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VMOS功率场效应晶体管的制造工艺.科技信息专题论述VMOS功率场效应晶傩管响制造工艺西安卫光科技有限公司姚勤泽VMOS功率场效应晶体管有两种结构，一种是VMOS功率场效应V晶体管，另一种是VDMOS功率场效应晶体管。.MOVVS结构是美国雷达...
功率场效应晶体管（MOSFET）的可制造性设计.【摘要】：半导体功率器件是电力电子领域的重要元器件,是实现强电与弱电之间接口的桥梁。.在开关电源、变频、显示、节能降耗及生态与环境保护等方面均有广阔的应用前景。.半导体功率器件是为解决电子领域...
MOS集成电路可以在24V电压下正常工作基本原理及制造工艺对于一个MOS晶体管,可以用适当加大晶体管的沟道长度,增加栅氧化层的厚度以及在漏区形成轻掺杂的漂移区MOS集成电路中,门与门之间的隔离是由要由场区的掺杂浓度来决定。
本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014青岛大学毕业论文(设计)任务书学生姓名:同组学生:指导教师:下发日期:2014MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研摘要：本文主要介绍了...
集成电路工艺中PowerMOS失效模式及改善方法研究.乔春羽.【摘要】：本论文首先对PowerMOS（功率场效应晶体管）的市场需求，发展历史做了简单介绍。.并简单介绍了它的工作机制。.并对它的制造工艺进行了逐步介绍。.阐述了整个晶圆,从外延制作完成后到...
MOS晶体管失配模型研究及应用.2009年11COMPUTERVol.2611November2009收稿日期:2008-11-03基金项目:国家自然科学基金项目(10876029)MOS晶体管失配模型研究及应用西南交通大学微电子研究所,四川成都610031)采用0.18mCMOS工艺,研究在模拟集成电路中MOS管的失配...
硅NPN平面晶体管工艺参数设计及管芯制造作者：第一组田野0442023050指导老师：袁要：对给定放大倍数为50、击穿电压我50-80V的NPN型晶体管的设计，制造。.由于是给定的型衬底，击穿电压主要由浓度低的一端决定，所以，这里的击穿电压是基本确定了的，不...
作者利用该模型对文献中不同工艺的单层MoS2晶体管数据（迁移率随温度／载流子浓度的变化）进行了分析，定量提取了带电杂质、电荷浓度等重要微观参数，首次实现了各种结构晶体管的横向对比。分析表明，制作顶栅晶体管可以显著...
沟槽MOSFET中掺杂工艺的应用和优化.邓建宁.【摘要】：沟槽功率MOSFET作为在VDMOS基础上发展起来的一种新型功率MOS器件,拥有更低的导通电阻、低栅极电荷密度,从而有更低的导通和开关损耗及快的开关速度,已经在工业领域得到广泛应用。.掺杂工艺是调整器件...
简化小尺寸MOS晶体管SPICE模型关键参数的研究.谢翠琴.【摘要】：集成电路经历了由小规模、中规模、大规模到目前超大规模集成电路的发展,电路集成度的不断提高,主要源于半导体器件的尺寸持续缩小及生产工艺的不断进步。.随着集成电路规模的扩大以及...
VMOS功率场效应晶体管的制造工艺.科技信息专题论述VMOS功率场效应晶傩管响制造工艺西安卫光科技有限公司姚勤泽VMOS功率场效应晶体管有两种结构，一种是VMOS功率场效应V晶体管，另一种是VDMOS功率场效应晶体管。.MOVVS结构是美国雷达...
功率场效应晶体管（MOSFET）的可制造性设计.【摘要】：半导体功率器件是电力电子领域的重要元器件,是实现强电与弱电之间接口的桥梁。.在开关电源、变频、显示、节能降耗及生态与环境保护等方面均有广阔的应用前景。.半导体功率器件是为解决电子领域...
MOS集成电路可以在24V电压下正常工作基本原理及制造工艺对于一个MOS晶体管,可以用适当加大晶体管的沟道长度,增加栅氧化层的厚度以及在漏区形成轻掺杂的漂移区MOS集成电路中,门与门之间的隔离是由要由场区的掺杂浓度来决定。
本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014青岛大学毕业论文(设计)任务书学生姓名:同组学生:指导教师:下发日期:2014MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研摘要：本文主要介绍了...
集成电路工艺中PowerMOS失效模式及改善方法研究.乔春羽.【摘要】：本论文首先对PowerMOS（功率场效应晶体管）的市场需求，发展历史做了简单介绍。.并简单介绍了它的工作机制。.并对它的制造工艺进行了逐步介绍。.阐述了整个晶圆,从外延制作完成后到...
MOS晶体管失配模型研究及应用.2009年11COMPUTERVol.2611November2009收稿日期:2008-11-03基金项目:国家自然科学基金项目(10876029)MOS晶体管失配模型研究及应用西南交通大学微电子研究所,四川成都610031)采用0.18mCMOS工艺,研究在模拟集成电路中MOS管的失配...
硅NPN平面晶体管工艺参数设计及管芯制造作者：第一组田野0442023050指导老师：袁要：对给定放大倍数为50、击穿电压我50-80V的NPN型晶体管的设计，制造。.由于是给定的型衬底，击穿电压主要由浓度低的一端决定，所以，这里的击穿电压是基本确定了的，不...
作者利用该模型对文献中不同工艺的单层MoS2晶体管数据（迁移率随温度／载流子浓度的变化）进行了分析，定量提取了带电杂质、电荷浓度等重要微观参数，首次实现了各种结构晶体管的横向对比。分析表明，制作顶栅晶体管可以显著...
沟槽MOSFET中掺杂工艺的应用和优化.邓建宁.【摘要】：沟槽功率MOSFET作为在VDMOS基础上发展起来的一种新型功率MOS器件,拥有更低的导通电阻、低栅极电荷密度,从而有更低的导通和开关损耗及快的开关速度,已经在工业领域得到广泛应用。.掺杂工艺是调整器件...
简化小尺寸MOS晶体管SPICE模型关键参数的研究.谢翠琴.【摘要】：集成电路经历了由小规模、中规模、大规模到目前超大规模集成电路的发展,电路集成度的不断提高,主要源于半导体器件的尺寸持续缩小及生产工艺的不断进步。.随着集成电路规模的扩大以及...
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