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半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。 半导体五大特性∶电阻率特性，导电特性，光电特性，负的电阻率温度特性，整流特性。半导体应用 最早的实用“半导体”是「电晶体（Transistor）/ 二极体（Diode）」。 一、在 无�电收音机（Radio）及 电视机（Television）中，作为“讯号放大器 /整流器”用。 二、近来发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。 三、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达℃，甚至达到℃也不是不可能，线性度，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。 半导体材料的制造 为了满足量产上的需求，半导体的电性必须是可预测并且稳定的，因此包括掺杂物的纯度以及半导体晶格结构的品质都必须严格要求。常见的品质问题包括晶格的错位（dislocation）、双晶面（twins），或是堆栈错误（stacking fault）都会影响半导体材料的特性。对于一个半导体元件而言，材料晶格的缺陷通常是影响元件性能的主因。 目前用来成长高纯度单晶半导体材料最常见的方法称为裘可拉斯基制程（Czochralski process）。这种制程将一个单晶的晶种（seed）放入溶解的同材质液体中，再以旋转的方式缓缓向上拉起。在晶种被拉起时，溶质将会沿着固体和液体的接口固化，而旋转则可让溶质的温度均匀。
First, semiconductor laser based on the theoryAlthough some literature that the author created in their respective semiconductor lasers in the important role played by, but the fact is no one on semiconductor laser to the emergence of a complete theoretical basis, nor an early worker for the realization of the study and solve the semiconductor laser All the technology issues. Therefore, it can be that the semiconductor laser is the emergence and development of many co-workers on the crystallization of early as in September 1953, the . Feng. Newman (John Von Neumann) in his unpublished papers a manuscript in the first exposition in the semiconductor produced by stimulated emission of possibility that can be injected to the PN junction Are in the minority in mind to achieve stimulated emission; calculated according to the two brilliant transition zone between the radiation rate. Bading concluded Feng 'Newman on the basic theory of semiconductor laser after that. Through various means (for example, to inject a small number of PN junction carrier) disturbance belt electronic price band Hole and the balance of concentration, according to which non-minority-carrier in the compound and a photon. The rate of its radiation can be like amplifiers, with the same frequency of electromagnetic radiation. It should be said to be laser (Liser) the earliest concept of this than Gordon (Corden) and the Andean soup (Towes) reported by the quantum of microwave amplifiers (Maser) to the concept as early as Normale Superieure and Pierre Aigrain in 1956 had encouraged the . radio company [RCA] Pankove start manufacturing the semiconductor laser. June 1958 in Brussels of an international conference on the statement, first published in the semiconductor be coherent light of the views, but it was not until 1964 he published articles on the theory of semiconductor lasers and experimental work. Soviet Lebedev Physical Institute Basov (Basov), and so on the outstanding contribution of semiconductor lasers, he is the first time in 1958 published an article in the semiconductor raised in the realization of negative-state (that is, population inversion) on the theory . In 1961 they published the first carrier will be injected into the semiconductor PN junction to achieve the "injection laser" exposition and demonstration in the tunnel diodes as high as in Jane and the PN junction to achieve population inversion (which is Produced by stimulated emission of the necessary conditions for) the possibility, but also that active high-density areas around the most active carrier of the border areas on both sides of the refractive index of a difference, creating optical waveguide effect. After these theories to the emergence of semiconductor laser has played a positive role in promoting, Basuo Fu therefore be Nobel Prize. However, in 1963, published by the Basuo Fu, and so on semiconductor laser experiment with the theory of the article is more active semiconductor materials for Ge. And La Vieques (Lax) in 1959 made direct bandgap semiconductor (such as GaAs, InP, etc.) than the indirect bandgap semiconductor (such as Ge, Si, etc.) is more suited to produce stimulated emission of material. This important thesis for the accuracy of which appear later confirmed by the semiconductor Bell Labs of Wembley (Boyle) and Thomson put forward in parallel with the semiconductor and as a cleavage-feedback resonator, the strengthening of the laser is essential. Laser optical resonator is an integral Bernard (Bernard) and Dulafuge (DM raffo "rg)-use fee. Derived the concept of energy meters in the semiconductor active than in the medium to achieve population inversion conditions on the condition that the following year The success of semiconductor laser research has played an important guiding role of sum up, in theory, that should be in the semiconductor laser direct bandgap semiconductor PN junction, with the injection-carrier method by Bernard Dulafuge a condition under the control of population inversion, from electronics and Hole compound generated by the laser radiation in the optical resonant cavity oscillation be enlarged and, finally have a coherent laser output.
1. Semiconductor laser also known as laser diodes (LD). Into the 1980s, people absorb the semiconductor development of the latest achievements in physics, using a quantum well (QW) and strained quantum well (SL-QW), and other new structures, the introduction of index modulation Bragg launchers and enhanced modulation Bragg launchers The latest technology, and also the development of the MBE, MOCVD and the CBE, and other new technology of crystal growth, making the new epitaxial growth technology to precisely control the crystal growth, to achieve the precision of atomic layers thick, high-quality grown quantum wells and strained quantum well materials. Thus, to create the LD, the threshold current significant drop significantly improve the conversion efficiency, output power have increased significantly lengthen life. 2. Optoelectronics, the rapid development mainly based on quantum mechanics and materials science in the development, with particular attention is the development of optoelectronic semiconductors. LED, LD Shenqi these electronic devices is the result of this development, particularly the recent development of the organic photoelectric materials, and more is great to promote the progress of the photoelectric materials. Why is the first semiconductor LED » When the electronic conduction band jumped from the top to enter the zone at the time, a certain loss of energy, the energy becomes a photon emission out, is popular to say that the luminescence. Oh:) semiconductor laser is a direct bandgap semiconductor materials constitute the PN junction of material or PIN entered into a small laser. Semiconductor laser work of dozens of substances, has made laser Jia arsenide semiconductor material (GaAs), arsenic Gu (InAs), gallium nitride (GaN), antimony and Gu (InSb), curing the pot (cds), hoof-fu (CdTe), lead selenide (PbSe), tellurium and lead (PhTe ), Al Jia arsenic (A1xGa, -, As), Gu phosphorus arsenic (In-PxAS), and so on. Semiconductor laser incentive There are three main ways, that is, people-Note, optical pump-and-high-energy electron beam incentives. The vast majority of Semiconductor laser is the way of incentives, Notes, or to Pn guitar and forward voltage, so that the guitar in a regional plane stimulated emission, that is a positive bias of the diodes, also known as the semiconductor laser diode laser diode . On the semiconductor, electronics is due in the transition between the band, rather than in discrete energy levels between the transition, the transition energy is not a set value, which makes semiconductor laser output wavelength distribution in a very broad The scope. They issued by the wavelength of between . Wavelength range of its decision on the materials used by the band gap, the most common is AlGaA: double-heterojunction laser, the output wavelength of 750 - 890nm. The world On the first semiconductor laser is available in 1962, after several decades of research, semiconductor laser achieved a surprising development, and its infrared wavelengths from the red light green to blue, gradually expanding the scope covered, the performance Parameters also have greatly increased their production by the proliferation of technology has to LPE Law Act (LPE), extension of gas (VPE), MBE Act (MBE), MOCVD method (metal organic compounds vapor deposition) , Chemical beam epitaxy (CBE) and their various combined, and other technology. Lasing closure of its current value from a few hundred mA down to a few dozen mA, until the sub-mA, its life expectancy by a few hundred to tens of thousands of hours, and 1 million hours from the initial low-temperature (77 K) under development to operate at room temperature for work, the power output by several milliwatts to kilowatts level (Array) it has a high efficiency, small size, light weight, simple structure, can Power for the direct conversion of laser energy, high power conversion efficiency (has reached more than 10 per cent, up to 50 per cent). Facilitate direct modulation, power-saving advantages, applications growing. At present, the fixed-wavelength laser diode to use the number of Habitat All of the first laser, the application of certain important areas over the past used the other lasers, has gradually been replaced by a semiconductor laser. Semiconductor Laser is the biggest drawback: laser properties affected by temperature, the beam divergence angle greater (in general several times to 20 degrees), so in the direction and coherence of monochrome and other poor areas. But with the With the rapid development of science and technology, the semiconductor laser-depth study positive direction, the performance of semiconductor laser continuously improve. Semiconductor laser power can reach very high level, and beam quality has been greatly improved. Semiconductor laser as to The core semiconductor photonics technology in the 21st century information society will make more progress, play a bigger role.
