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本论文围绕III族氮化物，主要针对InGaN／GaN多量子阱的光学性质以及白光LED器件，展开了材料的生长和器件的研究与探索，得到的主要结论如下：1．利用金属有机物化学气相淀积技术（MOCVD）生长出了高质量InGaN／GaN量子阱结构，该结构室温下光致发光呈红...
GaN基多量子阱纳米结构的及其发光性质研究.【摘要】：近些年来,以GaN为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料成为新的研究热点。.由于Ⅲ族氮化物半导体材料是直接带隙半导体,其带隙从0.7ev(InN)直到AlN(6.2ev),能量覆盖范围从近红外到深紫外,而且Ⅲ族氮化物...
图2.4态到准态跃迁的能带结构示意图大连东软信息学院毕业设计（论文）图2.5B-C模式与B-DB模式能带结构图及暗电流的对比在B-M结构中，图2.6，实质就是利用多量子阱和超晶格相结合，在GaAs阱两次用GaAs/AlGaAs短周期超晶格作为势垒
随着温度升高,GaN带边及量子阱的光致发光均向低能方向移动,但与GaN带边不同,量子阱发光峰值变化并不与通过内插法得到的Varshni经验公式相吻合,而是与InN带边红移趋势一致,分析了导致这种现象的可能因素。还分析了量子阱发光寿命随温度升高而减小的
期刊|GaAs／AlGaAs分子束外延量子阱材料的研究期刊|关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究论文|激光对闪锌矿氮化物量子阱中类氢杂质的影响会议|中国的分子束外延技术发展及其产业化
多量子阱半导体激光器与掺铒光纤激光器的研究.pdf下载后只包含1个PDF格式的文档，没有任何的图纸或源代码，查看文件列表特别说明：文档预览什么样，下载就是什么样。
量子阱原理及应用.docx,光子学原理课程期末论文——量子阱原理及其应用信息科学与技术学院08电子信息工程杨晗23120082203807题目：量子阱原理及其应用作者：杨晗23120082203807摘要：随着半导体量子阱材料的发展,量子阱器件广泛应用于各种...
量子阱半导体激光器的的基本原理及其应用无研01王增美（025310）摘要：本文主要阐述了量子阱及应变量子阱材料的能带结构，以及能态密度和载流子有效质量的变化对激光器阈值电流等参数的影响，简要说明了量子阱激光器中对光场的波导限制。
量子阱和量子点体系中的载流子动力学.pdf,摘要低维半导体材料(量子阱和量子点)的和性质研究，是当前国际上最前沿的研究课题之一。目前，量子阱材料的和器件应用已经趋于成熟;而量子点材料由于其对电子的三维限制，导致了电子态密度呈s函数分布，有可能实现性能更加优异的光电...
半导体超晶格和量子阱2010年11月28日半导体超晶格和量子阱超晶格和量子阱器件参考书:“半导体超晶格物理学”夏建白等，上海科学出版社，1994“半导体超晶格-材料与物理”辽宁大学出版社，1991“半导体异质结物理”虞丽生，科学出版社，20061970年IBM公司江崎(Esaki),朱兆祥(Tsu)NegativeDeferential...
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GaN基多量子阱纳米结构的及其发光性质研究.【摘要】：近些年来,以GaN为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料成为新的研究热点。.由于Ⅲ族氮化物半导体材料是直接带隙半导体,其带隙从0.7ev(InN)直到AlN(6.2ev),能量覆盖范围从近红外到深紫外,而且Ⅲ族氮化物...
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随着温度升高,GaN带边及量子阱的光致发光均向低能方向移动,但与GaN带边不同,量子阱发光峰值变化并不与通过内插法得到的Varshni经验公式相吻合,而是与InN带边红移趋势一致,分析了导致这种现象的可能因素。还分析了量子阱发光寿命随温度升高而减小的
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