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新型纳米无结场效应晶体管研究.【摘要】：随着传统晶体管特征尺寸进一步缩小,形成超陡源漏pn结要求极高的掺杂浓度梯度以及极低的热预算,这对半导体工艺技术带来很大挑战。.因此无结(JL:Junctionless)晶体管被提出并受到广泛研究。.JL晶体管整个沟道区和源...
他们还设法在每个晶体管中放置几个紧挨着的平行的纳米管。近日，研究人员在《科学》杂志上报告（论文链接）称，晶体管的总面积只有40纳米。
在7日出版的《科学》杂志上，一美国研究小组发表论文称，他们利用碳纳米管和二硫化钼（MoS2），成功制出目前世界最小晶体管，其栅极长度仅有...
以上资料仅供参考。进入纳米间隙晶体管相关研究领域2年后的看法和想法：重新认识纳米间隙晶体管首先先明确我要讨论的对象，避免出现歧义。看论文会发现，研究领域对纳米间隙晶体管这个概念的定义并不严格，从研究对象的特点来看，器件的一般结构包括发射极电极、收集极电极、栅电极...
论文作者：XiangshunGeng+,FangweiWang+,HeTian+,QixinFeng,HainanZhang,RenrongLiang,YangShen,ZhenyiJu,Guang-YangGou,NingqinDeng,Yu-taoLi,JunRen,DanXie,YiYang&Tian-LingRen.17.拓扑半金属光晶体管的超灵敏
在7日出版的《科学》杂志上，一美国研究小组发表论文称，他们利用碳纳米管和二硫化钼（MoS2），成功制出目前世界最小晶体管，其栅极长度仅有1纳米，这一仅是人类发丝直径五万分之一的尺度，远低于硅基晶体管栅极长度最小5纳米的理论极值。
二硫化钼通道和1纳米碳纳米管栅极的示意图。图源：SujayDesai/BerbeleyLab研究结果发表于10月7日号《科学》杂志。英特尔联合创始人戈登·摩尔（GordonMoore）曾预测，晶体管的集成电路密度每两年将翻一番（摩尔定律），让笔记本、…
中国在硅基芯片上的落后态势，有可能在未来的碳基芯片上得以改观。2020年5月22日，北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授团队在《科学》杂志发表《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》论文…
然而时至今日，随着硅基晶体管的尺寸进入了亚10纳米时代，硅基微电子工艺发展面临的技术挑战和瓶颈也愈发困难。因此，为未来的处理器芯片探索新型器件几何构型和新型沟道制造材料的需求迫…
此外，4纳米---3纳米中采用了具有Nanosheet结构的晶体管。此次的VLSI座谈会上，有关7纳米、5纳米、3纳米的文章发布得比较多，然而，笔者却发现将GateAllAround（GAA）的Nanosheet结构应用在这些节点上的情况是全球共通的认知。
新型纳米无结场效应晶体管研究.【摘要】：随着传统晶体管特征尺寸进一步缩小,形成超陡源漏pn结要求极高的掺杂浓度梯度以及极低的热预算,这对半导体工艺技术带来很大挑战。.因此无结(JL:Junctionless)晶体管被提出并受到广泛研究。.JL晶体管整个沟道区和源...
他们还设法在每个晶体管中放置几个紧挨着的平行的纳米管。近日，研究人员在《科学》杂志上报告（论文链接）称，晶体管的总面积只有40纳米。
在7日出版的《科学》杂志上，一美国研究小组发表论文称，他们利用碳纳米管和二硫化钼（MoS2），成功制出目前世界最小晶体管，其栅极长度仅有...
以上资料仅供参考。进入纳米间隙晶体管相关研究领域2年后的看法和想法：重新认识纳米间隙晶体管首先先明确我要讨论的对象，避免出现歧义。看论文会发现，研究领域对纳米间隙晶体管这个概念的定义并不严格，从研究对象的特点来看，器件的一般结构包括发射极电极、收集极电极、栅电极...
论文作者：XiangshunGeng+,FangweiWang+,HeTian+,QixinFeng,HainanZhang,RenrongLiang,YangShen,ZhenyiJu,Guang-YangGou,NingqinDeng,Yu-taoLi,JunRen,DanXie,YiYang&Tian-LingRen.17.拓扑半金属光晶体管的超灵敏
在7日出版的《科学》杂志上，一美国研究小组发表论文称，他们利用碳纳米管和二硫化钼（MoS2），成功制出目前世界最小晶体管，其栅极长度仅有1纳米，这一仅是人类发丝直径五万分之一的尺度，远低于硅基晶体管栅极长度最小5纳米的理论极值。
二硫化钼通道和1纳米碳纳米管栅极的示意图。图源：SujayDesai/BerbeleyLab研究结果发表于10月7日号《科学》杂志。英特尔联合创始人戈登·摩尔（GordonMoore）曾预测，晶体管的集成电路密度每两年将翻一番（摩尔定律），让笔记本、…
中国在硅基芯片上的落后态势，有可能在未来的碳基芯片上得以改观。2020年5月22日，北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授团队在《科学》杂志发表《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》论文…
然而时至今日，随着硅基晶体管的尺寸进入了亚10纳米时代，硅基微电子工艺发展面临的技术挑战和瓶颈也愈发困难。因此，为未来的处理器芯片探索新型器件几何构型和新型沟道制造材料的需求迫…
此外，4纳米---3纳米中采用了具有Nanosheet结构的晶体管。此次的VLSI座谈会上，有关7纳米、5纳米、3纳米的文章发布得比较多，然而，笔者却发现将GateAllAround（GAA）的Nanosheet结构应用在这些节点上的情况是全球共通的认知。
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