1篇1区1作封面论文，3篇3区1作「含封面论文」，1篇4区2作）20余项国内外专利（含1项PCT），6项已授权
（影响因子12.1）、ChemicalScience（影响因子9.9）等，其中Chem.Sci.,2018,9,4662-4670与J.Am.Chem.Soc.,2014,136(10),3760-3763被WebofScience选为高被引文章。前沿科研成果：近场驱动浅层载流子捕获促进氮化碳产氢
为了验证氮化硅全陶瓷球轴承具有更高的高速性能，热上升和振动是限制轴承高速移动的两个主要因素。在这份手稿中，在建立轴承力学模型的基础上，建立了所有陶瓷电动主轴轴承的结构模型。通过分析轴承热量的产生来模拟主轴轴承系统的温度场。
Sci.2011,4,3502–35084对工作进行完善、深化5完成文章撰写一个响亮的题目一个创新点就可以，在前言中第一段或第二段开头点出图注（Figurecaption）满足自明性要求结论文章的逻辑，讨论是否到位致谢谢谢大家
氮化镓（GaN）作为典型的第三代宽禁带半导体材料,在光电子器件和电子器件领域具有广泛的应用前景。相比于常用的氮化镓外延用蓝宝石和碳化硅（SiC）衬底,硅衬底更容易实现大尺寸,且具有低成本和良好的导热性与导电性等诸多优势。但由于其与氮化镓薄膜之间存在着较大的晶
东南大学的张袁健教授课题组和南京大学的马海波教授在前期氮化碳非共价修饰共同研究的基础上（J.Am.Chem.Soc.,2017,139,11698，ESI高被引），再次合作，试图从实验和理论计算角度揭示氮化碳溶解的一般性规律。
中国科学家实现铁催化烯烃的不对称碳叠氮化以及双叠氮化。相关研究成果以Iron-CatalyzedEnantioselectiveRadicalCarboazidationandDiazidationofα,β-UnsaturatedCarbonylCompounds为题，于2021年7月23日在线发表于《美国化学会志》。
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