武汉理工大学硕士学位论文ITO靶材的及其性能研究姓名:郭伟申请学位级别:硕士专业:复合材料学指导教师:王为民20090501武汉理工大学硕士学位论文摘要ITO铟锡氧化物(IndiumTinOxide)薄膜是一种n型半导体陶瓷薄膜,具有导电性好(电阻率10地.cm),对可见光透明(透过…
ITO靶材及烧结机理研究.彭祥.【摘要】:氧化铟锡(ITO)薄膜被广泛应用在平板显示器及其他的元器件上。.ITO薄膜主要是通过使用ITO靶材利用磁控溅射法得到。.基于此,具备优异性能ITO靶材的是具有重要意义的。.本文对ITO的结构,ITO薄膜、ITO靶材及...
华中科技大学博士学位论文铟锡氧化物(ITO)粉体及高性能ITO靶材的与研究姓名:陈曙光申请学位级别:博士专业:材料学指导教师:熊惟皓;李晨辉20050507本论文以热等静压铟锡氧化物ITO靶材的工艺流程为主线借助热分射线衍射XRD透射电镜TEM扫描电镜SEM量分散谱EDS等…
摘要:.概述了ITO靶材的应用范围和日益增大的市场需求;对ITO靶材的技术和工艺进行了探讨,对ITO薄膜的特性进行了描述;并讨论了ITO靶材所面临的技术问题及发展趋势.展开.关键词:.ITO靶材透明…
本论文以热等静压铟锡氧化物ITO靶材的工艺流程为主线借助热分射线衍射XRD透射电镜TEM扫描电镜SEM量分散谱EDS等分析手段系统地研究了球形和针状ITO粉末的以及热等静压ITO靶材的相关工艺成功地了外形规整的密度...
本论文以烧结法ITO靶材的工艺流程为主线,系统地研究ITO粉的前处理、ITO素坯及ITO靶材的工艺,采用SEM、XRD、固体密度计、差热分析仪等手段对造粒后粉体性能、素坯和靶材密度、微观结构及物相进行分析。.成功地出致密度大于99.5%,电阻率低、外形...
高密度ITO靶材的成形工艺及理论分析.马晓波钟景明孙本双陈焕铭王东新.【摘要】:对高端薄膜所用高密度ITO靶材的主要成形、烧结工艺如等静压成形、粉浆浇注成形、热压成形、压实成形进行了阐述。.分析了其各自的成形原理、优缺点及发展现状...
注浆成形法ITO靶材的工艺研究.张明杰.【摘要】:本论文以浆料→注浆成形→低温热脱脂→氧气气氛烧结工艺流程为研究路线,系统地研究影响注浆成形前浆料的、ITO初坯的及以气氛烧结初坯得到ITO靶材的因素。.论文采用粘度计、固体密度计...
基于ITO纳米晶的透明导电薄膜.【摘要】:锡掺杂氧化铟(ITO)是一种宽禁带、高掺杂的简并半导体材料。.因其具有高可见光透过率、高电导率,是目前应用最广泛的透明导电材料。.传统的磁控溅射的ITO薄膜不仅需要高真空等极端条件和复杂设备的支持,而且...
ITO的全称是氧化铟锡,是由不同比例的铟、锡和氧组成的。ITO和ITO溅射靶的物质是一样的,后者实际上是氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合形成的黑灰色陶瓷半导体。ITO溅射靶材的制作方法目前,ITO靶材的成型方法主要有四种,每种方法在具体应用中各有优势。
武汉理工大学硕士学位论文ITO靶材的及其性能研究姓名:郭伟申请学位级别:硕士专业:复合材料学指导教师:王为民20090501武汉理工大学硕士学位论文摘要ITO铟锡氧化物(IndiumTinOxide)薄膜是一种n型半导体陶瓷薄膜,具有导电性好(电阻率10地.cm),对可见光透明(透过…
ITO靶材及烧结机理研究.彭祥.【摘要】:氧化铟锡(ITO)薄膜被广泛应用在平板显示器及其他的元器件上。.ITO薄膜主要是通过使用ITO靶材利用磁控溅射法得到。.基于此,具备优异性能ITO靶材的是具有重要意义的。.本文对ITO的结构,ITO薄膜、ITO靶材及...
华中科技大学博士学位论文铟锡氧化物(ITO)粉体及高性能ITO靶材的与研究姓名:陈曙光申请学位级别:博士专业:材料学指导教师:熊惟皓;李晨辉20050507本论文以热等静压铟锡氧化物ITO靶材的工艺流程为主线借助热分射线衍射XRD透射电镜TEM扫描电镜SEM量分散谱EDS等…
摘要:.概述了ITO靶材的应用范围和日益增大的市场需求;对ITO靶材的技术和工艺进行了探讨,对ITO薄膜的特性进行了描述;并讨论了ITO靶材所面临的技术问题及发展趋势.展开.关键词:.ITO靶材透明…
本论文以热等静压铟锡氧化物ITO靶材的工艺流程为主线借助热分射线衍射XRD透射电镜TEM扫描电镜SEM量分散谱EDS等分析手段系统地研究了球形和针状ITO粉末的以及热等静压ITO靶材的相关工艺成功地了外形规整的密度...
本论文以烧结法ITO靶材的工艺流程为主线,系统地研究ITO粉的前处理、ITO素坯及ITO靶材的工艺,采用SEM、XRD、固体密度计、差热分析仪等手段对造粒后粉体性能、素坯和靶材密度、微观结构及物相进行分析。.成功地出致密度大于99.5%,电阻率低、外形...
高密度ITO靶材的成形工艺及理论分析.马晓波钟景明孙本双陈焕铭王东新.【摘要】:对高端薄膜所用高密度ITO靶材的主要成形、烧结工艺如等静压成形、粉浆浇注成形、热压成形、压实成形进行了阐述。.分析了其各自的成形原理、优缺点及发展现状...
注浆成形法ITO靶材的工艺研究.张明杰.【摘要】:本论文以浆料→注浆成形→低温热脱脂→氧气气氛烧结工艺流程为研究路线,系统地研究影响注浆成形前浆料的、ITO初坯的及以气氛烧结初坯得到ITO靶材的因素。.论文采用粘度计、固体密度计...
基于ITO纳米晶的透明导电薄膜.【摘要】:锡掺杂氧化铟(ITO)是一种宽禁带、高掺杂的简并半导体材料。.因其具有高可见光透过率、高电导率,是目前应用最广泛的透明导电材料。.传统的磁控溅射的ITO薄膜不仅需要高真空等极端条件和复杂设备的支持,而且...
ITO的全称是氧化铟锡,是由不同比例的铟、锡和氧组成的。ITO和ITO溅射靶的物质是一样的,后者实际上是氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合形成的黑灰色陶瓷半导体。ITO溅射靶材的制作方法目前,ITO靶材的成型方法主要有四种,每种方法在具体应用中各有优势。