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天津大学硕士学位论文GaN基HEMT器件的基础研究姓名：刘芳申请学位级别：硕士专业：物理电子学指导教师：王涛20070101中文摘要随着高频无线通讯产业的发展，高电子迁移率晶体管（印三MT）因为其低噪声、高功率等特点，在通讯产业中占有越来越重要的地位。
分类号密级UDCGaNHEMT器件建模与（题名和副题名）（作者姓名）指导教师姓名教授电子科技大学成都（职务、职称、学位、单位名称及地址）申请学位级别硕士专业名称微电子学与固体电子学论文提交日期2010.4论文答辩日期2010.5...
这使得器件具有较大的栅极泄漏电流，并影响器件的可靠性问题。1.3论文主要内容及安排本文中，借助于ISETCAD软件的建模和，我们讨论了一些AlGaN/GaNHEMT器件的一些问题，如器件的栅极泄漏电流和可靠性问题，源极电阻的非线性，电制耦合
氮化镓HEMT器件温度特性研究.摘要氮化镓材料作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高热导率以及高电子迁移率等特点，广泛应用于高温、高频和大功率等领域。.其中，异质结构的AlGaN/GaN的HEMT器件在微波大功率应用方面以及高温领域应用方面均具有非常明显...
西安电子科技大学硕士学位论文GaN基欧姆接触及AlGaN/GaNHEMT器件研究姓名：陆珏申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：郝跃20070101摘要宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移...
GaN基HEMT器件的基础分析.pdf,中文摘要随着高频无线通讯产业的发展，高电子迁移率晶体管(印三MT)因为其低噪声、高功率等特点，在通讯产业中占有越来越重要的地位。而化合物半导体异质结界面二维电子气(2DEG)的浓度及其分布，直接影响基于...
氮化物半导体增强型HEMT器件与实现方法研究.何云龙.【摘要】：GaN基HEMTs以其电流密度大、输出功率高、工作频率高及优良的抗辐照能力等优势在微波、大功率等领域得到广泛运用。.由于自发极化和压电极化的影响,AlGaN/GaNHEMTs是天然的耗尽型器件,这限制了其...
AlGaN/GaNHEMT器件应力退化及缺陷产生研究.【摘要】：GaN基HEMT器件具有耐高压、耐高温以及抗辐射等特点,在功率器件领域应用广泛。.尽管目前AlGaN/GaNHEMT器件的性能指标已达到较高水平,然而其可靠性仍然是影响其广泛应用的主要问题之一。.特别是在高压大...
在此背景下,本论文对AlGaN/GaNHEMT器件的温度特性进行较为深入的研究。希望通过该研究,改善GaN基HEMT器件的工作温度,提高器件在高压大功率条件下的性能。
GaNHEMT器件没有掺杂,不存在杂质库仑散射,其Rs变化原因只能来源于PCF散射。3.GaNHEMT器件和GaAsPHEMT器件的跨导特性对比研究。通过测定两者的转移特性曲线,微分求导得到相应的跨导特性。发现两者的跨导特性均表现为随栅偏压的增加而先升高...
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这使得器件具有较大的栅极泄漏电流，并影响器件的可靠性问题。1.3论文主要内容及安排本文中，借助于ISETCAD软件的建模和，我们讨论了一些AlGaN/GaNHEMT器件的一些问题，如器件的栅极泄漏电流和可靠性问题，源极电阻的非线性，电制耦合
氮化镓HEMT器件温度特性研究.摘要氮化镓材料作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高热导率以及高电子迁移率等特点，广泛应用于高温、高频和大功率等领域。.其中，异质结构的AlGaN/GaN的HEMT器件在微波大功率应用方面以及高温领域应用方面均具有非常明显...
西安电子科技大学硕士学位论文GaN基欧姆接触及AlGaN/GaNHEMT器件研究姓名：陆珏申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：郝跃20070101摘要宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移...
GaN基HEMT器件的基础分析.pdf,中文摘要随着高频无线通讯产业的发展，高电子迁移率晶体管(印三MT)因为其低噪声、高功率等特点，在通讯产业中占有越来越重要的地位。而化合物半导体异质结界面二维电子气(2DEG)的浓度及其分布，直接影响基于...
氮化物半导体增强型HEMT器件与实现方法研究.何云龙.【摘要】：GaN基HEMTs以其电流密度大、输出功率高、工作频率高及优良的抗辐照能力等优势在微波、大功率等领域得到广泛运用。.由于自发极化和压电极化的影响,AlGaN/GaNHEMTs是天然的耗尽型器件,这限制了其...
AlGaN/GaNHEMT器件应力退化及缺陷产生研究.【摘要】：GaN基HEMT器件具有耐高压、耐高温以及抗辐射等特点,在功率器件领域应用广泛。.尽管目前AlGaN/GaNHEMT器件的性能指标已达到较高水平,然而其可靠性仍然是影响其广泛应用的主要问题之一。.特别是在高压大...
在此背景下,本论文对AlGaN/GaNHEMT器件的温度特性进行较为深入的研究。希望通过该研究,改善GaN基HEMT器件的工作温度,提高器件在高压大功率条件下的性能。
GaNHEMT器件没有掺杂,不存在杂质库仑散射,其Rs变化原因只能来源于PCF散射。3.GaNHEMT器件和GaAsPHEMT器件的跨导特性对比研究。通过测定两者的转移特性曲线,微分求导得到相应的跨导特性。发现两者的跨导特性均表现为随栅偏压的增加而先升高...
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