发表服务
SiC功率器件建模技术研究.【摘要】：随着第三代宽禁带半导体材料的深入研究和发展,碳化硅的各项优良性能得以发掘。.碳化硅功率器件,主要包括SiCJBS,SiCMOSFET等,相较于传统硅基器件具有更高的耐压等级,更高的工作温度以及更快的开关频率和更小的功率损耗...
SiC功率器件特性及其在逆变器中的应用研究及,和,性质,SiC功率,器件的,SiC,逆变器...南京航空航天大学全日制专业学位硕士学位论文2．新材料和新器件电力电子器件时功率变换器的基础，研制出性能更优的器件，将会使逆变器的效率和功率...
SiCMOSFET器件设计与可靠性研究.钟炜.【摘要】：与传统的硅(Si)IGBT相比,碳化硅(SiC)功率MOSFET凭借其优异的材料性能可以在高温环境下进一步提高功率电子系统的效率和功率密度。.如今,SiCMOSFET正在逐步应用在包括电动汽车(EV),混合电动汽车(HEV)在内的大功率...
本论文针对SiCMOSFET器件面临的动态可靠性问题,通过自主搭建的动态可靠性测试平台和半导体数值分析工具SynopsysSentaurusTCAD,系统研究了SiCMOSFET的非钳位感性负载开关特性和短路特性,探讨了器件动态开关过程中的物理行为图像和失效机制
SiC探测器可以探测发热物体背景下的紫外信号，用6H-SiC研制的探测器的暗电流小于1Am-2，探测效率达到0.01-0.1fWHz1/2，入射光功率达到100kW/m特种半导体器件(SiC器件及MRAM)的研究已报道的最好的SiC功率MOSFET器件的性能数据器件阻断
SiC器件电学特性及在高温电子领域的应用研究.高攀.【摘要】：科学技术的发展对电子产品的性能要求越来越高,传统的Si材料由于受到材料特性的限制已逐渐不能满足要求,SiC材料由于具有禁带宽度大、热导率高等优点,用其研制的电子器件不仅性能更优良,而且...
SiC+MESFET器件制造与特性研究.2005’全国微波毫米波会议论文集SiCMESFET器件制造与特性研究（南京电子器件研究所，210016）摘要：报告了4H—sicMESFET单栅器件的研制。.通过对SiC关键工艺技术进行研究，设计出初步可行的－1：艺流程，并且制造出单栅宽150um...
原标题：SiC功率器件的性能表征、封装测试与系统集成.Tips：西安交大诚邀国内优秀博士生申报“博新计划”，年薪30万以上，直接聘为助理教授；中国西部海外博士后创新示范中心诚聘海外归国博士，年薪20万以上.报告专家：曾正教授.推荐专家：侯聂博士...
SiC功率器件与硅基功率器件一样，均采用微电子工艺而成。从碳化硅晶体材料来看，4H-SiC和6H-SiC在半导体领域的应用最广，其中4H-SiC主要用于高频、高温、大功率器件，而6H-SiC主要用于生产光电子领域的功率器件[3]。2.4模块封装
在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓…
SiC功率器件建模技术研究.【摘要】：随着第三代宽禁带半导体材料的深入研究和发展,碳化硅的各项优良性能得以发掘。.碳化硅功率器件,主要包括SiCJBS,SiCMOSFET等,相较于传统硅基器件具有更高的耐压等级,更高的工作温度以及更快的开关频率和更小的功率损耗...
SiC功率器件特性及其在逆变器中的应用研究及,和,性质,SiC功率,器件的,SiC,逆变器...南京航空航天大学全日制专业学位硕士学位论文2．新材料和新器件电力电子器件时功率变换器的基础，研制出性能更优的器件，将会使逆变器的效率和功率...
SiCMOSFET器件设计与可靠性研究.钟炜.【摘要】：与传统的硅(Si)IGBT相比,碳化硅(SiC)功率MOSFET凭借其优异的材料性能可以在高温环境下进一步提高功率电子系统的效率和功率密度。.如今,SiCMOSFET正在逐步应用在包括电动汽车(EV),混合电动汽车(HEV)在内的大功率...
本论文针对SiCMOSFET器件面临的动态可靠性问题,通过自主搭建的动态可靠性测试平台和半导体数值分析工具SynopsysSentaurusTCAD,系统研究了SiCMOSFET的非钳位感性负载开关特性和短路特性,探讨了器件动态开关过程中的物理行为图像和失效机制
SiC探测器可以探测发热物体背景下的紫外信号，用6H-SiC研制的探测器的暗电流小于1Am-2，探测效率达到0.01-0.1fWHz1/2，入射光功率达到100kW/m特种半导体器件(SiC器件及MRAM)的研究已报道的最好的SiC功率MOSFET器件的性能数据器件阻断
SiC器件电学特性及在高温电子领域的应用研究.高攀.【摘要】：科学技术的发展对电子产品的性能要求越来越高,传统的Si材料由于受到材料特性的限制已逐渐不能满足要求,SiC材料由于具有禁带宽度大、热导率高等优点,用其研制的电子器件不仅性能更优良,而且...
SiC+MESFET器件制造与特性研究.2005’全国微波毫米波会议论文集SiCMESFET器件制造与特性研究（南京电子器件研究所，210016）摘要：报告了4H—sicMESFET单栅器件的研制。.通过对SiC关键工艺技术进行研究，设计出初步可行的－1：艺流程，并且制造出单栅宽150um...
原标题：SiC功率器件的性能表征、封装测试与系统集成.Tips：西安交大诚邀国内优秀博士生申报“博新计划”，年薪30万以上，直接聘为助理教授；中国西部海外博士后创新示范中心诚聘海外归国博士，年薪20万以上.报告专家：曾正教授.推荐专家：侯聂博士...
SiC功率器件与硅基功率器件一样，均采用微电子工艺而成。从碳化硅晶体材料来看，4H-SiC和6H-SiC在半导体领域的应用最广，其中4H-SiC主要用于高频、高温、大功率器件，而6H-SiC主要用于生产光电子领域的功率器件[3]。2.4模块封装
在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓…
发表服务