第二章半导体中杂质和缺陷能级2.1.2施主杂质、施主能级一、施主杂质:在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,磷原子的最外层有五个价电子,其中四个与相邻的半导体原子形成共价键,必定多出一个
掌握半导体中杂质的作用与杂质能级;掌握半导体中的缺陷及其影响重点:浅能级和深能级杂质及其作用,杂质的补偿作用原子并非固定不动,格点原子在平衡位置附近振动;半导体并非纯净,含有若干杂质(基质以外的任何元素);半导体晶格并非完美(完整),存在各种缺陷:点缺陷线...
半导体物理第二章理想的半导体是具有严格周期性,原子无热振动,固定在格点上,纯净且不含杂质的。但是实际半导体的原子,在其平衡位置附近振动,而且半导体材料含有杂质,晶体结构也存在各种缺陷。实践表明极微量的杂质和缺陷,能够对半导体材料的物理和化学性质产生决定性的影响。
半导体中杂志和缺陷能级.ppt,第2章半导体中杂质和缺陷2)、随着温度的升高,两者开始出现差别:a)半导体:最外层能带全满?非满。b)绝缘体:最外层能带仍是全满。2.1硅锗晶体中的杂质原子并非在格点上固定不动杂质(外来的)缺陷(内在的)点缺陷(空位,间隙原子)线缺陷(位错)面缺陷...
当半导体中存在杂质或者缺陷时,便形成与能带对应的状态(电子为杂质所)。电子会形成杂质能级,存在于半导体的带隙中,对实际半导体的性质起着决定性作用。杂质能级具体可以分为以下几种状态[4]:A.施主能级如果杂质...
第二章半导体中杂质和缺陷能级杂质在半导体中的分布状况(1)替位式杂质:杂质原子不被替代的晶格原子的大小比较相近,而且其价电子层结构也比较相近(2)间隙式杂质:通常这种杂质的原子半径是比较小的(3)杂质浓度:单位体积中的杂质原子数丼例:Si中掺磷P(Si:P)2.1.2施主杂质...
第二章半导体中杂质和缺陷能级概述.ppt,(2)GaAs晶体中的点缺陷当T>0K时:空位VGa、VAs间隙原子GaI、AsI反结构缺陷—Ga原子占据As空位,或As原子占据Ga空位,记为GaAs和AsGa。三种典型存在形式A、空位:空位的性质由实验...
半导体中的杂质和缺陷能态.PDF,第二章半导体中的杂质和缺陷能态§2.1杂质和杂质能级一、杂质的类型AAAA杂质——在半导体材料中存在着一些与组成半导体材料的元素不同的其他元素原子。AABA杂质在半导体中存在的形态:AAAA替...
博士毕业论文—《氮化物半导体中缺陷及其影响研究》摘要第1-6页abstract第6-14页第一章绪论第14-36页1.1前言——研究背景与意义
校历第五周计划(9.23-9.29):半导体中杂质和缺陷能级和半导体中载流子的统计分布预备知识:原子在晶格格点位置附近振动半导体材料并不是纯净的实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的晶格缺陷分为三类:(1)点缺陷(空位、间隙原子)(2)线缺陷(位错:原子的局部不规则排列(晶体...
第二章半导体中杂质和缺陷能级2.1.2施主杂质、施主能级一、施主杂质:在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,磷原子的最外层有五个价电子,其中四个与相邻的半导体原子形成共价键,必定多出一个
掌握半导体中杂质的作用与杂质能级;掌握半导体中的缺陷及其影响重点:浅能级和深能级杂质及其作用,杂质的补偿作用原子并非固定不动,格点原子在平衡位置附近振动;半导体并非纯净,含有若干杂质(基质以外的任何元素);半导体晶格并非完美(完整),存在各种缺陷:点缺陷线...
半导体物理第二章理想的半导体是具有严格周期性,原子无热振动,固定在格点上,纯净且不含杂质的。但是实际半导体的原子,在其平衡位置附近振动,而且半导体材料含有杂质,晶体结构也存在各种缺陷。实践表明极微量的杂质和缺陷,能够对半导体材料的物理和化学性质产生决定性的影响。
半导体中杂志和缺陷能级.ppt,第2章半导体中杂质和缺陷2)、随着温度的升高,两者开始出现差别:a)半导体:最外层能带全满?非满。b)绝缘体:最外层能带仍是全满。2.1硅锗晶体中的杂质原子并非在格点上固定不动杂质(外来的)缺陷(内在的)点缺陷(空位,间隙原子)线缺陷(位错)面缺陷...
当半导体中存在杂质或者缺陷时,便形成与能带对应的状态(电子为杂质所)。电子会形成杂质能级,存在于半导体的带隙中,对实际半导体的性质起着决定性作用。杂质能级具体可以分为以下几种状态[4]:A.施主能级如果杂质...
第二章半导体中杂质和缺陷能级杂质在半导体中的分布状况(1)替位式杂质:杂质原子不被替代的晶格原子的大小比较相近,而且其价电子层结构也比较相近(2)间隙式杂质:通常这种杂质的原子半径是比较小的(3)杂质浓度:单位体积中的杂质原子数丼例:Si中掺磷P(Si:P)2.1.2施主杂质...
第二章半导体中杂质和缺陷能级概述.ppt,(2)GaAs晶体中的点缺陷当T>0K时:空位VGa、VAs间隙原子GaI、AsI反结构缺陷—Ga原子占据As空位,或As原子占据Ga空位,记为GaAs和AsGa。三种典型存在形式A、空位:空位的性质由实验...
半导体中的杂质和缺陷能态.PDF,第二章半导体中的杂质和缺陷能态§2.1杂质和杂质能级一、杂质的类型AAAA杂质——在半导体材料中存在着一些与组成半导体材料的元素不同的其他元素原子。AABA杂质在半导体中存在的形态:AAAA替...
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