发表服务
栅控PN结击穿特性的理论研究及实验分析.赵文雫.【摘要】：本文用实验验证了栅控PN结击穿特性的效应.得到比较完整的实验曲线,并对此进行了分析.通过求介一个特定条件下的二维泊松方程,建立了完美的V_B～V_G特性的理论模型,求得在正栅压区的分析表达式...
分类号密级UDC曲率效应对PN结击穿电压的有效作用（题名和副题名）周贤达（作者姓名）指导教师姓名副教授电子科技大学成都（职务、职称、学位、单位名称及地址）申请学位级别硕士专业名称微电子学与固体电子学论文提交日期2008.4论文答辩日期2008.5学位授予单位和日期电子科…
[精华]突变pn结的击穿电压,pn结击穿,击穿电压,空气击穿电压,反向击穿电压,雪崩击穿电压,电压击穿试验仪,二极管反向击穿电压,电容电压不能突变,雪崩击穿
第8卷第18期2015年9月中国科技论文在线精品论文1908能使Emax达到Ec值，或满足条件I=1，因此击穿电压就会提高。2.2碰撞电离积分与外加电压的关系与结果在PN结中，随着外加电压提高，碰撞电离率积分也逐渐变大，二者存在一定的数值关系。
半导体专业实验补充silvaco器件(毕业论文)实验2PN结二极管特性1、实验内容(1)PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等。.(2)结构和参数:PN结穿通二极管的结构如图所示,两端高掺杂,n-为耐压层,低掺杂,具体参数:器件宽度4μm...
半导体专业实验补充silvaco器件(毕业论文).doc,实验2PN结二极管特性1、实验内容（1）PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等。（2）结构和参数：PN结穿通二极管的结构如图1所示，两端高掺杂，n-为耐压层，低...
项目场景：根据一篇博士论文复现一下，平行平面结的雪崩击穿过程，并且验证自己的正确性以及可靠性。问题描述：根据论文描述的模型搭建相似数据以及模型进行对比实验结果，得到一些出入。首先介绍一下碰撞电离模型：chynoweth模型更新了雪崩击穿条件，使得模型更加精确。
【摘要】：PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,其雪崩击穿电压直接决定了相关器件的工作电压范围。在实际制造中PN结的结面不是理想的平面,一般认为结面的曲率效应将导致结的击穿电压低于同等条件下的平行平面结,以此为基础发展出了一系列降低或消除曲率效应的结终端技术如场板、场...
对于厚外延层，两个PN结势垒区相互作用只限于上海大学工学硕士论文图2．3RESURF二极管垂直PN结的底部，相互作用基本上可以忽略，当所加电压足够高时，接近器件表面的PN结首先达到击穿的临界电场而发生表面击穿（由于PN结表面的曲率
硕士论文开题报告—《曲率效应对PN结击穿电压的有效作用》摘要第1-5页ABSTRACT第5-9页第一章绪论第9-19页·课题背景第9页·PN结的击穿
栅控PN结击穿特性的理论研究及实验分析.赵文雫.【摘要】：本文用实验验证了栅控PN结击穿特性的效应.得到比较完整的实验曲线,并对此进行了分析.通过求介一个特定条件下的二维泊松方程,建立了完美的V_B～V_G特性的理论模型,求得在正栅压区的分析表达式...
分类号密级UDC曲率效应对PN结击穿电压的有效作用（题名和副题名）周贤达（作者姓名）指导教师姓名副教授电子科技大学成都（职务、职称、学位、单位名称及地址）申请学位级别硕士专业名称微电子学与固体电子学论文提交日期2008.4论文答辩日期2008.5学位授予单位和日期电子科…
[精华]突变pn结的击穿电压,pn结击穿,击穿电压,空气击穿电压,反向击穿电压,雪崩击穿电压,电压击穿试验仪,二极管反向击穿电压,电容电压不能突变,雪崩击穿
第8卷第18期2015年9月中国科技论文在线精品论文1908能使Emax达到Ec值，或满足条件I=1，因此击穿电压就会提高。2.2碰撞电离积分与外加电压的关系与结果在PN结中，随着外加电压提高，碰撞电离率积分也逐渐变大，二者存在一定的数值关系。
半导体专业实验补充silvaco器件(毕业论文)实验2PN结二极管特性1、实验内容(1)PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等。.(2)结构和参数:PN结穿通二极管的结构如图所示,两端高掺杂,n-为耐压层,低掺杂,具体参数:器件宽度4μm...
半导体专业实验补充silvaco器件(毕业论文).doc,实验2PN结二极管特性1、实验内容（1）PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等。（2）结构和参数：PN结穿通二极管的结构如图1所示，两端高掺杂，n-为耐压层，低...
项目场景：根据一篇博士论文复现一下，平行平面结的雪崩击穿过程，并且验证自己的正确性以及可靠性。问题描述：根据论文描述的模型搭建相似数据以及模型进行对比实验结果，得到一些出入。首先介绍一下碰撞电离模型：chynoweth模型更新了雪崩击穿条件，使得模型更加精确。
【摘要】：PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,其雪崩击穿电压直接决定了相关器件的工作电压范围。在实际制造中PN结的结面不是理想的平面,一般认为结面的曲率效应将导致结的击穿电压低于同等条件下的平行平面结,以此为基础发展出了一系列降低或消除曲率效应的结终端技术如场板、场...
对于厚外延层，两个PN结势垒区相互作用只限于上海大学工学硕士论文图2．3RESURF二极管垂直PN结的底部，相互作用基本上可以忽略，当所加电压足够高时，接近器件表面的PN结首先达到击穿的临界电场而发生表面击穿（由于PN结表面的曲率
硕士论文开题报告—《曲率效应对PN结击穿电压的有效作用》摘要第1-5页ABSTRACT第5-9页第一章绪论第9-19页·课题背景第9页·PN结的击穿
发表服务