Power semiconductor devices and power electronics World's first semiconductor rectifier and the transistor is, when no power semiconductor or microelectronics semiconductor division. In 1958, China began the first research topic Thyristor (originally known as PNPN device). In similar time, the study of integrated circuits began gradually. From semiconductor devices to the two direction. The former became the basis for power electronics, while the latter led to the development and micro-electronics and information electronics. According to the system, power system devices are classified to the machinery, integrated circuits, electronic systems are included. As the semiconductor leader in the electronic systems, coupled with the semiconductor integrated circuits is the main body, which after a long-term evolution of integrated circuits in a number of occasions, has become almost synonymous with semiconductor devices only. At the end of the sixties and early seventies, the country has set off a "SCR" hot. The boom continued a long time, great influence, and therefore still believe that the domestic power of semiconductors is the main SCR. The late seventies, the development of a thyristor family. And called the name of a standardized "thyristor." As the technology to regulate the power switch, so the wear and tear on a small device, so as the energy trump card. Its application is to cover all fields. China was first mooted in 1979, the establishment of Power Electronics Society, IEEE slightly earlier than the establishment of the United States Institute of Power Electronics (Power Electronics Society). Power Electronics Society of China was founded, as a result of the importance of professional development is very rapid. However, because the focal point was the relationship, it does not like the United States become an independent professional institutes, and was subsequently set up part of the China Electrotechnical Society. The translation and definition of Power Electronics for Power Electronics (the original idea was also known as the Power Electronics), and the popularity of power electronics played a role. Mechanical, electrical, electronic and other departments are very concerned about its development. Related to the power semiconductor devices has also been known as the power electronic devices. However, this name is very difficult to find abroad, but the corresponding terms. "Electricity" in reference to electronic access to universal, but also left a number of sequels. People mistakenly believe that only high-power direction is the "power" of the main electronic devices, and the difficulty of the rapid development of the MOSFET as a "power electronics" of the other main. From that point, I would like to use power semiconductor devices as the subject of this article, and power electronic devices can be used to express a broader sense to include other non-semiconductor, including a variety of power electronic devices. The development of power semiconductor devices in three stages The development of power semiconductor devices can be divided into three stages. The first stage is 60 to the seventies, when the various types of thyristors and power transistors Darlington significant development, or what might be called the era of bipolar. Its clients are mainly for industrial applications, including power systems, such as locomotive traction. The second stage is 80 to the nineties, due to the rise of the power MOSFET to power electronics into a new area. Modern 4C booming industry: the Communication, Computer, Consumer, Car (communication, computer, consumer electronics, automobiles) to provide a new vitality. Before and after the twenty-first century, the development of power semiconductor devices have entered the third phase, that is, and integrated circuit combined with a growing stage, Figure 1 and Figure II made to the above description of a simple sum. Of course, first of all need to focus on that here is this: when the continuous development of power semiconductor devices, the previous stage has not been the dominant product from the stage of history. For example, SCR is still an important product. China has in recent years the introduction of ultra-high-power thyristor, thyristor-controlled technology, such as China's major power transmission project, providing a key device. Recently, in considering the introduction of IGCT technology. In this regard it should be said that has gradually moved towards the world. This is our country going on the many major infrastructure. Although the view from the United States, the production of high-power thyristors have been less and less on the economic development of the two countries are not identical. I draw in Figure 2 in power semiconductor devices in both directions in the development. The left side of the bipolar nature of the direction toward the integration of ultra-high-power and direction. The right direction is unipolar, it is more established and integrated circuits of the inseparable relationship between closely.
