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电子科学与技术专业毕业论文精品论文BaTiOGaN异质结的电子结构和二维电子气特性研究关键词半导体材料铁电材料二维电子气纤锌矿结构铁电体氮化镓摘要本文基于第一性原理计算软件CASTEP和电荷控制模型主要研究由典型铁电材料BaTiO3、半导体材料GaN构成的BaTiO3GaN异质
本论文从GaN基功率器件的研究进展和面临的技术挑战出发，基于能带工程，首先研究了增强型器件用Ga面极性InGaN/AlGaN/GaN异质结构材料的设计原则，之后探究了N面极性GaN/AlGaN/GaNHEMT材料结构中二维空穴气（2DHG）和2DEG的浓度
对AlGaN/GaN异质结构上的Ni肖特基接触进行不同温度和不同时间的热退火处理,利用测试得到的C-V和I-V曲线,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程计算得到了各个样品的极化电荷密度,从而发现：600℃退火下,随着退火时间的增加样品的二维电子气密度和极化电荷
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管TCAD与建模WeiweiKuang这是一篇北卡罗莱纳州立大学研究生院的研究生毕业论文，是博士学位要求完成的一部分。.电气工程罗利北卡罗莱纳州立大学2008年3月审核人委员会主席RobertJ.Trew博士委员会副主席GriffL.Bilbro博士Doug...
高电子迁移率GaN基双异质结材料与器件研究.【摘要】：由于其宽带隙、高电子漂移速度、高临界击穿电场强度、强自发极化及压电极化等突出优点，GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在制作高频、高功率、抗辐射等电子器件方有得天独厚的优势。.近些年来...
最新博士论文—《高质量非极性a面GaN异质外延的研究》摘要第1-6页abstract第6-15页第1章绪论第15-41页1.1GaN材料概述第15-22页1.1.1引言
氮化镓异质结铁掺杂金属有机物化学气相沉积高电子迁移率晶体管二维电子气本文选题：氮化镓+异质结；参考：《西安邮电大学》2017年硕士论文[Abstract]:Sincegalliumnitride(GaN)basedmaterialshavelargebandgap,highelectronsaturationdriftspeed,highpressureresistanceandradiationresistance,itiseasytoform...
文献出处半导体技术2004年07期关键词异质结论文极化论文二维电子气论文论文摘要AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点。2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关…
论文|GaN基双异质结构研究论文|硅基GaN薄膜及紫外探测器的初步研究论文|GaN材料及MSM结构紫外光电探测器的研究与论文|AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型研究论文|AlGaN/GaNHEMT器件物理模型和关键工艺
对AlGaN/GaN异质结构上的Ni肖特基接触进行不同温度和不同时间的热退火处理,利用测试得到的C-V和I-V曲线,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程计算得到了各个样品的极化电荷密度,从而发现：600℃退火下,随着退火时间的增加样品的二维电子气密度和极化电荷
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AlGaN/GaN异质结场效应晶体管TCAD与建模WeiweiKuang这是一篇北卡罗莱纳州立大学研究生院的研究生毕业论文，是博士学位要求完成的一部分。.电气工程罗利北卡罗莱纳州立大学2008年3月审核人委员会主席RobertJ.Trew博士委员会副主席GriffL.Bilbro博士Doug...
高电子迁移率GaN基双异质结材料与器件研究.【摘要】：由于其宽带隙、高电子漂移速度、高临界击穿电场强度、强自发极化及压电极化等突出优点，GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在制作高频、高功率、抗辐射等电子器件方有得天独厚的优势。.近些年来...
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对AlGaN/GaN异质结构上的Ni肖特基接触进行不同温度和不同时间的热退火处理,利用测试得到的C-V和I-V曲线,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程计算得到了各个样品的极化电荷密度,从而发现：600℃退火下,随着退火时间的增加样品的二维电子气密度和极化电荷
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