发表服务
硕士博士毕业论文—基于低维材料的新型场效应晶体管的设计、构筑与性能研究摘要第1-7页Abstract第7-11页第1章绪论第11-33页1.1低维材料第11-23页1.1.1碳纳米管
【摘要】：石墨烯材料的发现已经十年了，十年中关于石墨烯的研究一直是国内外的热点，石墨烯是未来最有希望取代硅成为最广泛应用的半导体材料，石墨烯场效应晶体管也因其超高响应频率和超小的体积成为新一代半导体基础器件的发展趋势。本文主要针对石墨烯材料的场效应晶体管进行了从...
场效应晶体管的结构工作原理和输出特性摘要.ppt,④输入电阻RGS场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管,RGS约是109～1015Ω。⑤低频跨导gm低频跨导反映了栅压对漏...
博士毕业论文—《基于低维材料的新型场效应晶体管的设计、构筑与性能研究》摘要第1-7页Abstract第7-11页第1章绪论第11-33页1.1低维材料第11-23页1.1.1碳纳米管
导读：就爱阅读网友为您分享以下“晶体管论文”资讯，希望对您有所帮助，感谢您对92to的支持!1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。
场效应晶体管参数测试仪的设计毕业设计论文.doc,毕业设计（论文）题目：毕业设计（论文）原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺：所呈交的毕业设计（论文），是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。
【摘要】：石墨烯是由sp2杂化碳原子构成的一种具有蜂窝状六方点阵结构的二维纳米材料。自从2004年稳定存在的石墨烯被人们通过微机械剥离法发现以来，石墨烯以其优异的电学、热学、力学特性吸引了科学家和工程师的注意。特别是在微电子领域，石墨烯有望在“后摩尔定律时代”成为硅的替代...
【摘要】：正尽管单壁碳纳米管的电学特性已被深入研究,多壁碳纳米管的电输运特性由于管结构的复杂性和层间耦合还有很不清楚。双壁碳纳米管是最简单的多壁碳管,是研究层间耦合的理想体系。本文用双壁管构建了场效应管,研究了其场效应特性并发现了层间耦合引起的屏蔽效应。
【摘要】：二维材料被认为是开发下一代高性能电子,光电子和谷底电子器件最有希望的材料。虽然金属氧化物已被广泛用于许多先进器件的制造中,但它们的性能在二维极限条件下的研究报道还很少。近来,SnO二维半导体材料及器件的研究受到人们的广泛关注,据文献报道,SnO材料的直接带隙为2.7eV,间接...
论文就是对新型无结场效应晶体管的研究，其中包括I形栅无结场效应晶体管和U沟道无结场效应晶体管。论文所提出的I形栅以及U沟道无结场效应晶体管的最基本模型是简单无结场效应晶体管，其导通原理相当于一个栅控电阻。
硕士博士毕业论文—基于低维材料的新型场效应晶体管的设计、构筑与性能研究摘要第1-7页Abstract第7-11页第1章绪论第11-33页1.1低维材料第11-23页1.1.1碳纳米管
【摘要】：石墨烯材料的发现已经十年了，十年中关于石墨烯的研究一直是国内外的热点，石墨烯是未来最有希望取代硅成为最广泛应用的半导体材料，石墨烯场效应晶体管也因其超高响应频率和超小的体积成为新一代半导体基础器件的发展趋势。本文主要针对石墨烯材料的场效应晶体管进行了从...
场效应晶体管的结构工作原理和输出特性摘要.ppt,④输入电阻RGS场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管,RGS约是109～1015Ω。⑤低频跨导gm低频跨导反映了栅压对漏...
博士毕业论文—《基于低维材料的新型场效应晶体管的设计、构筑与性能研究》摘要第1-7页Abstract第7-11页第1章绪论第11-33页1.1低维材料第11-23页1.1.1碳纳米管
导读：就爱阅读网友为您分享以下“晶体管论文”资讯，希望对您有所帮助，感谢您对92to的支持!1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。
场效应晶体管参数测试仪的设计毕业设计论文.doc,毕业设计（论文）题目：毕业设计（论文）原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺：所呈交的毕业设计（论文），是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。
【摘要】：石墨烯是由sp2杂化碳原子构成的一种具有蜂窝状六方点阵结构的二维纳米材料。自从2004年稳定存在的石墨烯被人们通过微机械剥离法发现以来，石墨烯以其优异的电学、热学、力学特性吸引了科学家和工程师的注意。特别是在微电子领域，石墨烯有望在“后摩尔定律时代”成为硅的替代...
【摘要】：正尽管单壁碳纳米管的电学特性已被深入研究,多壁碳纳米管的电输运特性由于管结构的复杂性和层间耦合还有很不清楚。双壁碳纳米管是最简单的多壁碳管,是研究层间耦合的理想体系。本文用双壁管构建了场效应管,研究了其场效应特性并发现了层间耦合引起的屏蔽效应。
【摘要】：二维材料被认为是开发下一代高性能电子,光电子和谷底电子器件最有希望的材料。虽然金属氧化物已被广泛用于许多先进器件的制造中,但它们的性能在二维极限条件下的研究报道还很少。近来,SnO二维半导体材料及器件的研究受到人们的广泛关注,据文献报道,SnO材料的直接带隙为2.7eV,间接...
论文就是对新型无结场效应晶体管的研究，其中包括I形栅无结场效应晶体管和U沟道无结场效应晶体管。论文所提出的I形栅以及U沟道无结场效应晶体管的最基本模型是简单无结场效应晶体管，其导通原理相当于一个栅控电阻。
发表服务