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PN结的物理特性—实验报告-半导体PN结的物理特性实验报告姓名：陈晨一、引言半导体PN结是电子技术中许多元件的物质基础具有广泛应用，因此半导体PN结的伏安特性是半导体物理...
工作总结温度传感器实验总结报告.pdf10页内容提供方：xina171127大小：769.59KB字数...晶体管PN结和AD590集成温度传感器与电源连接时，正负极不可接错．[4]实验过程中，要避免将油滴到桌面和地面上，并且要小心热油烫伤．[5]用电吹风使用...
[大学物理实验报告23——PN结温度传感器特性1.doc,天津大学物理实验报告姓名：专业：班级：学号：实验日期：实验教室：指导教师：【实验名称】PN结物理特性综合实验【实验目的】1.在室温时，测量PN结电流与电压关系，证明此关系符合...
本论文的主要工作：我们以铌酸锂为主要材料的单片型或者是准单片型集成光路为目标。.对于铌酸锂单片型集成光路,我们通过对铌酸锂载流子的调控寻找到了铌酸锂的p型材料,并通过各种镀膜技术生长了铌酸锂的同质pn结,pn结的I-V曲线测量显示出了良好的整流...
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本论文的主要工作：我们以铌酸锂为主要材料的单片型或者是准单片型集成光路为目标。.对于铌酸锂单片型集成光路,我们通过对铌酸锂载流子的调控寻找到了铌酸锂的p型材料,并通过各种镀膜技术生长了铌酸锂的同质pn结,pn结的I-V曲线测量显示出了良好的整流...
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