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分类号密级UDCMOS控制的晶闸管(MCT)的与研究（题名和副题名）（作者姓名）指导教师陈星弼教授电子科技大学（姓名、职称、单位名称）申请学位级别硕士专业学位类别工程领域名称集成电路工程提交论文日期2016.3.18论文答辩日期...
MOS控制的晶闸管（MCT）的与研究.【摘要】：文章介绍了电力电子技术和功率半导体器件的发展,列举了三代功率半导体器件中典型的器件和各自的特点,并对比了它们之间的区别。.大致介绍了晶闸管、GTO以及MCT,对国内外MCT的研究状况和发展态势做了一个...
MOS控制晶闸管的电路应用特性,fi葛.,一一MOS控制晶闸管的电路应用特性[美]ThomasM.JabnS摘要:MOS控制晶闸管(MCT)是一种结合了再生式层晶闸管和MOSf-j极结构特点以提供可控制的开通与关断功能的新型功率开关器件.本文通过将注意力...
MOS控制晶闸管的位移损伤机理与加固关键技术研究.李磊.【摘要】：金属-氧化物-半导体场效应晶体管控制晶闸管(Metal-oxide-semiconductorControlledThrysitor,MCT)是一种硅基高压器件,具有触发延迟小、导通阻抗低、电流上升速率快等优点,常用作箔器的触发...
张鹤鸣,戴显英,林大松,王伟,解勇;MOS控制晶闸管的最大可关断电流[J];西安电子科技大学学报;2000年02期19董尧德,蒋继红,吴益中,金国通,滕星范;硅平面大功率晶体管D402、D10管芯失效机理分析[J];半导体技…
MOS控制晶闸管是一个电压控制器，晶闸管是完全可控的晶闸管。MOS控制晶闸管的操作与GTO晶闸管非常相似，但是它具有电压控制绝缘的栅极。它具有两个用于导通和关断的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并且在等效电路中具有相反的导电率。
MOS控制晶闸管(MCT)的特性、驱动及应用.pdf.9页.内容提供方：xy88118.大小：8.51MB.字数：约小于1千字.发布时间：2018-03-08.浏览人气：42.下载次数：仅上传者可见.收藏次数…
IGBT和MCT都是MOS栅极控制的功率场效应晶体管，为什么说它们是两种完全不同的器件？【答】IGBT（绝缘栅双极型场效应晶体管）和MCT（MOS控制晶闸管）的共同点主要有：①都是MOS栅极控制的器件，则具有功率场效应…
博士论文开题报告—《MOS控制晶闸管的位移损伤机理与加固关键技术研究》摘要第1-7页abstract第7-14页第一章绪论第14-40页1.1研究工作的背景与意义
MCT：MOS控制晶闸管MCT(MOS-ControlledThyristor)是一种新型MOS与双极复合型器件。它采用集成电路工艺，在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件，通过MOS器件的通断来控制晶闸管的导通与关断。MCT既具有晶闸管良好的关断和导通特性，又具备MOS...
分类号密级UDCMOS控制的晶闸管(MCT)的与研究（题名和副题名）（作者姓名）指导教师陈星弼教授电子科技大学（姓名、职称、单位名称）申请学位级别硕士专业学位类别工程领域名称集成电路工程提交论文日期2016.3.18论文答辩日期...
MOS控制的晶闸管（MCT）的与研究.【摘要】：文章介绍了电力电子技术和功率半导体器件的发展,列举了三代功率半导体器件中典型的器件和各自的特点,并对比了它们之间的区别。.大致介绍了晶闸管、GTO以及MCT,对国内外MCT的研究状况和发展态势做了一个...
MOS控制晶闸管的电路应用特性,fi葛.,一一MOS控制晶闸管的电路应用特性[美]ThomasM.JabnS摘要:MOS控制晶闸管(MCT)是一种结合了再生式层晶闸管和MOSf-j极结构特点以提供可控制的开通与关断功能的新型功率开关器件.本文通过将注意力...
MOS控制晶闸管的位移损伤机理与加固关键技术研究.李磊.【摘要】：金属-氧化物-半导体场效应晶体管控制晶闸管(Metal-oxide-semiconductorControlledThrysitor,MCT)是一种硅基高压器件,具有触发延迟小、导通阻抗低、电流上升速率快等优点,常用作箔器的触发...
张鹤鸣,戴显英,林大松,王伟,解勇;MOS控制晶闸管的最大可关断电流[J];西安电子科技大学学报;2000年02期19董尧德,蒋继红,吴益中,金国通,滕星范;硅平面大功率晶体管D402、D10管芯失效机理分析[J];半导体技…
MOS控制晶闸管是一个电压控制器，晶闸管是完全可控的晶闸管。MOS控制晶闸管的操作与GTO晶闸管非常相似，但是它具有电压控制绝缘的栅极。它具有两个用于导通和关断的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并且在等效电路中具有相反的导电率。
MOS控制晶闸管(MCT)的特性、驱动及应用.pdf.9页.内容提供方：xy88118.大小：8.51MB.字数：约小于1千字.发布时间：2018-03-08.浏览人气：42.下载次数：仅上传者可见.收藏次数…
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博士论文开题报告—《MOS控制晶闸管的位移损伤机理与加固关键技术研究》摘要第1-7页abstract第7-14页第一章绪论第14-40页1.1研究工作的背景与意义
MCT：MOS控制晶闸管MCT(MOS-ControlledThyristor)是一种新型MOS与双极复合型器件。它采用集成电路工艺，在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件，通过MOS器件的通断来控制晶闸管的导通与关断。MCT既具有晶闸管良好的关断和导通特性，又具备MOS...
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