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国防科学技术大学硕士学位论文碳纳米管场效应管及其应用电路的建模分析姓名：王耀申请学位级别：硕士专业：电子科学与技术指导教师：方粮20071101国防科学技术大学研究生院学位论文随着集成电路制造工艺进入到后45nm时代，基于体硅工艺的电子器件已经开始近其物理极限，微电子技术...
山东大学硕士学位论文AlGaN/GaN场效应晶体管的TCAD研究姓名：刘岩申请学位级别：硕士专业：电路与系统指导教师：李惠军20090425山东大学硕士学位论文氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一，其化学...
导读：就爱阅读网友为您分享以下“晶体管论文”资讯，希望对您有所帮助，感谢您对92to的支持!1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。
北京交通大学摘要：二氧化氮（NO2）气体是一种主要的大气污染物,属于我国规定的大气质量监测项目之一。本论文提出了一种三维（3D）还原氧化石墨烯（rGO）场效应管（FET）式NO2气体传感器,为了提高该传感器的响应度,利用纳米银颗粒（AgNPs）对rGO进行了修饰。
论文的核心部分是对隧穿场效应晶体管的模拟研究,包括对横向隧穿场效应晶体管和纵向隧穿场效应晶体管的模拟研究,作为MOSFET的潜在替代者,早期的TFET器件主要是一个栅控的p-i-n结,带带隧穿发生的方向平行于栅介质,这里我们称这种TFET器件为LTFET。
场效应晶体管的大信号模型研究.【摘要】：在无线及微波电路的设计中,各种III-V族化合物半导体场效应晶体管(FET)器件被广泛应用到各种大信号电路的实现中,如功率放大器、振荡器、乘法器等。.尽管微波及射频电路的复杂程度在继续增加,迫于缩短设计周期和...
1K.Yamaguchi;张木义;;垂直结型栅场效应晶体管的二维分析[J];微纳电子技术;1977年04期2李和太,高芳明,崔志武,段江松;氢离子敏场效应晶体管的研制及应用[J];沈阳工业大学学报;1987年01期3曹年裕;;利用功率MOS场效应晶体管制作的汽车室内照明断开延迟电路[J];集成电路应用;1987年05期
基于铁电材料的负电容场效应晶体管研究.周久人.【摘要】：负电容场效应晶体管(NCFET)作为超低功耗集成电路非常具有潜力的候选器件结构之一,引起了学术界和工业界的广泛关注。.NCFET与传统金属氧化物半导体场效应晶体管的区别在于栅极结构中插入的具有...
并五苯薄膜场效应晶体管的研制,并五苯,场效应晶体管,双极。本论文首先介绍了并五苯有机薄膜场效应晶体管的研究进展及主要采用的结构和制作工艺,然后分别阐述了有机半导体材料的基本性质、...
1陈永真;;新型高耐压大功率场效应晶体管[A];新世纪新机遇新挑战——知识创新和高新技术产业发展（上册）[C];2001年2赵广耀;董焕丽;江浪;赵华平;覃翔;胡文平;;并五苯类似物单晶场效应晶体管及其在乙醇气体探测中的应用[A];第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-08纳米晶体及其表征[C];2012年
国防科学技术大学硕士学位论文碳纳米管场效应管及其应用电路的建模分析姓名：王耀申请学位级别：硕士专业：电子科学与技术指导教师：方粮20071101国防科学技术大学研究生院学位论文随着集成电路制造工艺进入到后45nm时代，基于体硅工艺的电子器件已经开始近其物理极限，微电子技术...
山东大学硕士学位论文AlGaN/GaN场效应晶体管的TCAD研究姓名：刘岩申请学位级别：硕士专业：电路与系统指导教师：李惠军20090425山东大学硕士学位论文氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一，其化学...
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北京交通大学摘要：二氧化氮（NO2）气体是一种主要的大气污染物,属于我国规定的大气质量监测项目之一。本论文提出了一种三维（3D）还原氧化石墨烯（rGO）场效应管（FET）式NO2气体传感器,为了提高该传感器的响应度,利用纳米银颗粒（AgNPs）对rGO进行了修饰。
论文的核心部分是对隧穿场效应晶体管的模拟研究,包括对横向隧穿场效应晶体管和纵向隧穿场效应晶体管的模拟研究,作为MOSFET的潜在替代者,早期的TFET器件主要是一个栅控的p-i-n结,带带隧穿发生的方向平行于栅介质,这里我们称这种TFET器件为LTFET。
场效应晶体管的大信号模型研究.【摘要】：在无线及微波电路的设计中,各种III-V族化合物半导体场效应晶体管(FET)器件被广泛应用到各种大信号电路的实现中,如功率放大器、振荡器、乘法器等。.尽管微波及射频电路的复杂程度在继续增加,迫于缩短设计周期和...
1K.Yamaguchi;张木义;;垂直结型栅场效应晶体管的二维分析[J];微纳电子技术;1977年04期2李和太,高芳明,崔志武,段江松;氢离子敏场效应晶体管的研制及应用[J];沈阳工业大学学报;1987年01期3曹年裕;;利用功率MOS场效应晶体管制作的汽车室内照明断开延迟电路[J];集成电路应用;1987年05期
基于铁电材料的负电容场效应晶体管研究.周久人.【摘要】：负电容场效应晶体管(NCFET)作为超低功耗集成电路非常具有潜力的候选器件结构之一,引起了学术界和工业界的广泛关注。.NCFET与传统金属氧化物半导体场效应晶体管的区别在于栅极结构中插入的具有...
并五苯薄膜场效应晶体管的研制,并五苯,场效应晶体管,双极。本论文首先介绍了并五苯有机薄膜场效应晶体管的研究进展及主要采用的结构和制作工艺,然后分别阐述了有机半导体材料的基本性质、...
1陈永真;;新型高耐压大功率场效应晶体管[A];新世纪新机遇新挑战——知识创新和高新技术产业发展（上册）[C];2001年2赵广耀;董焕丽;江浪;赵华平;覃翔;胡文平;;并五苯类似物单晶场效应晶体管及其在乙醇气体探测中的应用[A];第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-08纳米晶体及其表征[C];2012年
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