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在第一和第二例之间，有“另一个故事”“还有个例子”进行过渡。这些过渡句，使文章浑然一体。三个部分分别回答了三个问题：引论部分解答 “是什么”的问题；本论部分解答“为什么（有骨气）”的问题；结论部分回答“我们怎么办”的问题。三个事例都是概括叙述的，每个事例的后面都有几句简短的议论。这些议论阐明了事件所包含的意义，把事例紧紧地扣在论点上，是论点和论据联系的纽带，否则就就事论事，论点和论据脱节了。议论文是以议论为主要表达方式的一种文体。它通过列举事实材料和运用逻辑推理，来阐发，对事物的理解和认识，表明对问题的观点和态度。各行各业的人为了接受或表达思想，都需要经常阅读和写作这种文体。一篇议论文，通常包含论点、论据、论证三大要素。论点是议论文所阐发的思想观点；论据是文中用来证明论点的根据；论证是论点与论据之间逻辑关系的揭示。这三者的紧密关系，构成了一篇议论文的主体。
我今年近7O岁了，可以说半导体陪伴着我们长大，从小就爱听，听少儿节目，听老电影，听新闻，听小说，印象最深的是（欧阳海之歌）等等许多许多，收获很大，获得了知识，享受了快乐，直到现在我还是爱听半导体，现在主要听小品，相声，养生知识等等，因为半导体听起来方便，也不费眼晴，挺好的！
从硅及其化合物在国民经济中的地位来看，从学科发展的角度来看，硅及其化合物在材料科学和信息技术等领域有广泛的用途，在半导体、计算机、建筑、通信及宇宙航行、卫星等方面大显身手，而且它们的应用前景十分广阔；硅酸盐工业在经济建设和日常生活中有着非常重要的地位。无机非金属材料中硅元素唱主角，而含硅元素的材料制品大都是以二氧化硅为原料。所以，首先介绍硅及其化合物，突出了它在社会发展历程中、在科学现代化中的重要性和应用价值。从物质存在和组成多样性的角度来看，硅是无机非金属的主角，是地壳的基本骨干元素。自然界中的岩石、土壤、沙子主要以二氧化硅或硅酸盐的形式存在，地壳的95%是硅酸盐矿。所以，介绍硅及其化合物，体现了硅元素存在的普遍性和广泛性。从认知规律来看，硅元素的主要化合价只有 4价，硅单质比较稳定，硅的化合物知识也比较简单。因此，学生的学习负担比较轻，有利于学习积极性的保护和培养。本节内容编排有以下特点：从硅及其化合物的知识体系来看，它由二氧化硅和硅酸、硅酸盐以及硅单质等三部分内容组成。在内容编排上打破常规，首先从硅的亲氧性引出硅主要存在的两种形式——二氧化硅和硅酸盐，接着介绍二氧化硅的性质，再介绍硅酸、硅酸盐的一些性质，最后介绍硅单质。先学习比较熟悉的硅的化合物，再学习单质硅的顺序符合认知规律，有利于学生接受。从知识内容的安排上来看，重点、非重点把握准确。主干内容保持一定量，并重彩描绘。例如，二氧化硅的知识突出酸性氧化物的性质，在“科学视野”中介绍硅氧四面体结构，了解二氧化硅的一些物理性质，然后以图配文的方式介绍了二氧化硅的用途，最后让学生通过日常生活中的一些事实，以“思考与交流”的方式得出二氧化硅的化学性质。在学习二氧化硅的化学性质时，既介绍了酸性氧化物的共性，又介绍了SiO2的特性，扩展了学生对非金属酸性氧化物的认识。硅酸盐重点介绍硅酸钠溶液的性质和用途。对非重点知识和拓展性内容，采用多种形式来呈现。例如，简要介绍了硅酸的制取原理和硅胶的用途，应用广泛的硅酸盐产品以图片的形式呈现，一些新型陶瓷以“科学视野”的方式介绍，硅酸盐的组成以“资料卡片”的形式介绍，等等。总之，硅及其化合物知识的介绍，既体现了元素存在的广泛性又体现了应用的前瞻性，既有亲近感又可以使学生开阔眼界，同时也能使学生增强对学习化学的重要性的认识。本节教学重点：二氧化硅的性质。本节教学难点：硅酸盐的丰富性和多样性。教学建议如下：1.采用对比的方法，联系碳、二氧化碳等学生已有的知识和生活经验来介绍硅、二氧化硅等新知识。联系和对比是一种有效的学习方法，通过对比可加深对知识的理解，有利于学生对知识的记忆和掌握。因此，应指导学生学会运用对比的方法来认识物质的共性和个性、区别和联系。碳和硅是同一主族相邻的两种元素，它们的性质既有相似之处，又有不同之处。在教学时要突出硅的亲氧性强于碳的亲氧性，从而引导学生理解硅的两种存在形式——二氧化硅和硅酸盐。对于SiO2化学性质的教学，可启发学生根据SiO2和CO2都是酸性氧化物这一特点，把它们的性质一一列出。然后引导学生从硅的亲氧性大，得出常温下SiO2的化学性质稳定；在加热的条件下，SiO2才能与碱性氧化物起反应，等等。在介绍硅酸时，可以补充这样一个实验：将CO2通入Na2SiO3溶液中，引导学生观察白色胶状沉淀的生成，从而加深对H2SiO3的酸性弱于碳酸的认识。对于硅单质，主要让学生了解硅是重要的半导体材料，在电子工业上有广泛的用途。SiO2的结构知识属于拓展性内容，在教学中不作要求。2.要多运用日常生活中的事例进行教学。非金属元素首先介绍硅元素，硅的化合物普遍存在是原因之一。因此，教学时要多注意联系生产和生活实际，充分利用实物、模型及教科书中的彩图和插图，通过放映教学录像，学生自己搜集有关的实物或照片，在课堂上展示交流等方法，增强教学的直观性，激发学生的学习兴趣，培养学生热爱科学的情感。例如，可用生活事例来说明SiO2质硬、不溶于水的性质，引导学生通过观察教科书中的图片、观察陶瓷和玻璃制品等实物来了解硅酸盐的广泛用途等。3.通过自学讨论的方法进行硅酸盐的教学。学生的学习是一个自主构建的过程。他们带着自己原有的知识背景、活动经验和理解走进学习活动，并通过自己的主动活动，包括独立思考、与他人交流和反思等，去构建对化学知识的理解。例如，讲硅酸盐时可指出，最常见的可溶性硅酸盐是Na2SiO3，它的水溶液称为水玻璃。然后展示样品，观察水玻璃的黏稠性。同时拿出一块反复充分浸过水玻璃并已干燥的布条，把它放在火焰上，结果布条不能燃烧，从而认识用水玻璃浸泡织物可以防火。最后，对于硅酸盐的丰富性和多样性，建议学生以阅读、交流的方式来完成。二、活动建议实验4-1】控制溶液混合物的酸碱性是制取硅酸凝胶的关键。盐酸的浓度以6 mol/L为宜。
研究硅和锗的电子结构。研究硅和锗的电子结构：可以揭示半导体材料的性质，为硅和锗的应用提供理论指导，研究硅和锗的局域密度泛函理论：通过对硅和锗的局域密度泛函理论的研究，可以提出更加准确的性质模型。硅和锗是一种半导体材料，具有重要的应用价值，第一性原理计算是研究半导体材料性质的基础理论，因此，硅和锗的第一性原理论文具有重要的研究价值。
为大家整理的招聘主题相关的10篇毕业论文文献，包括5篇期刊论文和5篇学位论文，为招聘选题相关人员撰写毕业论文提供参考。1.[期刊论文]企业人力资源招聘风险管理研究期刊：《区域治理》 | 2021 年第 012 期摘要：人力资源是企业赢得市场竞争的主要资源,人力资源招聘工作是企业获得合适人才的主要途径.但是实际企业人力资源招聘环节存在很大的招聘风险,这会造成企业成本的增加,而且还会对企业发展战略的实施产生影响.因此,企业在进行人力资源招聘时要注重进行风险管理,有效防止人力资源招聘给企业带来损失.基于此,本文主要对企业人力资源招聘风险管理进行了研究,分析了企业人力资源招聘过程中存在的风险,并提出了管理措施,希望能够为企业人力资源招聘工作者提供一定的借鉴.关键词：企业人力资源；招聘风险；风险管理链接：.[期刊论文]劳动力市场歧视理论下招聘过程中的典型歧视现象研究期刊：《现代营销》 | 2021 年第 007 期摘要：随着国家发展和经济体制改革的不断深入,我国的劳动力市场运转态势良好.但在招聘过程中,仍存在多种歧视现象:同等条件下,男性的机会多于女性,相貌较好的机会多于长相一般的,年纪较小的机会多于年龄偏大的,学历高的机会多于学历低的,本地户籍的多于外来务工的.这些现象分别可以概括为——性别歧视、相貌歧视、年龄歧视、学历歧视、户籍歧视.结合劳动力市场歧视理论,本文通过分析招聘过程中的典型歧视现象,并结合相关问题产生的原因,提出针对性的对策和建议.关键词：劳动力市场；招聘；歧视链接：.[期刊论文]2021年招聘市场偏谨慎 健康医疗等产业用人需求大期刊：《中国对外贸易》 | 2021 年第 003 期摘要：日前,据前程无忧统计显示,由于新冠肺炎疫情的不确定,由此带来市场多变,可持续经营和人力资源管理能力不足,2021年上半年民营企业在人才招聘上偏于谨慎。2020年下半年所有行业的招聘量都超过了上半年,在招聘量最大的前二十行业,房地产3年来首次超过互联网/电子商务行业,占据首位。预计2021年,健康医疗、农林牧渔、专业服务和检测认证等行业将有较大的用人增长,软件开发、半导体和教育培训等会面临较多的并购整合。关键词：检测认证；前程无忧；人才招聘；并购整合；民营企业；用人需求；健康医疗；软件开发链接：.[期刊论文]物流与供应链金融职位特征和人才需求研究——基于三大招聘网站招聘信息的分析期刊：《物流工程与管理》 | 2021 年第 002 期摘要：随着物流与供应链金融领域的迅速发展,我国物流业与金融业已成为人们共同关注的新兴领域,有着广阔的发展空间。文中根据目前三大互联网招聘网站上关于物流与供应链金融人才的招聘信息,采用文本处理和统计分析方法对其内容进行研究分析。通过组织和职位两个维度研究发现,物流与供应链金融有着人才需求市场比较集中、任职基本条件要求各有特点、职业素养要求基本相同、不同类型的岗位人才类型专业技能要求不同等特征,然后从专业开设、人才培养模式、实践能力培养和职业素质提升等方面对高校培养物流与供应链金融人才提出了针对性的建议。关键词：物流与供应链金融；职位特征；人才培养；互联网招聘；人才需求链接：.[期刊论文]招聘信息期刊：《丝网印刷》 | 2021 年第 003 期摘要：杭州恒基油墨涂料有限公司诚聘杭州恒基油墨公司高薪招聘UV-LED丝印油墨资深研发工程师。要求具备UVLED丝印油墨研发经验5年以上,大学本科学历以上,身体健康,工作敬业,男女不限。录用后年薪50万起。联系人:闻华明(总经理)联系电话:。关键词：大学本科学历；研发经验；招聘信息；研发工程师链接：.[学位论文]面向智能招聘的数据挖掘方法及其应用目录著录项学科：计算机应用技术授予学位：博士年度：2021正文语种：中文语种链接：
1979年，李树深进入河北师范大学物理系学习 。
1983年，本科毕业后留校工作，在河北师范大学物理系任教，先后担任助教(1983年7月-1986年8月)、讲师(1989年5月-1993年8月) 。
1986年，考取西南交通大学固体物理专业硕士研究生。1989年，获得硕士学位。
1994年，考取中国科学院半导体研究所博士研究生。1996年，获得博士学位。曾先后在日本NEC电器株式会社筑波研究所、义大利国际理论物理中心和香港科技大学物理系进行光电子器件相关性能预测研究。
2003年，获得国家杰出青年科学基金资助 。
2006年，担任中国科学院半导体研究所副所长、党委副书记(至2011年) 。同年担任国家创新研究群体"半导体低维结构中的量子调控"学术带头人。
2009年，担任国家重大科学研究计画项目(973项目)首席科学家。入选国家级"新世纪百千万人才工程"。
2011年，当选为中国科学院院士(科学院信息技术科学部) ，11月获得何梁何利基金科学与技术进步奖 ，12月出任中国科学院半导体研究所所长(至2018年4月)、党委书记(2014年6月) 。
2015年11月21日，开发中国家科学院第26届院士大会上，李树深正式成为开发中国家科学院士，任期为2016至2018年 。
2017年12月，中国科学院官网"院领导集体"页面更新显示，中国科学院党组成员李树深同时担任副院长一职 。
2018年5月7日，中国科学院大学领导班子个别调整宣布会议在玉泉路校区礼堂报告厅召开，会议由中科院人事局局长孙晓明主持，会上孙晓明宣读了院党组的决定:李树深同志任中国科学院大学校长(兼，法定代表人)。
李树深主要从事半导体低维量子结构中的器件物理基础研究。提出了研究半导体耦合量子点(环)电子态结构的一种物理模型，理论上确定了半导体量子点可以吸收垂直入射光，发现了半导体量子点电荷量子比特真空消相干机制，发展了电子通过半导体量子点的量子输运数值计算方法 。
李树深先后参加和主持国家八五、九五攀登计画、国家重大基础研究计画项目(973项目)及国家自然科学基金委和中国科学院重大、重点项目多项 ，2004年、2009年和2017年三次获国家自然科学二等奖 。
承担项目
成果奖励
截至2017年，李树深在包括《美国科学院院刊》、《美国物理评论快报》在内的中国国内外重要学术期刊发表论文200余篇 。
代表性论著(10篇)
[1]. Shu-Shen Li and Jian-Bai Xia, Effective-mass theory for GaAs/GaAlAs quantum wires and corrugated superlattices grown on (311) oriented substrates. Phys. Rev. B50, 8602 (1994).
