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ITO靶材及烧结机理研究.彭祥.【摘要】：氧化铟锡(ITO)薄膜被广泛应用在平板显示器及其他的元器件上。.ITO薄膜主要是通过使用ITO靶材利用磁控溅射法得到。.基于此,具备优异性能ITO靶材的是具有重要意义的。.本文对ITO的结构,ITO薄膜、ITO靶材及...
武汉理工大学硕士学位论文ITO靶材的及其性能研究姓名：郭伟申请学位级别：硕士专业：复合材料学指导教师：王为民20090501武汉理工大学硕士学位论文摘要ITO铟锡氧化物（IndiumTinOxide）薄膜是一种n型半导体陶瓷薄膜，具有导电性好（电阻率10地．cm），对可见光透明（透过…
摘要：.概述了ITO靶材的应用范围和日益增大的市场需求;对ITO靶材的技术和工艺进行了探讨,对ITO薄膜的特性进行了描述;并讨论了ITO靶材所面临的技术问题及发展趋势.展开.关键词：.ITO靶材透明…
华中科技大学博士学位论文铟锡氧化物（ITO）粉体及高性能ITO靶材的与研究姓名：陈曙光申请学位级别：博士专业：材料学指导教师：熊惟皓;李晨辉20050507本论文以热等静压铟锡氧化物ITO靶材的工艺流程为主线借助热分射线衍射XRD透射电镜TEM扫描电镜SEM量分散谱EDS等…
本论文以烧结法ITO靶材的工艺流程为主线,系统地研究ITO粉的前处理、ITO素坯及ITO靶材的工艺,采用SEM、XRD、固体密度计、差热分析仪等手段对造粒后粉体性能、素坯和靶材密度、微观结构及物相进行分析。.成功地出致密度大于99.5%,电阻率低、外形...
中国科学院机构知识库网格.针对一种进口和国产的ITO靶材,用AES(SEM、SAM)、XPS、UPS和XRD进行了比较研究,通过研究发现两种样品的差别,为提高国产靶材的质量,提供一些改进意见。.张滨,孙玉珍,王文皓.两种ITO靶材的比较研究[J].物理测试,2009(1):17-21.张滨,孙玉珍...
高密度ITO靶材的成形工艺及理论分析.马晓波钟景明孙本双陈焕铭王东新.【摘要】：对高端薄膜所用高密度ITO靶材的主要成形、烧结工艺如等静压成形、粉浆浇注成形、热压成形、压实成形进行了阐述。.分析了其各自的成形原理、优缺点及发展现状...
广州市尤特新材料有限公司ITO靶材扩建项目环境影响报告书总论2.1编制依据2.1.1国家法律、法规及政策（1）《中华人民共和国环境保》（2014月24日修订通过，自2015日起施行）；（2）《中华人民共和国环境影响评价法》，2018年12月29日
ITO的全称是氧化铟锡，是由不同比例的铟、锡和氧组成的。ITO和ITO溅射靶的物质是一样的，后者实际上是氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合形成的黑灰色陶瓷半导体。ITO溅射靶材的制作方法目前，ITO靶材的成型方法主要有四种，每种方法在具体应用中各有优势。
ITO靶材在溅射过程中结瘤行为的研究.姚吉升唐三川陈坚王玺周友元黄军武.【摘要】：本文报导了ITO靶材溅射时,靶材表面的时效变化和靶材表面结瘤物的组成及其微结构;探讨了结瘤物生成的原因和减缓瘤子生成的方法,对改善ITO膜质有较好的参考价值...
ITO靶材及烧结机理研究.彭祥.【摘要】：氧化铟锡(ITO)薄膜被广泛应用在平板显示器及其他的元器件上。.ITO薄膜主要是通过使用ITO靶材利用磁控溅射法得到。.基于此,具备优异性能ITO靶材的是具有重要意义的。.本文对ITO的结构,ITO薄膜、ITO靶材及...
武汉理工大学硕士学位论文ITO靶材的及其性能研究姓名：郭伟申请学位级别：硕士专业：复合材料学指导教师：王为民20090501武汉理工大学硕士学位论文摘要ITO铟锡氧化物（IndiumTinOxide）薄膜是一种n型半导体陶瓷薄膜，具有导电性好（电阻率10地．cm），对可见光透明（透过…
摘要：.概述了ITO靶材的应用范围和日益增大的市场需求;对ITO靶材的技术和工艺进行了探讨,对ITO薄膜的特性进行了描述;并讨论了ITO靶材所面临的技术问题及发展趋势.展开.关键词：.ITO靶材透明…
华中科技大学博士学位论文铟锡氧化物（ITO）粉体及高性能ITO靶材的与研究姓名：陈曙光申请学位级别：博士专业：材料学指导教师：熊惟皓;李晨辉20050507本论文以热等静压铟锡氧化物ITO靶材的工艺流程为主线借助热分射线衍射XRD透射电镜TEM扫描电镜SEM量分散谱EDS等…
本论文以烧结法ITO靶材的工艺流程为主线,系统地研究ITO粉的前处理、ITO素坯及ITO靶材的工艺,采用SEM、XRD、固体密度计、差热分析仪等手段对造粒后粉体性能、素坯和靶材密度、微观结构及物相进行分析。.成功地出致密度大于99.5%,电阻率低、外形...
中国科学院机构知识库网格.针对一种进口和国产的ITO靶材,用AES(SEM、SAM)、XPS、UPS和XRD进行了比较研究,通过研究发现两种样品的差别,为提高国产靶材的质量,提供一些改进意见。.张滨,孙玉珍,王文皓.两种ITO靶材的比较研究[J].物理测试,2009(1):17-21.张滨,孙玉珍...
高密度ITO靶材的成形工艺及理论分析.马晓波钟景明孙本双陈焕铭王东新.【摘要】：对高端薄膜所用高密度ITO靶材的主要成形、烧结工艺如等静压成形、粉浆浇注成形、热压成形、压实成形进行了阐述。.分析了其各自的成形原理、优缺点及发展现状...
广州市尤特新材料有限公司ITO靶材扩建项目环境影响报告书总论2.1编制依据2.1.1国家法律、法规及政策（1）《中华人民共和国环境保》（2014月24日修订通过，自2015日起施行）；（2）《中华人民共和国环境影响评价法》，2018年12月29日
ITO的全称是氧化铟锡，是由不同比例的铟、锡和氧组成的。ITO和ITO溅射靶的物质是一样的，后者实际上是氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合形成的黑灰色陶瓷半导体。ITO溅射靶材的制作方法目前，ITO靶材的成型方法主要有四种，每种方法在具体应用中各有优势。
ITO靶材在溅射过程中结瘤行为的研究.姚吉升唐三川陈坚王玺周友元黄军武.【摘要】：本文报导了ITO靶材溅射时,靶材表面的时效变化和靶材表面结瘤物的组成及其微结构;探讨了结瘤物生成的原因和减缓瘤子生成的方法,对改善ITO膜质有较好的参考价值...
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