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场效应晶体管参数测试仪的设计毕业设计论文.doc,毕业设计（论文）题目：毕业设计（论文）原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺：所呈交的毕业设计（论文），是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。
本文主要针对石墨烯材料的场效应晶体管进行了从结构设计、工艺到电学性能测试等方面的研究。.主要工作如下：首先介绍了石墨烯的基本电学特性，主要关于石墨烯材料的禁带宽度调制和石墨烯材料的静电场调制原理，给出四种关于石墨烯禁带宽度调制...
《场效应晶体管参数测试仪的设计》-毕业设计论文（学术).doc,PAGE西安邮电大学毕业设计（论文）题目：场效应晶体管参数测试仪的设计院（系）：电子工程学院专业：集成电路设计与集成系统班级：学生姓名：导师姓名：职称：起止时间：目录TOC\o"1-3"\h…
首页»硕士论文»石墨烯场效应晶体管设计及特性研究石墨烯场效应晶体管设计及特性研究作者：师大云端图书馆时间：2018-02-06分类：硕士论文喜欢：3088【摘要】石墨烯材料的发现已经十年了，十年中关于石墨烯的研究一直是...
因此本文将以沟道结型场效应管为例，主要介绍运用EDA软件Multisim对场效应管及由其构成的共漏放大电路的设计与分析方法。场效应管特性曲线的测试在确定场效应管型号时，为了配合Multisim环境，选用了其元件库中的2N5486。
论文级别：硕士博士学科专业：电磁场与微波技术论文题目：基于场效应管的低噪声前置放大器的研究和设计作者签名：指导教师签名：作者联系地址（邮编）：吉林省长春市前进大街2699号吉林大学电子科学与工程学院邮编：130012作者联系电话：0431
毕业设计第二章GaN基场效应晶体管的基本特性2.1GaN基场效应晶体管的器件原理高频、大功率的电子器件在无线通信网络中是必需产品，场效应管（FET)是通过电场效应来控制电流大小的半导体器件，场效应晶体管器件抗辐射能力强、输入阻抗高、体积
【摘要】：随着信息技术的方兴未艾,电子设计也悄然发生变化。传统的应用系统设计中使用的双极型晶体三极管也就是我们通常俗称的三极管因功耗大、抗干扰能力差等因数逐渐被单极型晶体场效应管即简称为场效应管所取代;同时在微电子集成电路设计领域,场效应管除因其传统特点——功耗低...
PIN隧穿场效应晶体管的特性分析与设计优化.何友亮.【摘要】：集成电路的最小核心单元结构是晶体管，其尺寸的不断缩小是集成电路技术发展的源动力，也是微电子科学与技术的发展主流，其目的是为实现高性能，低运行功率，低待机功耗和高集成度。.然而...
博士毕业论文—《基于低维材料的新型场效应晶体管的设计、构筑与性能研究》摘要第1-7页Abstract第7-11页第1章绪论第11-33页1.1低维材料第11-23页1.1.1碳纳米管
场效应晶体管参数测试仪的设计毕业设计论文.doc,毕业设计（论文）题目：毕业设计（论文）原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺：所呈交的毕业设计（论文），是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。
本文主要针对石墨烯材料的场效应晶体管进行了从结构设计、工艺到电学性能测试等方面的研究。.主要工作如下：首先介绍了石墨烯的基本电学特性，主要关于石墨烯材料的禁带宽度调制和石墨烯材料的静电场调制原理，给出四种关于石墨烯禁带宽度调制...
《场效应晶体管参数测试仪的设计》-毕业设计论文（学术).doc,PAGE西安邮电大学毕业设计（论文）题目：场效应晶体管参数测试仪的设计院（系）：电子工程学院专业：集成电路设计与集成系统班级：学生姓名：导师姓名：职称：起止时间：目录TOC\o"1-3"\h…
首页»硕士论文»石墨烯场效应晶体管设计及特性研究石墨烯场效应晶体管设计及特性研究作者：师大云端图书馆时间：2018-02-06分类：硕士论文喜欢：3088【摘要】石墨烯材料的发现已经十年了，十年中关于石墨烯的研究一直是...
因此本文将以沟道结型场效应管为例，主要介绍运用EDA软件Multisim对场效应管及由其构成的共漏放大电路的设计与分析方法。场效应管特性曲线的测试在确定场效应管型号时，为了配合Multisim环境，选用了其元件库中的2N5486。
论文级别：硕士博士学科专业：电磁场与微波技术论文题目：基于场效应管的低噪声前置放大器的研究和设计作者签名：指导教师签名：作者联系地址（邮编）：吉林省长春市前进大街2699号吉林大学电子科学与工程学院邮编：130012作者联系电话：0431
毕业设计第二章GaN基场效应晶体管的基本特性2.1GaN基场效应晶体管的器件原理高频、大功率的电子器件在无线通信网络中是必需产品，场效应管（FET)是通过电场效应来控制电流大小的半导体器件，场效应晶体管器件抗辐射能力强、输入阻抗高、体积
【摘要】：随着信息技术的方兴未艾,电子设计也悄然发生变化。传统的应用系统设计中使用的双极型晶体三极管也就是我们通常俗称的三极管因功耗大、抗干扰能力差等因数逐渐被单极型晶体场效应管即简称为场效应管所取代;同时在微电子集成电路设计领域,场效应管除因其传统特点——功耗低...
PIN隧穿场效应晶体管的特性分析与设计优化.何友亮.【摘要】：集成电路的最小核心单元结构是晶体管，其尺寸的不断缩小是集成电路技术发展的源动力，也是微电子科学与技术的发展主流，其目的是为实现高性能，低运行功率，低待机功耗和高集成度。.然而...
博士毕业论文—《基于低维材料的新型场效应晶体管的设计、构筑与性能研究》摘要第1-7页Abstract第7-11页第1章绪论第11-33页1.1低维材料第11-23页1.1.1碳纳米管
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