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硅基pn结电容的研究及分析.硅基PN结电容的研究及分析万里兮（中国科学院微电子研究所系统封装实验室北京100029）摘要：以硅为基体材料，PN结为基本结构制作的无源器件具有一种电容的特性，进一步利用深硅刻蚀技术，通过在硅基材料上刻蚀深图形以增大...
多晶硅太阳能电池工艺16参考文献单晶硅太阳能电池生产工艺的研究：[硕士学位论文].长沙：湖南大学微纳光电器件及应用教育部重点实验室，2010刘志刚.多晶硅太阳电池新腐蚀液的研究及其应用：[博士学位论文].
上海大学硕士学位论文高压功率集成电路中的LDMOS的设计研究姓名：高海...2．2两种终端技术简介采用平面工艺制作的pn结，由于pn结在表面存在结深的曲率半径，氧化层中的正电荷以及Si—si02界面态的影响，使得pn结表面处的电场增大，pn结击...
化学工程与工艺专业概论的大一结课论文怎么写？我来答首页在问全部问题娱乐休闲游戏旅游教育培训金融财经医疗健康科技家电数码政策法规文化历史时尚美容情感心理汽车...
新型纳米无结场效应晶体管研究.【摘要】：随着传统晶体管特征尺寸进一步缩小,形成超陡源漏pn结要求极高的掺杂浓度梯度以及极低的热预算,这对半导体工艺技术带来很大挑战。.因此无结(JL:Junctionless)晶体管被提出并受到广泛研究。.JL晶体管整个沟道区和源...
P型导电透明二氧化锡薄膜及其PN结的和研究,磁控溅射法,ATO薄膜,P型导电,PN结。透明导电氧化物(TCO)薄膜因为具有在可见光区透明和电阻率低的特性,被广泛的应用在各种光电器件中,如平面液晶显示…
单晶Si太阳能电池工艺与性能分析,计算机辅助设计,硅太阳能电池,pn结,伏安特性。日益成熟的集成电路工艺与器件计算机辅助设计工具有助于缩短半导体工艺和器件的开发周期、降低开发成本,因而越来越被…
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