[2]. Shu-Shen Li , Jian-Bai Xia, Z. L. Yuan, Z. Y. Xu, Weikun Ge, Y. Wang, J. Wang, and L. L. Chang, Effective-mass theory for InAs/GaAs strained coupled quantum dots. Phys. Rev. B54, 11575 (1996).
[3]. Shu-Shen Li and Jian-Bai Xia, Intraband optical absorption in semiconductor coupled quantum dots. Phys. Rev. B55, 15 434 (1997).
[4]. Shu-Shen Li and Jian-Bai Xia, Electronic structures of InAs self-assembled quantum dot in an axial magic field. Phys. Rev. B58, 3561 (1998).
[5]. Shu-Shen Li and Jian-Bai Xia, Electronic states of InAs/GaAs quantum ring. J. Appl. Phys. 89, 3434 (2001).
[6]. Shu-Shen Li , Gui-Lu Long, Feng-Shan Bai, Song-Lin Feng, and Hou-Zhi Zheng, Quantum puting. Pro. Natl. Acad. Sci. USA, 98(21), 11847 (2001).
[7]. Shu-Shen Li , Kai Chang, Jian-Bai Xia, and Kenji Hirose, Spin-dependent transport through Cd1-xMnxTe diluted magic semiconductor quantum dots, Phys. Rev. B68, 245 306 (2003).
[8]. Shu-Shen Li , Kai Chang, and Jian-Bai Xia, Effective-mass theory for hierarchical self-assembly of GaAs/AlxGa1-xAs quantum dots, Phys. Rev. B71, 155 301 (2005).
[9]. Shu-Shen Li and Jian-Bai Xia, Asymmetric quantum-confined Stark effects of hierarchical self-assembly of GaAs / AlxGa1-xAs quantum dots, Appl. Phys. Lett. 87, 043 102 (2005).
[10]. Shu-Shen Li and Jian-Bai Xia, Electronic structures of N quantum dot molecule, Appl. Phys. Lett. 91, 092119 (2007).
2012年12月22日，中国科学院大学材料科学与光电技术学院第一次院务会上，作为学术委员会主任的李树深针对博士资格考试的议题谈到，国科大的博士生培养应该是精英教育，博士生的质量体现了国科大和中科院的教育水平，应当推行博士生资格考试，这对于树立学校的教育品牌非常重要 。
李树深长期担任中国科学院大学材料科学与光电技术学院院长和首届本科生1412班班主任，在他的带领下，中国科学院大学的材料学科进入ESI排名前万分之一，并入选首批国家一流学科建设名单。他丰富的科教融合工作阅历和经验，对国科大深入推进以人才队伍为核心的"科教融合"、推动学校综合改革，整体提升创新能力起到重要作用 。
截至2016年，李树深一共培养了50多名博士和多名硕士，6名博士后出站。2009年指导的博士生李彦超获得朱李月华优秀博士生奖 。根据中国科学技术信息研究所、国家工程技术数字研究馆信息、全国图书馆参考咨询联盟，李树深培养学生情况如下 :
艾合买提
.阿不力孜
李树深从事低维半导体物理及器件、光电子器件性能预测、固态量子信息等物理基础研究，他的研究工作被国际同行广泛引用，其中包括国际著名半导体物理专家的综述性论文，并被写入专著 。(兰州大学评)
现今社会，人才是第一生产力。对于企业来说，人才选拔和培养已经成为最迫切的任务。因此，招聘到适合公司岗位的人才，已成为现今企业人力资源管理的新命题、新挑战。文中详细论述了国外对员工甄选方法的基本内容及研究现状和及国内企业甄选现状及不足，因此提出一个行之有效的甄选流程是我们值得研究的问题。1 企业员工甄选方法国内外研究现状、基本内容。甄选的涵义。甄选是根据所招募工作职位的特点，选用恰当的甄选方法和程序，以最低的成本，确保岗位和人员的最佳匹配。甄选的内容（1）保证甄选工作的科学性标准；（2）根据组织的性质特点及工作职位的要求，选用恰当的这些技术；（3）做出甄选的决策，确保拟聘职位与最终的被录用者之间达到最佳匹配。国内外甄选过程中的一般方法。心理测试法（1）心理测试法的含义。心理测验法是根据已标准化的实验工具如量表，引发和刺激被测试者的反应，所引发的反应结果由被测试者自己或他人记录，然后通过一定的方法进行处理，予以量化，描绘行为的轨迹，并对其结果进行分析。对被测试者心理现象或心理品质进行的定量分析。随着计算机技术的发展和广泛应用，心理测验领域已出现了明显的计算机化的趋势（2）测试方式。智力测验：认知功能的测量；知觉、空间意识、语言能力、数字能力、记忆力等。个性测验：情绪、性格、态度、工作动机、品德、价值观等。心理健康测验：测定应聘者的人生观、价值观等。职业能力测验：针对企业管理工作的需要测定应聘者的职业能力。职业兴趣测验：测试应聘者对该职业的兴趣。创造力测验：流畅力、变通力、精致力、敏觉力和独创力。评价中心法（1）评价中心法的含义：评价中心法，是创设一个模拟的管理系统或工作场景，将被测试者纳入该系统中，采用多种评价技术和手段，观察和分析被测试者在模拟的工作情境压力下的心理和行为，以测量其管理能力和潜能的测评方法。（2）常用方法常用的方法：公文筐处理；无领导小组讨论；角色扮演法；管理游戏。观察判断法（1）含义观察判断法是以观察被测试者行为反应作为基本手段，判断其内在素质能力的一种方法。它是以测评人员素质为目的，借助一定的量表，在观察的基础上进行测评活动（2）方法事件记录与关键事件法；检核性描述量表；观察测评量表；人物推定表；背景考察。纸笔测评法纸笔测评法是考评应聘者学识水平的重要工具,通过设计相关试题考查应聘者的基本知识、专业知识、管理知识、综合分析能力、逻辑推理能力、文字表达能力。面试法（1）含义。面试是最常见的甄选方法之一。面试可以通过与应聘者对话、提问等方式，了解应聘者的性格和智力，并能评价应聘者的主观方面。可以对应聘者的综合素质进行较为全面的测评。（2）面试的常用方法。情景面试：面试题目主要由一系列假设的情景构成，通过评价求职者在这些情景下的反应情况，对面试者进行评价。a.能力面试法：考查求职者如何去实现所追求的目标。b.系列面试法：有几位主考官对求职者进行面试，每位主考官依据标准评价表做出评定，然后对每位主考官评定结果进行综合比较分析，最后做出录用决策。c.小组面试法：有几位主考官组成面试小组，从不同侧面提出不重复的问题，要求求职者回答。d.压力面试：主考官通过有意制造紧张气氛，考查求职者对工作上承受的压力作何反应。国内企业甄选现状缺乏计划性首先要确定企业发展战略目标，制定人力资源规划中应明确指出，才能确定企业每个岗位需要什么样的员工。目前国内的许多企业人员的配置缺乏计划性表现在没有与企业的短、长期目标相结合，只关注眼前的人员需求，对企业可能存在的变化与发展没有预见，造成招募人才上的失误，形成企业资源和成本上的浪费。任职资格没有针对性目前国内许多企业都缺乏人力资源规划，没有制定一个招聘的标准，在用人部门提出招聘申请时，也不明确表示需要什么样的人才，人事部更没有明确这个标准，人事部便以一般的公共标准草拟了招聘启事。也没有研究讨论并定义该职务的任职资格，于是引来了各类求职者，各层次的人才一应俱全，增加了简历筛选的工作量，减少了合适人选的面试几率，招聘工作既没有效率，又没有质量，并且辜负了不少求职者的企盼。