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摘要:本文回顾了超晶格概念的提出及材料技术的进展;描述了半导体超晶格,量子阱材料的物理图象和基本特性,及其相关元器件的重要意义;综述了当前半导体超晶格,量子阱材料的研究进展及其应用,包括:(1)异质结构;(2)调制掺杂;(3)渐变带隙及带隙工程;(4)应变层超晶格;(5)新概念及新效应探索。
制造业现场管理论文施工管理论文企业管理论文经济管理论文（1）Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料。高电子迁移率晶体管（HEMT），赝配高电子迁移率晶体管（P－HEM
半导体超晶格与量子阱系指对电子具有一维量子限制作用的多层超薄异质结人工材料,量子微结构泛指对电子具有二维和三维量子约束性质的量子线与量子点介观系统.这类低维体系的研究是近30年来半导体科学技术中,尤其是半导体物理学领域内一个发展最迅速的活跃前沿.它的研究兴起,不仅对信息...
秦国毅;半导体超晶格的带间集体激发[J];半导体学报;1986年05期7舒占永;;人造半导体超晶格和量子阱结构[J];液晶与显示;1986年05期8熊诗杰;调制掺杂非晶半导体超晶格中的瞬变电流(I)——稳恒电场中载流子的运动[J];半导体学报;1987年03期9
文档格式：.ppt文档页数：56页文档大小：2.07M文档热度：文档分类：待分类文档标签：超晶格系统标签：超晶格量子半导体禁带载流子能级
图2.4态到准态跃迁的能带结构示意图大连东软信息学院毕业设计（论文）图2.5B-C模式与B-DB模式能带结构图及暗电流的对比在B-M结构中，图2.6，实质就是利用多量子阱和超晶格相结合，在GaAs阱两次用GaAs/AlGaAs短周期超晶格作为势垒
你心中的超晶格和多重量子阱的区别是什么？.作者MANOWAR.来源:小木虫3507帖子.+关注.你认为所谓超晶格和量子阱的区别是什么？.返回小木虫查看更多.分享至：更多.今日热帖.…
超晶格和量子阱研究中的若干问题,半导体超晶格,空穴子带,掺杂超晶格,阈值电流,量子阱。本文对半导体超晶格和量子阱的特点、研究对象及现状作了评述．着重讨论了在理论上和应用上都有重要意义的三个问题,即量子阱…
本文回顾了超晶格概念的提出及材料技术的进展;描述了半导体超晶格,量子阱材料的物理图象和基本特性,及其相关元器件的重要意义;综述了当前半导体超晶格,量子阱材料的研究进展及其应用,包括:(1)异质结构;(2)调制掺杂;(3)渐变带隙及带隙工程;(4)应变层超晶格;(5)新概念及新效应探索。
广泛的过渡金属二硫族化合物(TMDC)半导体可作为单层(ML)晶体，因此，将每种材料精确地集成到范德瓦尔斯(vdW)超晶格(SLs)中，可以实现具有以前未探索过的功能新结构。在此，来自浦项科技大学的Moon-HoJo等研…
摘要:本文回顾了超晶格概念的提出及材料技术的进展;描述了半导体超晶格,量子阱材料的物理图象和基本特性,及其相关元器件的重要意义;综述了当前半导体超晶格,量子阱材料的研究进展及其应用,包括:(1)异质结构;(2)调制掺杂;(3)渐变带隙及带隙工程;(4)应变层超晶格;(5)新概念及新效应探索。
制造业现场管理论文施工管理论文企业管理论文经济管理论文（1）Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料。高电子迁移率晶体管（HEMT），赝配高电子迁移率晶体管（P－HEM
半导体超晶格与量子阱系指对电子具有一维量子限制作用的多层超薄异质结人工材料,量子微结构泛指对电子具有二维和三维量子约束性质的量子线与量子点介观系统.这类低维体系的研究是近30年来半导体科学技术中,尤其是半导体物理学领域内一个发展最迅速的活跃前沿.它的研究兴起,不仅对信息...
秦国毅;半导体超晶格的带间集体激发[J];半导体学报;1986年05期7舒占永;;人造半导体超晶格和量子阱结构[J];液晶与显示;1986年05期8熊诗杰;调制掺杂非晶半导体超晶格中的瞬变电流(I)——稳恒电场中载流子的运动[J];半导体学报;1987年03期9
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图2.4态到准态跃迁的能带结构示意图大连东软信息学院毕业设计（论文）图2.5B-C模式与B-DB模式能带结构图及暗电流的对比在B-M结构中，图2.6，实质就是利用多量子阱和超晶格相结合，在GaAs阱两次用GaAs/AlGaAs短周期超晶格作为势垒
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本文回顾了超晶格概念的提出及材料技术的进展;描述了半导体超晶格,量子阱材料的物理图象和基本特性,及其相关元器件的重要意义;综述了当前半导体超晶格,量子阱材料的研究进展及其应用,包括:(1)异质结构;(2)调制掺杂;(3)渐变带隙及带隙工程;(4)应变层超晶格;(5)新概念及新效应探索。
广泛的过渡金属二硫族化合物(TMDC)半导体可作为单层(ML)晶体，因此，将每种材料精确地集成到范德瓦尔斯(vdW)超晶格(SLs)中，可以实现具有以前未探索过的功能新结构。在此，来自浦项科技大学的Moon-HoJo等研…
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