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摘要：通过实验研究了AZ5214光刻胶分别用作正型抗蚀剂和负型抗蚀剂的光刻工艺，给出了抗蚀剂厚度为1μm的最佳光刻工艺参数，介绍了AZ5214像反转特性的实验研究结果。.【分类】.【工业技术】>化学工业>胶粘剂工业>各种性能胶粘剂>其他.【关键词...
提供AZ5214光刻胶及像反转特性的实验研究文档免费下载，摘要:【论文】图形反转工艺制作OLED器件的阴极分离器图形反转工艺制作OLED器件的阴极分离器_专业资料。应用AZ5214光刻胶的反转特性,在玻璃基板上制作OLED器件的阴极分离器。指出影响倒梯形...
【摘要】：研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm。
各位大侠：小女子刚刚从事新的领域，芯片的光刻工艺。对于AZ5214E光刻胶的最大用途甚是迷惑：1，如果只是为了实现图形的反转，为何不直接用其他负胶呢？而且直接实现倒台面，易于剥离。；2，使用AZ5214E第一次曝光后，有图形部分发生分解反应，经过反转烘+泛曝光后，这部分图形有什么...
采用Lift-off工艺镀金属铂膜，电子束蒸发镀0.1um厚的铂膜，请问：1.大概需要涂多厚的反转胶AZ5214E？1.4um够吗？涂胶机转速设置多少？需要转多久？2.显影时，是需要购买显影液，还是可以自己？如果自己，如何？3.如果采用电子束...
求一个LOR+AZ5214双层胶lift-off工艺.作者堵刀之手.来源:小木虫1503帖子.+关注.我用的是LOR+AZ5124想做个倒梯形的图形再喷金剥离但是不能超声.试了很多次都成功.故求版上的大家.能否给个工艺参数.在下感激不尽返回小木虫查看更多.
我不知道AZ胶的显影时间和基底有关系么？别人用的SI基底，40s显影图案非常好。我用的LAO基底，AZ5214，先烘干120°，20min。匀胶2000转5s，6000转29s。热板90°，6min，光刻9.5s，120°，120s翻转，然后曝光120s，到最后的显影就悲剧了。
匀胶机和热板使用规定.PDF,匀胶机和热板使用规定1）设备名称：SussLabSpin6匀胶机2）Coral名称：Coater-Suss-Labspin63）可使用的光刻胶种类：AR-P3210、SU-82025Fox15AZ6112、AZ5214、KMPR1005、PMGI、AR-P6200...
技术专栏TechnologyColumndoi:10.3969/j.issn.1003-353x.2009.06.004图形反转工艺用于金属层剥离的研究陈德鹅,吴志明,李伟,王军,袁凯,蒋亚东(电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都...
櫶图形反转工艺用于金属层剥离的研究.pdf,櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶：doi103969／jissn1003353x200906004图形反转工艺用于金属层剥离的研究陈德鹅，吴志明，李伟，王军，袁凯，蒋亚东（电子科技大学光电信息学…
摘要：通过实验研究了AZ5214光刻胶分别用作正型抗蚀剂和负型抗蚀剂的光刻工艺，给出了抗蚀剂厚度为1μm的最佳光刻工艺参数，介绍了AZ5214像反转特性的实验研究结果。.【分类】.【工业技术】>化学工业>胶粘剂工业>各种性能胶粘剂>其他.【关键词...
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【摘要】：研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm。
各位大侠：小女子刚刚从事新的领域，芯片的光刻工艺。对于AZ5214E光刻胶的最大用途甚是迷惑：1，如果只是为了实现图形的反转，为何不直接用其他负胶呢？而且直接实现倒台面，易于剥离。；2，使用AZ5214E第一次曝光后，有图形部分发生分解反应，经过反转烘+泛曝光后，这部分图形有什么...
采用Lift-off工艺镀金属铂膜，电子束蒸发镀0.1um厚的铂膜，请问：1.大概需要涂多厚的反转胶AZ5214E？1.4um够吗？涂胶机转速设置多少？需要转多久？2.显影时，是需要购买显影液，还是可以自己？如果自己，如何？3.如果采用电子束...
求一个LOR+AZ5214双层胶lift-off工艺.作者堵刀之手.来源:小木虫1503帖子.+关注.我用的是LOR+AZ5124想做个倒梯形的图形再喷金剥离但是不能超声.试了很多次都成功.故求版上的大家.能否给个工艺参数.在下感激不尽返回小木虫查看更多.
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匀胶机和热板使用规定.PDF,匀胶机和热板使用规定1）设备名称：SussLabSpin6匀胶机2）Coral名称：Coater-Suss-Labspin63）可使用的光刻胶种类：AR-P3210、SU-82025Fox15AZ6112、AZ5214、KMPR1005、PMGI、AR-P6200...
技术专栏TechnologyColumndoi:10.3969/j.issn.1003-353x.2009.06.004图形反转工艺用于金属层剥离的研究陈德鹅,吴志明,李伟,王军,袁凯,蒋亚东(电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都...
櫶图形反转工艺用于金属层剥离的研究.pdf,櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶：doi103969／jissn1003353x200906004图形反转工艺用于金属层剥离的研究陈德鹅，吴志明，李伟，王军，袁凯，蒋亚东（电子科技大学光电信息学…
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