面试过程不合理对于目前国内一些企业的面试而言，一般经过初试和复试两道程序，人力资源部负责初次面试，然后用人部门进行复试，一般通过初试与复试的应聘者将会被录用。并且，通常在面试问题的设置上，主考官基本没有仔细考量过，一般都是随机发问，至于问题的目的和考察求职者哪一方面素质，考官们自己也不是很清楚；在面试过程中，最重要的是，面试考官往往根据“第一印象”的偏好做出判断，印象好的多问些，相反则草草结束面试。这样给录用真正符合企业、符合该职务的人才造成了极大的偏差。测评体系缺乏科学性往往用人单位根主考官的感觉即决定是否录用一个人，而不是系统的评估一个人是否有能力成为公司的有效的一份子。单纯用某些技能来衡量人的价值，而没有从态度、行为方式、价值观等方面进行测评，录用后觉得失望也是在所难免的。毕竟，技能是可以通过相关培训来培养的，而人的性格、价值观等是很难轻易改变的。所以就人才测评体系的建设方面,目前的中国本土企业很少有几个公司的测评体系做到专业且成熟的程度,包括目前所谓的中国前500强企业。录用决策过于草率和主观目前中国企业一般招聘的人员都是基层员工，，人员录用决策是比较简单的，因为用人方面有极强的岗位对应性，比如一线的操作工，招聘的目的很明确。但当招聘管理岗位，尤其是较高的管理职务时，由于测评系统的不完善或是评价意见的不统一，每个招聘岗位可能存在多个合适人选，或求职者适合多个岗位，且招聘人选相互之间差异不明显，此时人员录用决策就比较复杂，不能简单的做出录用决策。企业一般采取“谁的职位高谁说了算”来解决这一困扰，只要是领导喜欢，领导说用谁就用谁，其他部门倒也轻松了。决策正确还好，如果决策失误，则可能使整个招聘过程功亏一篑，不仅使企业蒙受重大的经济损失，还会因此阻碍企业的发展。对基于胜任力模型的甄选方法的误解麦克利首先提出“胜任力”这个概念，经过长期的研究提出了胜任力模型及其分析和评价方法。随着我国企业在人力资源管理和实践能力的不断提高，也引进了这个概念，并且大部分企业在招聘工作中都采用基于胜任力模型的甄选办法。但在引进这一办法的同时也对这一概念的理解产生了偏差。目前国内对胜任力的定义所存在的误区主要有两个：(1)把岗位胜任力等同于岗位任职资格，认为必须具备岗位胜任力才能上岗。例如，我们经常在招聘信息上看到某岗位要求“本科、某某专业、英语6级、计算机二级、一年以上相关工作经验”等等这样的字眼。这些都是岗位的任职资格，也就是说如果不具备这些条件，你的工作能力再强，也没有机会入选。这是一个很普遍的现象，但这就完全违背了胜任力的内涵。因为任职资格要求不能保证人员在岗位上一定会有出色的表现，它是把差与一般区别开来，而不是区别一般与优秀人才。现在有很多企业都这样做，因此还需要在好好理解“胜任力”这一涵义的基础上做出改进。(2)把绩优人员具备的一切特征都归入岗位胜任力的范畴。事实上，把绩优者的一切特征都归入岗位胜任力范畴后，企业很难招到人才，因为企业把门槛设得太高了。反过来说，知识技能出色、背景优秀的人才不一定能获得成功。2 总结以上问题，反映了国内企业招聘在确定甄选标准和进行素质测评方面缺乏一定的专业水平，影响了企业人力资源管理的进步，制约了企业的发展壮大。通过对国内外提出的各种甄选办法的研究可以发现，每种方法都有其优点与不足，那么如何组合使用这些方法，并提出一个行之有效的甄选流程是我们值得研究的问题。参考文献[1] 马冬冰 基于胜任力模型的招聘甄选管理体系的构建 重庆科技学院学报 2007年第6期[2] 张文斌，陈晓光，胡眉玲 建立系统的人力资源预测与甄选体系提高专业化人力资源管理水平 电力勘测设计 2008年4月 第2期[3] 孙武 企业如何甄选可用之才 中国人力资源开发 2009年1月 第233期[4] 何锦华 企业招聘面试存在的问题及对策 中国水运 2007年9月 第9期 第7卷[5] 许广永,丁玉玺 浅谈胜任力在甄选中的应用 黑龙江对外经贸 2007年 第1期[6] 林敬伟 人才甄选面试中应聘者印象管理策略的采用及其影响因素 林业机械与木工设备2009年10月 第10期 第37卷[7] 刘宇璟 人力资源管理专业实训课程的教学体系设计探讨 教研教改 2009年10月（下旬刊）[8] 张相林 微软公司人才甄选策略及启示 中国人才 2009年8月[9] 吴旭峰,杨玥 现代服务业人力资源甄选及管理研究 学习与探索 2008年 第6期[10] 郑立明,李贝贝 招聘甄选的本质和误区 管理批判 2010年1月[11] 王庆娟,张义明 中国文化下的甄选程序公平原则 中国人力资源开发 2008年5月 第215期[12] 黄光圣,魏书堂 组织甄选偏差的来源及其风险应对策略 广东财经职业学院报 2009年2月 第1期
应该是1000-3231 感光科学与光化学，是EI的。EI《Ei Compendex》收录的中国期刊ISSN 期刊刊名0567-7718 Acta Mechanica Sinica/Lixue Xuebao1006-7191 Acta Metallurgica Sinica (English Letters)0253-4827 Applied Mathematics and Mechanics (English Edition)1004-5341 China Welding (English Edition)1004-9541 Chinese Journal of Chemical Engineering1022-4653 Chinese Journal of Electronics1000-9345 Chinese Journal of Mechanical Engineering (English Edition)1671-7694 Chinese Optics Letters1006-6748 High Technology Letters1004-0579 Journal of Beijing Institute of Technology (English Edition)1005-9784 Journal of Central South University of Technology (English Edition)1553-9105 Journal of Computational Information Systems1000-1484 Journal of Dong Hua University (English Edition)1005-9113 Journal of Harbin Institute of Technology (New Series)1001-6058 Journal of Hydrodynamics1548-7741 Journal of Information and Computational Science1005-0302 Journal of Materials Science and Technology1002-0721 Journal of Rare Earths1003-7985 Journal of Southeast University (English Edition)1004-4132 Journal of Systems Engineering and Electronics1003-2169 Journal of Thermal Science1005-8850 Journal of University of Science and Technology Beijing: MineralMetallurgy Materials (Eng Ed)1009-3095 Journal of Zhejiang University: Science1001-0521 Rare Metals1006-9291 Science in China, Series B: Chemistry1003-6326 Transactions of Nonferrous Metals Society of China (English Edition)1006-4982 Transactions of Tianjin University1007-0214 Tsinghua Science and Technology0253-4177 半导体学报1001-1455 爆炸与冲击1001-5965 北京航空航天大学学报1001-053X 北京科技大学学报1001-0645 北京理工大学学报1000-1522 北京林业大学学报1007-5321 北京邮电大学学报1005-0299 材料科学与工艺1009-6264 材料热处理学报1005-3093 材料研究学报1007-7294 船舶力学1000-8608 大连理工大学学报1000-2383 地球科学 — 中国地质大学学报1005-0388 电波科学学报1000-1026 电力系统自动化0372-2112 电子学报1005-3026 东北大学学报（自然科学版）1001-0505 东南大学学报 （自然科学版）1000-3851 复合材料学报1003-9015 高校化学工程学报1000-5773 高压物理学报1000-4750 工程力学1001-9731 功能材料1000-3819 固体电子学研究与进展1006-2793 固体火箭技术1005-0086 光电子.