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检测及被击穿的原因（一）VMOS场效应管的检测方法（1）．判定栅极G将万用表拨至R1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘
为什么功放板上MOS场效应管容易被击穿呢？因为MOS场效应管是金属一氧化物一半导体场效应管的简称，通常又叫做“绝缘栅场效应管”，它是一种用电压控制多数载流子导电的器件。图1是N型沟道MOS场效应管的结构示意图。它的栅极是从氧化膜引出...
07-15.本文主要讲了可控硅击穿的3种原因，希望对你的学习有所帮助。.二极管、三极管、场效应管.工科男改变世界.01-06.1021.1、二极管导通电压是0.7伏（硅管），0.3伏（锗管）；发光二极管的导通电压是1.8V。.2、三极管工作条件NPN：放大，集电结反偏...
MOS管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称
这个电阻称为栅极电阻，作用1：为场效应管提供偏置电压；作用2：起到泻放电阻的作用（保护栅极G~源极S）。...电子元件分析:MOS管击穿的原因2012-03-267368胶体蓄电池鼓胀原因及解决方案2009-11-10324120万+工程师都在用，免费PCB检查工具...
几种MOS管“击穿”，你了解吗？pdf,MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate，场效应管的三极：源级S漏级D栅级G。先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。
对于穿通击穿，有以下一些特征：.(1)穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐步增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，产生电流较大。.另一方面，耗尽层展宽大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。.(2)穿通击穿的软击穿点发生在...
[场效应管]场效应管发热严重的原因2018-01-30[场效应管]用通俗易懂的话让你明白场效应管就是一个电控开关！2018-01-06[场效应管]irf3205封装尺寸图2017-12-28[场效应管]场效应管irf3205基本参数_irf3205电性参数2017-12-28[电子说]深度图片解析场效应
MOS管击穿之后会有什么现象：如果没有限流措施,击穿后管子将烧毁,甚至会砰一声炸裂。MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就...
MOS管GS并联电阻的作用，在MOS管的驱动电路里,某些场合下,会看到这个电阻,在某些场合中,又没有这个电阻.这个电阻的值比较常见的为5k,10k.但是这个电阻有什么用呢?在分析这个问题之间,可以做一个简单的实验：找一个mos管,MOS管GS击穿让...
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对于穿通击穿，有以下一些特征：.(1)穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐步增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，产生电流较大。.另一方面，耗尽层展宽大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。.(2)穿通击穿的软击穿点发生在...
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