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量子阱原理及应用.docx,光子学原理课程期末论文——量子阱原理及其应用信息科学与技术学院08电子信息工程杨晗23120082203807题目：量子阱原理及其应用作者：杨晗23120082203807摘要：随着半导体量子阱材料的发展,量子阱器件广泛应用于各种...
本论文围绕III族氮化物，主要针对InGaN／GaN多量子阱的光学性质以及白光LED器件，展开了材料的生长和器件的研究与探索，得到的主要结论如下：1．利用金属有机物化学气相淀积技术（MOCVD）生长出了高质量InGaN／GaN量子阱结构，该结构室温下光致发光呈红...
本文首先以GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的工作方法以及原理，简要的介绍了量子阱红外探测器材料的发展历史和基本工作原理，分析了量子阱红外探测器的性能参数，结构特点，在此之上提出了与设计的方案，运用相关TCAD的软件进行。.主要使用...
量子阱半导体激光器的的基本原理及其应用无研01王增美（025310）摘要：本文主要阐述了量子阱及应变量子阱材料的能带结构，以及能态密度和载流子有效质量的变化对激光器阈值电流等参数的影响，简要说明了量子阱激光器中对光场的波导限制。
InGaNGaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究,电致发光,电致发光材料,电致发光涂料,电致发光原理,有机电致发光材料,有机电致发光,有机电致发光器件,电致发光显示器,量子点电致发光原理
《量子阱半导体激光器的的基本原理及其应用.doc,半导体器件与工艺课程结课论文学号、专业：1302304006集成电路工程姓名：于政池论文题目：量子阱半导体激光器的的基本原理及应用指导教师：岳宏卫所属学院：信息与通信学院成绩评定教师签名桂林电子科技大学研究生院2014年1...
量子阱和量子点体系中的载流子动力学.pdf,摘要低维半导体材料(量子阱和量子点)的和性质研究，是当前国际上最前沿的研究课题之一。目前，量子阱材料的和器件应用已经趋于成熟;而量子点材料由于其对电子的三维限制，导致了电子态密度呈s函数分布，有可能实现性能更加优异的光电...
量子阱半导体激光器简述.doc,上海大学2016～2017学年秋季学期研究生课程考试（论文）课程名称：半导体材料(SemiconductorMaterials)课程编号：101101911论文题目:量子阱及量子阱半导体激光器简述研究生姓名:陈卓学号:16722180...
2）量子阱红外探测器量子阱红外探测器，采用了“宽”带隙的多量子阱构造，其材料本身的抗辐照性能要大大好于HgCdTe材料。可是在射线等电离辐射的轰击下，量子阱红外探测器的量子阱价带中的电子会吸收这些高能射线后跃迁到导带中，产生出电子-空穴对，即产生了辐照的电离效应。
论文作者签名：日期：力f弘年5月Z－El导师签名：＜呵荡日期：华南师范大学硕士学位论文摘要量子阱周期数变化对InGaN／GaN基蓝光LED结构和光学性质的影响专业名称：微电子学与固体电子学申请者姓名：丁立贞导师姓名：何苗摘要以GaN为代表的III族...
量子阱原理及应用.docx,光子学原理课程期末论文——量子阱原理及其应用信息科学与技术学院08电子信息工程杨晗23120082203807题目：量子阱原理及其应用作者：杨晗23120082203807摘要：随着半导体量子阱材料的发展,量子阱器件广泛应用于各种...
本论文围绕III族氮化物，主要针对InGaN／GaN多量子阱的光学性质以及白光LED器件，展开了材料的生长和器件的研究与探索，得到的主要结论如下：1．利用金属有机物化学气相淀积技术（MOCVD）生长出了高质量InGaN／GaN量子阱结构，该结构室温下光致发光呈红...
本文首先以GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的工作方法以及原理，简要的介绍了量子阱红外探测器材料的发展历史和基本工作原理，分析了量子阱红外探测器的性能参数，结构特点，在此之上提出了与设计的方案，运用相关TCAD的软件进行。.主要使用...
量子阱半导体激光器的的基本原理及其应用无研01王增美（025310）摘要：本文主要阐述了量子阱及应变量子阱材料的能带结构，以及能态密度和载流子有效质量的变化对激光器阈值电流等参数的影响，简要说明了量子阱激光器中对光场的波导限制。
InGaNGaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究,电致发光,电致发光材料,电致发光涂料,电致发光原理,有机电致发光材料,有机电致发光,有机电致发光器件,电致发光显示器,量子点电致发光原理
《量子阱半导体激光器的的基本原理及其应用.doc,半导体器件与工艺课程结课论文学号、专业：1302304006集成电路工程姓名：于政池论文题目：量子阱半导体激光器的的基本原理及应用指导教师：岳宏卫所属学院：信息与通信学院成绩评定教师签名桂林电子科技大学研究生院2014年1...
量子阱和量子点体系中的载流子动力学.pdf,摘要低维半导体材料(量子阱和量子点)的和性质研究，是当前国际上最前沿的研究课题之一。目前，量子阱材料的和器件应用已经趋于成熟;而量子点材料由于其对电子的三维限制，导致了电子态密度呈s函数分布，有可能实现性能更加优异的光电...
量子阱半导体激光器简述.doc,上海大学2016～2017学年秋季学期研究生课程考试（论文）课程名称：半导体材料(SemiconductorMaterials)课程编号：101101911论文题目:量子阱及量子阱半导体激光器简述研究生姓名:陈卓学号:16722180...
2）量子阱红外探测器量子阱红外探测器，采用了“宽”带隙的多量子阱构造，其材料本身的抗辐照性能要大大好于HgCdTe材料。可是在射线等电离辐射的轰击下，量子阱红外探测器的量子阱价带中的电子会吸收这些高能射线后跃迁到导带中，产生出电子-空穴对，即产生了辐照的电离效应。
论文作者签名：日期：力f弘年5月Z－El导师签名：＜呵荡日期：华南师范大学硕士学位论文摘要量子阱周期数变化对InGaN／GaN基蓝光LED结构和光学性质的影响专业名称：微电子学与固体电子学申请者姓名：丁立贞导师姓名：何苗摘要以GaN为代表的III族...
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