激光1004-924X 光学精密工程0253-2239 光学学报0454-5648 硅酸盐学报1006-7043 哈尔滨工程大学学报0367-6234 哈尔滨工业大学学报0253-360X 焊接学报1005-5053 航空材料学报1000-8055 航空动力学报1000-6893 航空学报0258-0926 核动力工程1001-9014 红外与毫米波学报1000-2472 湖南大学学报 （自然科学版）1000-565X 华南理工大学学报（自然科学版）1671-4512 华中科技大学学报（自然科学版）0438-1157 化工学报0577-6686 机械工程学报1671-5497 吉林大学学报（工学版）1006-5911 计算机集成制造系统0254-4164 计算机学报1007-4708 计算力学学报1001-246X 计算物理0258-1825 空气动力学学报1000-8152 控制理论与应用1001-0920 控制与决策1004-0595 摩擦学学报1000-0925 内燃机工程1000-0909 内燃机学报1005-2615 南京航空航天大学学报1005-9830 南京理工大学学报 （自然科学版）1001-4322 强激光与粒子束1000-0054 清华大学学报 （自然科学版）1006-8740 燃烧科学与技术1000-9825 软件学报0254-0150 润滑与密封1006-2467 上海交通大学学报1671-2021 沈阳建筑大学学报（自然科学版）0371-0025 声学学报1001-8719 石油学报:石油加工1009-3087 四川大学学报(工程科学版)0254-0096 太阳能学报0493-2137 天津大学学报0253-374X 同济大学学报 （自然科学版）1001-4055 推进技术1000-324X 无机材料学报1001-2400 西安电子科技大学学报0253-987X 西安交通大学学报1000-2758 西北工业大学学报1007-8827 新型 炭材料1000-6915 岩石力学与工程学报1000-7598 岩土力学1005-0930 应用基础与工程科学学报1000-6931 原子能科学技术1008-973X 浙江大学学报 （工学版）0253-9748 真空科学与技术学报1004-4523 振动工程学报1000-3835 振动与冲击0258-8013 中国电机工程学报1022-0666 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数据库收录重点是下列主要工程学科：化学工程，土木工程；电子/电气工程，机械工程，冶金、矿业、石油工程，计算机工程和软件。美国工程信息公司副总裁Katz认为：“这些是Compendex数据库的‘核心’领域。”目前，核心期刊约有1000种；每期所有论文均被录入Compendex。国内《金属学报》、《清华大学学报》等为核心期刊。（2）选择期刊，一些学科领域的期刊是有选择地收录，包括：农业工程、工业工程、纺织工程、应用化学、应用数学、应用力学、大气科学、造纸化学和技术，高等学校工程类学报等。Compendex 只选择与其主题范围有关的文章，并不是所以文章均被收录。目前，选择期刊约1600种，国内以上学科的期刊大多数为选择期刊。（3）扩充期刊，它只收录题录（Ei Page One）。在Ei的扩充版中，约2800种期刊。国内期刊比较多。
半导体射线探测器最初约年研究核射线在晶体上作用, 表明射线的存在引起导电现象。但是, 由于测得的幅度小、存在极化现象以及缺乏合适的材料, 很长时间以来阻碍用晶体作为粒子探测器。就在这个时期, 气体探测器象电离室、正比计数器、盖革计数器广泛地发展起来。年, 范· 希尔顿首先较实际地讨论了“ 传导计数器” 。在晶体上沉积两个电极, 构成一种固体电离室。为分离人射粒子产生的载流子, 须外加电压。许多人试验了各种各样的晶体。范· 希尔顿和霍夫施塔特研究了这类探测器的主要性质, 产生一对电子一空穴对需要的平均能量, 对射线作用的响应以及电荷收集时间。并看出这类探测器有一系列优点由于有高的阻止能力, 人射粒子的射程小硅能吸收质子, 而质子在空气中射程为, 产生一对载流子需要的能量比气体小十倍, 在产生载流子的数目上有小的统计涨落, 又比气体计数器响应快。但是, 尽管霍夫施塔特作了许多实验,使用这种探侧器仍受一些限制, 像内极化效应能减小外加电场和捕捉载流子, 造成电荷收集上的偏差。为了避免捕捉载流子, 需外加一个足够强的电场。结果, 在扩散一结, 或金属半导体接触处形成一空间电荷区。该区称为耗尽层。它具有不捕捉载流子的性质。因而, 核射线人射到该区后, 产生电子一空穴载流子对, 能自由地、迅速向电极移动, 最终被收集。测得的脉冲高度正比于射线在耗尽层里的能量损失。要制成具有这种耗尽层器件是在年以后, 这与制成很纯、长寿命的半导体材料有关。麦克· 凯在贝尔电话实验室, 拉克· 霍罗威茨在普杜厄大学首先发展了这类探测器。年, 麦克· 凯用反偏锗二极管探测“ 。的粒子, 并研究所产生的脉冲高度随所加偏压而变。不久以后, 拉克· 霍罗威茨及其同事者测量一尸结二极管对。的粒子, “ , 的刀粒子的反应。麦克· 凯进行了类似的实验, 得到计数率达, 以及产生一对空穴一电子对需要的能量为土。。麦克· 凯还观察到,加于硅、锗一结二极管的偏压接近击穿电压时, 用一粒子轰击, 有载流子倍增现象。在普杜厄大学, 西蒙注意到用粒子轰击金一锗二极管时产生的脉冲。在此基础上, 迈耶证实脉冲幅度正比于人射粒子的能量, 用有效面积为二“ 的探测器, 测。的粒子, 得到的分辨率为。艾拉佩蒂安茨研究了一结二极管的性质, 载维斯首先制备了金一硅面垒型探测器。年以后, 许多人做了大量工作, 发表了广泛的著作。沃尔特等人讨论金一锗面垒型探测器的制备和性质, 制成有效面积为“ 的探测器, 并用探测器, 工作在,测洲的粒子, 分辨率为。迈耶完成一系列锗、硅面垒型探测器的实验用粒子轰击。年, 联合国和欧洲的一些实验室,制备和研究这类探测器。在华盛顿、加丁林堡、阿什维尔会议上发表一些成果。如一结和面垒探测器的电学性质, 表面状态的影响, 减少漏电流, 脉冲上升时间以及核物理应用等等。这种探测器的发展还与相连的电子器件有很大关系。因为, 要避免探测器的输出脉冲高度随所加偏压而变, 需一种带电容反馈的电荷灵敏放大器。加之, 探测器输出信号幅度很小, 必需使用低噪声前置放大器, 以提高信噪比。为一一满足上述两个条件, 一般用电子管或晶体管握尔曼放大器, 线幅贡献为。在使用场效应晶体管后, 进一步改善了分辨率。为了扩大这种探测器的应用, 需增大有效体积如吸收电子需厚硅。采用一般工艺限制有效厚度, 用高阻硅、高反偏压获得有效厚度约, 远远满足不了要求。因此, 年, 佩尔提出一种新方法, 大大推动这种探测器的发展。即在型半导体里用施主杂质补偿受主杂质, 能获得一种电阻率很高的材料虽然不是本征半导体。因为铿容易电离, 铿离子又有高的迁移率, 就选铿作为施主杂质。制备的工艺过程大致如下先把铿扩散到型硅表面, 构成一结构, 加上反向偏压, 并升温, 锉离一子向区漂移, 形成一一结构, 有效厚度可达。这种探测器很适于作转换电子分光器, 和多道幅度分析器组合, 可研究短寿命发射, 但对卜射线的效率低, 因硅的原子序数低。为克服这一点, 采用锉漂移入锗的方法锗的原子序数为。年, 弗莱克首先用型锗口,按照佩尔方法, 制成半导体探测器,铿漂移长度为, 测‘“ 、的的射线, 得到半峰值宽度为直到年以前, 所有的探测器都是平面型, 有效体积受铿通过晶体截面积到“和补偿厚度的限制获得补偿厚度约, 漂移时间要个月, 因此, 有效体积大于到” 是困难的。为克服这种缺点, 进一步发展了同轴型探测器。年, 制成高分辨率大体积同轴探测器。之后, 随着电子工业的发展而迅速发展。有效体积一般可达几十“ , 最大可达一百多“ , 很适于一、一射线的探测。年以后广泛地用于各个部门。最近几年, 半导体探测器在理论研究和实际应用上都有很大发展。
