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采用Gd+011顶部籽晶熔渗生长（top-seededinfiltrationandgrouth，TSIG）技术，成功出一组直径30mm、籽晶数不同的GdBCO超导块材。根据AutoCAD绘制的关于多籽晶样品晶界变化图，推测样品的磁悬浮力大小与样品的晶界和亚畴界有关，样品的晶界和亚畴界越多，感应环流越不易通过，样品的超导性能就越差。
此外，籽晶直径必须为所需晶片直径再加上0.5到I英寸(由于生长过程中晶体边缘径向温梯较大以及内衬边缘的干扰，晶体边缘质量较差，要得到高质量的晶体和晶片就需要在过程去除边缘质量差的部分，根据晶体尺寸不同选择0.5到I英寸，所需晶体尺寸越大，那么籽晶的尺寸就需要相应的增加越...
摘要：采用顶部籽晶熔渗生长（top-seededinfiltrationandgrowth，TSIG）法成功0.5%CeO2掺杂SmBCO超导块材，其直径为20mm、厚度为10mm.研究样品在不同外加磁场条件下所能捕获的捕获磁场大小和捕获磁场对样品磁悬浮性能的影响。
碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制研究.中国期刊网qikanchina.net碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制研究河北同光晶体有限公司，河北保定071000摘要:为了提高碳化硅晶体生产质量和降低后续碳化硅衬底时的晶体开裂问题，本文对碳化硅晶体...
部件规格籽晶软轴最大行程：约3400mm提升速度：低速…0.2～8mm/min：高速…400mm/min旋转速度(CW)：2～30rpm可拉制单晶硅晶体重量：100kg以下晶体旋转轴：磁性流体籽晶提升装置卷线轴：磁性流体观察窗：一处线：材质：钨钼合金直径：约1
高质量DKDP晶体生长及其电光性质研究,高质量DKDP晶体生长,点状籽晶,溶液稳定性,电光性能。本文主要研究了溶液稳定性的影响因素,溶液纯度和生长速度对晶体质量的影响以及DKDP晶体生长的具体生长工艺。此外还介绍了D...
坩埚下降法生长氟化镁晶体，有时候会遇到炉子不稳定的情况生长出多晶晶体，有时候不动再次生长又是单晶，一般在籽晶部分没啥问题，问题基本都出在从籽晶部分长出后圆锥放肩的部分，等到等径部分一般就没啥问题了。有些炉子可以稳定的出好多块单晶，有的炉子出单晶多晶概率在一半一半...
晶体提拉法的创始人是J.Czochralski，他的论文发表于1918年。提拉法是熔体生长中最常用的一种方法，许多重要的实用晶体就是用这种方法的。近年来，这种方法又得到了几项重大改进，如采用液封的方式（液封提拉法，LEC），如图1，能
本专利技术资料公开了一种生长碳化硅单晶的籽晶片固定装置及其使用方法，装置包括石墨盖和石墨坩埚；石墨盖下方设置有圆洞；圆洞内设置有环状沟槽；环状沟槽用来固定石墨夹持支架；石墨夹持支架的一端与石墨盖固定连接，另一端用来夹持固定籽晶片；石墨夹持支架采用6组～12组以对称排列...
Vol.10No.13July2017中国科技论文在线精品论文1501晶和多籽晶GdBCO超导块材晶态形貌及其对超导性能的影响，根据图1所示的单畴REBCO晶体的特征，采用AutoCAD软件，在籽晶晶向、间距、夹角都相同的情况下，绘制出单籽晶和多籽晶
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此外，籽晶直径必须为所需晶片直径再加上0.5到I英寸(由于生长过程中晶体边缘径向温梯较大以及内衬边缘的干扰，晶体边缘质量较差，要得到高质量的晶体和晶片就需要在过程去除边缘质量差的部分，根据晶体尺寸不同选择0.5到I英寸，所需晶体尺寸越大，那么籽晶的尺寸就需要相应的增加越...
摘要：采用顶部籽晶熔渗生长（top-seededinfiltrationandgrowth，TSIG）法成功0.5%CeO2掺杂SmBCO超导块材，其直径为20mm、厚度为10mm.研究样品在不同外加磁场条件下所能捕获的捕获磁场大小和捕获磁场对样品磁悬浮性能的影响。
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高质量DKDP晶体生长及其电光性质研究,高质量DKDP晶体生长,点状籽晶,溶液稳定性,电光性能。本文主要研究了溶液稳定性的影响因素,溶液纯度和生长速度对晶体质量的影响以及DKDP晶体生长的具体生长工艺。此外还介绍了D...
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Vol.10No.13July2017中国科技论文在线精品论文1501晶和多籽晶GdBCO超导块材晶态形貌及其对超导性能的影响，根据图1所示的单畴REBCO晶体的特征，采用AutoCAD软件，在籽晶晶向、间距、夹角都相同的情况下，绘制出单籽晶和多籽晶
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