发表服务
本文关键词：铁电与铁基超导薄膜的MBE生长与STM研究，，由笔耕文化传播整理发布。【摘要】：纳米厚度薄膜常常展示不同于体材料的特异性质,其可控和精确表征对相关的基础研究和应用探索非常关键。在本论文中,我们利用分子束外延技术生长了Pb1-xSnxTe(001)铁电薄膜和LiFeAs(001)超…
铁电与铁基超导薄膜的MBE生长与STM研究.常凯.【摘要】：纳米厚度薄膜常常展示不同于体材料的特异性质,其可控和精确表征对相关的基础研究和应用探索非常关键。.在本论文中,我们利用分子束外延技术生长了Pb1-xSnxTe(001)铁电薄膜和LiFeAs(001)超导薄膜...
GaN薄膜蓝宝石铌酸锂LMBE-RHEED异质外延生长收藏本站首页期刊全文库学位论文库会议论文库年鉴全文库...本论文采用激光分子束外延(L-MBE)设备,首先在蓝宝石衬底上进行了GaN薄膜的生长研究,详细分析了大失配体系下GaN薄膜的异质外延生长...
本论文基于等离子辅助MBE技术,重点围绕InN薄膜材料的外延生长以及InN与NiO组合异质结器件两方面进行研究,具体内容如下:1.采用等离子辅助MBE技术在Al_2O_3衬底上了InN薄膜材料。.研究了衬底氮化对外延生长InN薄膜特性的影响,实验结果表明在InN薄膜的外延...
(2)利用MBE方法,在超导衬底2H-NbSe_2单晶上了原子级平整、大面积的高质量Bi(111)薄膜。对Bi(111)薄膜边缘结构和局域电子态的研究发现,Bi(111)薄膜的台阶存在两种无磁性的边缘结构,分别是Zigzag边界和2×1重构边界。
MBE薄膜厚度的X射线反射法测量.【摘要】：利用分子束外延技术(MBE)生长Bi系氧化物高温超导体已经被很多研究人员研究并发展。.高质量Bi系超导薄膜,精确控制Bi、Sr、Ca、Cu的比例是很重要的。.目前,确定物质成分比的方法很多,如原子吸收光谱(AAS...
本论文首先采用RF-MBE技术在Si衬底和GaN衬底上进行了InN材料的外延生长，研究了In源温度和N2流量对InN材料性质的影响，分析了不同温度的成核层及主外延层对InN材料性能的影响，得到了优化的生长条件；在c面蓝宝石衬底上初步分析了两步法及三步法外延生长对InN...
咱作为专业做分子束外延（MBE）的博士生，来回答一下(๑╹∀╹๑)分子束外延（MBE）是通过加热固体材料源…更新一下，现在在氧化物衬底上长一些磁性或拓扑材料，经过半年多的摸索，应该算是世界上第一次在氧化物上外延出了我想做的那个材料，有震荡峰，取向很好。
学术论文：PLD方法沉积ZnO薄膜及其光电性能研究.氧化锌（ZnO）是新一代的II一族宽带半导体材料，具有纤锌矿晶体结构，禁带宽度为3．37eV，激子能为60meV，可以实现室温下的受激发射。.ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、压敏性，并且易于...
制膜技术没什么高深的，这个本身没有什么创新了。重要的是制什么膜？用什么速度去制？做不做超晶格？这些都取决于以后的发展。个人认为，MBE是一种优良的实验室薄膜外延技术，可以通过使用这种设备训练科研能力，但是它并不能决定未来的工作前景，
本文关键词：铁电与铁基超导薄膜的MBE生长与STM研究，，由笔耕文化传播整理发布。【摘要】：纳米厚度薄膜常常展示不同于体材料的特异性质,其可控和精确表征对相关的基础研究和应用探索非常关键。在本论文中,我们利用分子束外延技术生长了Pb1-xSnxTe(001)铁电薄膜和LiFeAs(001)超…
铁电与铁基超导薄膜的MBE生长与STM研究.常凯.【摘要】：纳米厚度薄膜常常展示不同于体材料的特异性质,其可控和精确表征对相关的基础研究和应用探索非常关键。.在本论文中,我们利用分子束外延技术生长了Pb1-xSnxTe(001)铁电薄膜和LiFeAs(001)超导薄膜...
GaN薄膜蓝宝石铌酸锂LMBE-RHEED异质外延生长收藏本站首页期刊全文库学位论文库会议论文库年鉴全文库...本论文采用激光分子束外延(L-MBE)设备,首先在蓝宝石衬底上进行了GaN薄膜的生长研究,详细分析了大失配体系下GaN薄膜的异质外延生长...
本论文基于等离子辅助MBE技术,重点围绕InN薄膜材料的外延生长以及InN与NiO组合异质结器件两方面进行研究,具体内容如下:1.采用等离子辅助MBE技术在Al_2O_3衬底上了InN薄膜材料。.研究了衬底氮化对外延生长InN薄膜特性的影响,实验结果表明在InN薄膜的外延...
(2)利用MBE方法,在超导衬底2H-NbSe_2单晶上了原子级平整、大面积的高质量Bi(111)薄膜。对Bi(111)薄膜边缘结构和局域电子态的研究发现,Bi(111)薄膜的台阶存在两种无磁性的边缘结构,分别是Zigzag边界和2×1重构边界。
MBE薄膜厚度的X射线反射法测量.【摘要】：利用分子束外延技术(MBE)生长Bi系氧化物高温超导体已经被很多研究人员研究并发展。.高质量Bi系超导薄膜,精确控制Bi、Sr、Ca、Cu的比例是很重要的。.目前,确定物质成分比的方法很多,如原子吸收光谱(AAS...
本论文首先采用RF-MBE技术在Si衬底和GaN衬底上进行了InN材料的外延生长，研究了In源温度和N2流量对InN材料性质的影响，分析了不同温度的成核层及主外延层对InN材料性能的影响，得到了优化的生长条件；在c面蓝宝石衬底上初步分析了两步法及三步法外延生长对InN...
咱作为专业做分子束外延（MBE）的博士生，来回答一下(๑╹∀╹๑)分子束外延（MBE）是通过加热固体材料源…更新一下，现在在氧化物衬底上长一些磁性或拓扑材料，经过半年多的摸索，应该算是世界上第一次在氧化物上外延出了我想做的那个材料，有震荡峰，取向很好。
学术论文：PLD方法沉积ZnO薄膜及其光电性能研究.氧化锌（ZnO）是新一代的II一族宽带半导体材料，具有纤锌矿晶体结构，禁带宽度为3．37eV，激子能为60meV，可以实现室温下的受激发射。.ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、压敏性，并且易于...
制膜技术没什么高深的，这个本身没有什么创新了。重要的是制什么膜？用什么速度去制？做不做超晶格？这些都取决于以后的发展。个人认为，MBE是一种优良的实验室薄膜外延技术，可以通过使用这种设备训练科研能力，但是它并不能决定未来的工作前景，
发表服务