论文提要怎么写 论文提要是对文章内容不加注释和评论的简短陈述，具有独立性和完整性用于检索； 一般包括：研究的目的与重要性、内容、解决的问题、获得的主要成果及其意义； 小摘要（200-300字） 麻雀虽小，五脏俱全 大摘要（600字左右） 突出研究成果和创新点的描述 关键词 4-6个反映文章特征内容，通用性比较强的词组 第一个为本文主要工作或内容，或二级学科 第二个为本文主要成果名称或若干成果类别名称 第三个为本文采用的科学研究方法名称，综述或评论性文章应为"综述"或"评论" 第四个为本文采用的研究对象的事或物质名称 避免使用分析、特性等普通词组 关键词例举 例1 氖原子束计算全息编码成像模拟研究 关键词 纳米技术 计算全息 原子光学 激光冷却 例2 激光瞄准大轴半径测量方法研究 关键词 大轴径 CCD 激光光斑 直径测量。 什么是论文的摘要、关键词 毕业论文摘要的书写方法和技巧 1.摘要的作用 摘要也就是内容提要，是论文中不可缺少的一部分.论文摘要是一篇具有独立性的短文，有其特别的地方.它是建立在对论文进行总结的基础之上，用简单、明确、易懂、精辟的语言对全文内容加以概括，留主干去枝叶，提取论文的主要信息.作者的观点、论文的主要内容、研究成果、独到的见解，这些都应该在摘要中体现出来.好的摘要便于索引与查找，易于收录到大型资料库中并为他人提供信息.因此摘要在资料交流方面承担着至关重要的作用. 2.书写摘要的基本规范和原则 （1）论文摘要分为中文摘要和外文（一般为英文）摘要.摘要在篇幅方面的限定，不同的学校和机构有不同的要求，通常中文摘要不超过300字，英文摘要不超过250个实词，中英文摘要应一致.毕业论文摘要可适当增加篇幅. （2）多向指导教师请教，并根据提供的意见及时修改，以期达到更高水平. （3）摘要是完整的短文，具有独立性，可以单独使用.即使不看论文全文的内容，仍然可以理解论文的主要内容、作者的新观点和想法、课题所要实现的目的、采取的方法、研究的结果与结论. （4）叙述完整，突出逻辑性，短文结构要合理. （5）要求文字简明扼要，不容赘言，提取重要内容，不含前言、背景等细节部分，去掉旧结论、原始数据，不加评论和注释.采用直接表述的方法，删除不必要的文学修饰.摘要中不应包括作者将来的计划以及与此课题无关的内容，做到用最少的文字提供最大的信息量. （6）摘要中不使用特殊字符，也不使用图表和化学结构式，以及由特殊字符组成的数学表达式，不列举例证. 3.摘要的四要素 目的、方法、结果和结论称为摘要的四要素. （1）目的：指出研究的范围、目的、重要性、任务和前提条件，不是主题的简单重复. （2）方法：简述课题的工作流程，研究了哪些主要内容，在这个过程中都做了哪些工作，包括对象、原理、条件、程序、手段等. （3）结果：陈述研究之后重要的新发现、新成果及价值，包括通过调研、实验、观察取得的数据和结果，并剖析其不理想的局限部分. （4）结论：通过对这个课题的研究所得出的重要结论，包括从中取得证实的正确观点，进行分析研究，比较预测其在实际生活中运用的意义，理论与实际相结合的价值. 4.撰写步骤 摘要作为一种特殊的陈述性短文，书写的步骤也与普通类型的文章有所不同.摘要的写作时间通常在论文的完成之后，但也可以采用提早写的方式，然后再边写论文边修改摘要.首先，从摘要的四要素出发，通读论文全文，仔细将文中的重要内容一一列出，特别是每段的主题句和论文结尾的归纳总结，保留梗概与精华部分，提取用于编写摘要的关键信息.然后，看这些信息能否完全、准确的回答摘要的四要素所涉及的问题，并要求语句精炼.若不足以回答这些问题，则重新阅读论文，摘录相应的内容进行补充.最后，将这些零散信息，组成符合语法规则和逻辑规则的完整句子，再进一步组成通畅的短文，通读此短文，反复修改，达到摘要的要求. 5.关于英文摘要 （1）英文摘要的写作方法要依据公认的写作规范. （2）尽量使用简单句，避免句型单调，表达要求准确完整. （3）正确使用冠词. （4）使用标准英语书写，避免使用口语，应使用易于理解的常用词，不用生僻词汇. （5）作者所做工作用过去时，结论用现在时. （6）多使用主动语态. 6.关键词 关键词是为了文献标引工作从报告、论文中选出来用以表示全文主题内容信息目的单词术语.每篇报告、论文选取3~8个词作为关键词，以显著的字符另起一行，排在摘要的左方.如有可能，尽量用《汉语主题词表》等词表提供的规范词.为了国际交流，应标注与中文对应的英文关键词. 关键词是主题词中的一类.主题词是一种新型检索词汇，多用于计算机网络检索. 关键词分为中文关键词和与之对应的英文关键词，分别置于中文摘要和英文摘要之下.为便于他人的检索，不能使用过于宽泛的词语.选择关键词既可以从论文的各级标题入手，也可以从论文本身的内容选取，将选出的关键词按照所涉及领域的范围从大到小顺序列出.。 本科毕业论文摘要怎么写 摘要是论文的重要组成部分，撰写论文的摘要，是为了把研究工作的主要内容以最简练的文字予以介绍，协助读者对该工作的目的、设计及研究结果较快地得出概括性的理解。 目前科技期刊的论文摘要一般要求按结构式摘要的格式书写，即明确写出目的、方法、结果、结论四部分。结构式论文摘要具有固定格式，其撰写格式与科研设计思维方法相一致，有助于作者理清思路，准确表达，甚至可促使作者在实验设计开始时就明确各项内容，使各部分更趋严密、合理，以得出正确结论，便于转载和传播。因此，摘要写得好坏直接影响读者对论文的理解，影响论文被利用的程度，论文作者必须重视摘要的写作。不同期刊对论文摘要的写法有不同的要求，《中国烟草学报》采用的是结构式摘要。 现针对本刊部分来稿在摘要撰写中存在的问题，对结构式摘要的书写方法和注意事项介绍如下。1论文摘要写作中存在的问题摘要过于简单，信息量不足，不能反映出论文的主要内容； 摘要不精炼，条理不清，结构混乱； 摘要内容表达不确切，摘要中出现对论文内容的主观见解、解释或评论； 未按国家标准要求书写，如句子中出现“本文"、“作者"等第一人称做主语；……。 2 摘要的结构目的：应简要说明研究的背景和目的，一般用1~2句话简要概括，不宜太过冗长。目的部分的文字最好不是对文题中已有信息的简单重复。 方法：应简述研究的材料（对象）、方法、设计方案、资料的收集处理和统计学分析方法等。 结果：应简要列出主要的结果，描述结果要尽量用具体数据，不要过于笼统。 尽可能不用“高于"、“低于"、“大于"、“小于"等笼统表达方法，应用具体数字说明是多高或多低，并注明统计学分析结果。 结论：应根据研究的目的和结果，得出客观适当的结论，并指出研究的价值和今后有待探讨的问题。 3 书写摘要注意事项撰写论文摘要应注意的问题：① 客观如实地反映所做的研究或工作，不加作者的主观见解、解释或评论；② 着重反映新内容和作者特别强调的观点；③ 排除在本学科领域已成常识的内容；④ 不要用第一人称如“本文"、“我们"、“作者"等作为主语，而应采用第三人称的写法，如 “对……进行了研究"、“报告了……现状"、“进行了……调查"等记述方式；⑤ 采用规范化名词术语（包括地名、机构名和人名）；⑥ 缩略语、略称、代号，除非本专业读者能清楚理解，否则首次出现时不论中、英文均应给出全称；⑦ 应采用国家颁布的法定计量单位；⑧ 注意正确使用简化字和标点符号；⑨ 一般不用引文（除非论文证实或否定了他人已发表的著作）；⑩ 一般不分段落。 论文摘要的字数要得当，书写论文摘要的主要目的是为了便于读者用最短的时间获得有关研究的主要信息。 字数少了难以说明问题，字数多了又无必要，故论文摘要的字数应该适当。一般而言，中文摘要一般不超过300字，英文摘要可适当长一些，因为英文摘要主要是给非汉语国家和地区读者看的，他们大多没有能力阅读中文全文。 英文摘要内容可较中文摘要稍详细一些，字数一般不超过400个英文单词。中英文摘要各项内容要基本相同。 《论文摘要怎么写例子》 论文一般应有摘要，有些为了国际交流，还有外文（多用英文）摘要。 它是论文内容不加注释和评论的简短陈述。其他读者不阅读论文全文即能获得必要的信息。 摘要应包含以下内容：①从事这一研究的目的和重要性；②研究的主要内容，指明完成了哪些工作；③获得的基本结论和研究成果，突出论文的新见解；④结论或结果的意义。论文摘要虽然要反映以上内容，但文字必须十分简炼，内容亦需充分概括，篇幅大小一般限制其字数不超过论文字数的5%。 例如，对于6000字的一篇论文，其摘要一般不超出300字。