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高压CMOS电路的设计及制造工艺研究-介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻掺杂满区以形成漂移区等...
重庆大学硕士学位论文新型CMOS图像传感器的研究姓名：林聚承申请学位级别：硕士专业：仪器科学与技术指导教师：袁祥辉20060401重庆大学硕士学位论文中文摘要CMOS图像传感器在工业、交通、多媒体、医学等领域有着广泛的应用。
一种CMOS图像传感器的设计-图像传感器是将光信号转化为电信号的装置,在数字电视、可视通信市场中有着广泛的应用。作为传统的图像传感器,电荷耦合器件CCD(Charge-CoupledDevice)同互补金属氧化物半导体CMOS(Complementar...
毕业设计CMOS运算放大器版图设计.doc,摘要集成电路掩膜版图设计是实现电路制造所必不可少的设计环节,它不仅关系到集成电路的功能是否正确,而且也会极大程度地影响集成电路的性能、成本与功耗。本文依据基本CMOS集成运算放大电路的设计...
本文系微信公众号《大话成像》，知乎专栏《allincamera》原创文章大话成像读者QQ交流群：237427716大话计算机视觉QQ交流群：651805282本站教学视频大话成像之《数字成像系统》32讲已上线淘宝，搜索关键字‘…
CMOS图像传感器后段先进工艺制程，范洋洋，，本文研究基于55纳米CMOS制造工艺发展出来的CMOS图像传感器(CMOSImageSensor,CIS)的生产工艺，对后段工艺进行了优化改良以提高成像效…
基于65nmCMOS工艺的高速SRAM设计.徐晨杰.【摘要】：随着集成电路设计技术、集成电路设计软件以及集成电路制造工艺的进步,将微处理器、模拟IP核、数字IP核以及存储器集成到一起的片上系统芯片(SoC)以其高集成度、高可靠性、低功耗和小的体积等优点越来越...
最新博士论文—《纳米CMOS集成电路质子辐射效应研究》缩略语第1-16页摘要第16-18页Abstract第18-20页第一章绪论第20-43页1.1空间辐射环境与质子辐射
大家好，这里是射频学堂！还是那句口号：学射频就来【射频学堂】。这不，今天射频学堂又来给大家送福利了。今天我们给大家介绍一下ThomasH.Lee教授和他的SMIrC实验室。和之前的文章一下，我们推荐…
2.2CMOS制造工艺对图像传感器性能的影响第15-19页2.2.1光谱响应和灵敏度第16-17页2.2.2漏电流第17-18页2.2.3工作电压的减小第18-19页第三章：55nmCMOS图像传感器工艺集成第19-45页3.155nmCMOS1P4M
高压CMOS电路的设计及制造工艺研究-介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻掺杂满区以形成漂移区等...
重庆大学硕士学位论文新型CMOS图像传感器的研究姓名：林聚承申请学位级别：硕士专业：仪器科学与技术指导教师：袁祥辉20060401重庆大学硕士学位论文中文摘要CMOS图像传感器在工业、交通、多媒体、医学等领域有着广泛的应用。
一种CMOS图像传感器的设计-图像传感器是将光信号转化为电信号的装置,在数字电视、可视通信市场中有着广泛的应用。作为传统的图像传感器,电荷耦合器件CCD(Charge-CoupledDevice)同互补金属氧化物半导体CMOS(Complementar...
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基于65nmCMOS工艺的高速SRAM设计.徐晨杰.【摘要】：随着集成电路设计技术、集成电路设计软件以及集成电路制造工艺的进步,将微处理器、模拟IP核、数字IP核以及存储器集成到一起的片上系统芯片(SoC)以其高集成度、高可靠性、低功耗和小的体积等优点越来越...
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2.2CMOS制造工艺对图像传感器性能的影响第15-19页2.2.1光谱响应和灵敏度第16-17页2.2.2漏电流第17-18页2.2.3工作电压的减小第18-19页第三章：55nmCMOS图像传感器工艺集成第19-45页3.155nmCMOS1P4M
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