论文摘要不要列举例证，不讲研究过程，不用图表，不给化学结构式，也不要作自我评价。 [示例]论文题目：天体对地球重力加速度的影响论文摘要：地球重力加速度是一个极其重要的物理量，随着对重力加速度测量精度要求的日益提高，必须考虑天体对地球重力加速度的影响。本文介绍了天体（包含日、月及太阳系行星）对地球重力加速度影响的基本概念，推导了影响的计算公式，并经过误差分析，证明此公式的相对误差小于1*10-9，完全可满足现代精密重力加速度测量的要求。 撰写论文摘要的常见毛病，一是照搬论文正文中的小标题（目录）或论文结论部分的文字；二是内容不浓缩、不概括，文字篇幅过长。[示例]论文题目：集成电路热模拟模型和算法论文提要：众所周知，半导体器件的各种特性参数都是温度的灵敏函数学[诸如ls(T),B(T),C1(T),Cp(T)……]。 集成电路将大量元件集成在一块苡片上，电路工作时，元件功耗将产生热量，沿晶片向四周扩散。但是由于半导体片及基座材料具有热阻，因此芯片上各点温度不可能相同。 特别对于功率集成电路，大功率元件区域将有较高温度所以在芯片上存在着不均匀的温度分布。但是为了简化计算，一般在分析集成电路性能时，常常忽略这种温度差别，假定所有元件者处于同一温度下。 例如通用的电路模拟程序--SPICE就是这样处理的。显然这一假定对集成电路带来计算误差。 对于功率集成电路误差将更大。因此，如何计算集成电路芯片上的温度分布，如何计算元件温度不同时的电路特性，以及如何考虑芯片上热、电相互作用，这就是本文的目的。 本文介绍集成电路的热模拟模型，并将热路问题模拟成电路问题，然后用电路模拟程序求解芯片温度分由。这样做可以利用成熟的电路分析程序，使计算的速度和精度大为提高。 作者根据这一模型和算法，编制了一个YM-LiN-3的FORTRAN程序，它可以确定芯片温度分布，也可发计算元件处于不同温度时的电路特性，该程序在微机IBM-PC上通过，得到满意结果。上述论文提要字数近600，显然过长，只要认真加以修改（例如：第一段可删掉，第二段只保留其中的最后几句话，加上第三段），便可以二三百个字编写论文摘要。 论文摘要范例：一、 职称论文摘要范例【题目】字图书馆建设的问题与策略【摘要】当代图书馆建设的发展方向是数字图书馆，数字图书馆是未来图书馆的存在形式，它的研究与建设水平将直接影响到我国图书馆在未来信息时代的地位和作用。本文针对图书馆数字化发展的客观趋势，从我国数字图书馆面临的问题出发，分析并探讨了数字图书馆建设中应解决的主要战略问题与策略。 【题目】依法进行拆迁 建设和谐城市【摘要】依法进行拆迁，建设和谐城市是 *** 部门开展城市规划的最终目的，要想实现这一目标，就要研究依法拆迁的意义，探讨各种拆迁矛盾的成因，找出解决各方面利益纠纷的办法，从完善法律法规、争取人民利益的角度出发，为建设和谐社会贡献力量。二、 毕业论文硕士论文博士论文摘要范例【论文题目】机动车尾气污染防治对策与城市交通改善研究【中文摘要】本论文通过分析机动车尾气污染产生的原因，论述了采取多种防治对策以旨在减少机动车的尾气污染排放，同时对城市交通改善问题进行了深入的研究。 本文首先论述了我国由于机动车尾气排放造成的城市大气污染的严重形势。论述了机动车尾气污染的产生原因。 通过总结国内外机动车污染控制的发展历程、经验及教训，作者从两方面重点论述了控制机动车尾气污染的途径。其一是从机动车本身入手，在机动车生产、检验、维护保养以及采用新技术等方面对机动车加以改造，力争从尾气排放污染源加以控制；其次，作者根据我国交通的具体状况，详细分析了城市交通改善与机动车尾气排放的关系，根据翔实的数据：说明了在我国交通拥堵是造成机动车尾气污染的最主要原因。 在科学交通管理的原则指导下，作者详细论述了科学交通管理的卞要措施，特别分析了对路口的交通控制策略的仿真优化过程，通过仿真结果表明，对路口的交通控制策略的优化将对尾气排放产生非常重大的影响，可以显著地减少污染排放总量。因此作者认为，科学交通管理是控制城市机动车尾气污染排放的根本出路。 【外文摘要】The study starts 'with the discussion of the serious air pollution situation in the major cities in China which is caused by the vehicle emission. By summarize the development and experience of the pollution control domestically and abroad, the author emphasized the two 。 内容摘要格式 摘要（Abstract） 论文一般应有摘要，有些为了国际交流，还有外文（多用英文）摘要。它是论文内容不加注释和评论的简短陈述。摘要其它用处是不阅读论文全文即能获得必要的信息。 摘要应包含以下内容： ①从事这一研究的目的和重要性； ②研究的主要内容，指明完成了哪些工作； ③获得的基本结论和研究成果，突出论文的新见解； ④结论或结果的意义。 论文摘要虽然要反映以上内容，但文字必须十分简炼，内容亦需充分概括，篇幅大小一般限制其字数不超过论文字数的5%。例如，对于6000字的一篇论文，其摘要一般不超出300字。 论文摘要不要列举例证，不讲研究过程，不用图表，不给化学结构式，也不要作自我评价。撰写论文摘要的常见毛病，一是照搬论文正文中的小标题（目录）或论文结论部分的文字；二是内容不浓缩、不概括，文字篇幅过长。 本科毕业论文摘要怎么写？？ 摘要是论文的重要组成部分，撰写论文的摘要，是为了把研究工作的主要内容以最简练的文字予以介绍，协助读者对该工作的目的、设计及研究结果较快地得出概括性的理解。目前科技期刊的论文摘要一般要求按结构式摘要的格式书写，即明确写出目的、方法、结果、结论四部分。结构式论文摘要具有固定格式，其撰写格式与科研设计思维方法相一致，有助于作者理清思路，准确表达，甚至可促使作者在实验设计开始时就明确各项内容，使各部分更趋严密、合理，以得出正确结论，便于转载和传播。因此，摘要写得好坏直接影响读者对论文的理解，影响论文被利用的程度，论文作者必须重视摘要的写作。不同期刊对论文摘要的写法有不同的要求，《中国烟草学报》采用的是结构式摘要。现针对本刊部分来稿在摘要撰写中存在的问题，对结构式摘要的书写方法和注意事项介绍如下。1论文摘要写作中存在的问题摘要过于简单，信息量不足，不能反映出论文的主要内容； 摘要不精炼，条理不清，结构混乱； 摘要内容表达不确切，摘要中出现对论文内容的主观见解、解释或评论； 未按国家标准要求书写，如句子中出现“本文"、“作者"等第一人称做主语；……。 2 摘要的结构目的：应简要说明研究的背景和目的，一般用1~2句话简要概括，不宜太过冗长。目的部分的文字最好不是对文题中已有信息的简单重复。 方法：应简述研究的材料（对象）、方法、设计方案、资料的收集处理和统计学分析方法等。 结果：应简要列出主要的结果，描述结果要尽量用具体数据，不要过于笼统。尽可能不用“高于"、“低于"、“大于"、“小于"等笼统表达方法，应用具体数字说明是多高或多低，并注明统计学分析结果。 结论：应根据研究的目的和结果，得出客观适当的结论，并指出研究的价值和今后有待探讨的问题。 3 书写摘要注意事项撰写论文摘要应注意的问题：① 客观如实地反映所做的研究或工作，不加作者的主观见解、解释或评论；② 着重反映新内容和作者特别强调的观点；③ 排除在本学科领域已成常识的内容；④ 不要用第一人称如“本文"、“我们"、“作者"等作为主语，而应采用第三人称的写法，如 “对……进行了研究"、“报告了……现状"、“进行了……调查"等记述方式；⑤ 采用规范化名词术语（包括地名、机构名和人名）；⑥ 缩略语、略称、代号，除非本专业读者能清楚理解，否则首次出现时不论中、英文均应给出全称；⑦ 应采用国家颁布的法定计量单位；⑧ 注意正确使用简化字和标点符号；⑨ 一般不用引文（除非论文证实或否定了他人已发表的著作）；⑩ 一般不分段落。 论文摘要的字数要得当，书写论文摘要的主要目的是为了便于读者用最短的时间获得有关研究的主要信息。字数少了难以说明问题，字数多了又无必要，故论文摘要的字数应该适当。一般而言，中文摘要一般不超过300字，英文摘要可适当长一些，因为英文摘要主要是给非汉语国家和地区读者看的，他们大多没有能力阅读中文全文。英文摘要内容可较中文摘要稍详细一些，字数一般不超过400个英文单词。中英文摘要各项内容要基本相同。 麻烦采纳，谢谢！