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半导体材料第5讲－硅、锗晶体中的杂质.陈易明mpcyjs@gdut.edumpcyjs@gdut.edu44半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。.半导体硅、锗器件的制做不仅要求硅、的影响。.半导体硅、锗器件的制做不仅...
比硅、锗晶体的Eg小得多。硅、锗晶体中族杂质的电离能(eV)第二章半导体中杂质和缺陷能级把被受主杂质所的空穴的能量状态称为受主能级E后，从受主的态跃迁到价带成为导电空穴，在能带图上表示空穴的能量是越向下越高，空穴被受主杂质
第二章半导体中杂质和缺陷能级2.1锗、硅晶体中的杂质能级2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级2.3缺陷、位错能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.1替位式杂质和间隙式杂质2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.2施主杂质施主能级2.
半导体物理：第二章半导体中杂质和缺陷能级.ppt,第二章半导体中的杂质和缺陷能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级2.3缺陷和位错的能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.1替位式杂质间隙式杂质杂质原子进入半导体硅后，只可能以两种方式存在。
相对于硅，锗的外层电子能级较高，所以外层电子更容易贡献出来，导电能力更好。很快，1947年，世界上第一只晶体管诞生了，用锗做的哦。世界上第一只晶体管，诞生于贝尔实验室。
理论分析认为，杂质和缺陷的存在会使周期性势场受到破坏，在禁带中引入能级。第1部分硅锗晶体中的杂质能级杂质进入半导体以后的分布位置，有替位式和间隙式两种。间隙式杂质的原子一般比较小，杂质原子位于晶格原子间的间隙。如锂离子。
理论分析认为，杂质和缺陷的存在会使周期性势场受到破坏，在禁带中引入能级。第1部分硅锗晶体中的杂质能级杂质进入半导体以后的分布位置，有替位式和间隙式两种。间隙式杂质的原子一般比较小，杂质原子位于晶格原子间的间隙。如锂离子。
理论分析认为，杂质和缺陷的存在会使周期性势场受到破坏，在禁带中引入能级。第1部分硅锗晶体中的杂质能级杂质进入半导体以后的分布位置，有替位式和间隙式两种。间隙式杂质的原子一般比较小，杂质原子位于晶格原子间的间隙。如锂...
第二章半导体中的杂质和缺陷能级课件.ppt,2.1Si、Ge中的杂质能级重点和难点施主杂质、施主能级、n型半导体；受主杂质、受主能级、p型半导体；施主杂质和受主杂质的电离能;杂质的补偿作用；浅能级杂质和深能级杂质二、N型半导体：本征半导体中掺入磷等Ⅴ族元素后，自由电子浓度大大...
解2.试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3.当E-EF为1.5k0T，4k0T,10k0T时，分别用费。8、米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。费米能级费米函数玻尔兹曼分布函数1.5k0T0.1820.2234k0T0.0180.018310k0T4.
半导体材料第5讲－硅、锗晶体中的杂质.陈易明mpcyjs@gdut.edumpcyjs@gdut.edu44半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。.半导体硅、锗器件的制做不仅要求硅、的影响。.半导体硅、锗器件的制做不仅...
比硅、锗晶体的Eg小得多。硅、锗晶体中族杂质的电离能(eV)第二章半导体中杂质和缺陷能级把被受主杂质所的空穴的能量状态称为受主能级E后，从受主的态跃迁到价带成为导电空穴，在能带图上表示空穴的能量是越向下越高，空穴被受主杂质
第二章半导体中杂质和缺陷能级2.1锗、硅晶体中的杂质能级2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级2.3缺陷、位错能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.1替位式杂质和间隙式杂质2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.2施主杂质施主能级2.
半导体物理：第二章半导体中杂质和缺陷能级.ppt,第二章半导体中的杂质和缺陷能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级2.3缺陷和位错的能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.1替位式杂质间隙式杂质杂质原子进入半导体硅后，只可能以两种方式存在。
相对于硅，锗的外层电子能级较高，所以外层电子更容易贡献出来，导电能力更好。很快，1947年，世界上第一只晶体管诞生了，用锗做的哦。世界上第一只晶体管，诞生于贝尔实验室。
理论分析认为，杂质和缺陷的存在会使周期性势场受到破坏，在禁带中引入能级。第1部分硅锗晶体中的杂质能级杂质进入半导体以后的分布位置，有替位式和间隙式两种。间隙式杂质的原子一般比较小，杂质原子位于晶格原子间的间隙。如锂离子。
理论分析认为，杂质和缺陷的存在会使周期性势场受到破坏，在禁带中引入能级。第1部分硅锗晶体中的杂质能级杂质进入半导体以后的分布位置，有替位式和间隙式两种。间隙式杂质的原子一般比较小，杂质原子位于晶格原子间的间隙。如锂离子。
理论分析认为，杂质和缺陷的存在会使周期性势场受到破坏，在禁带中引入能级。第1部分硅锗晶体中的杂质能级杂质进入半导体以后的分布位置，有替位式和间隙式两种。间隙式杂质的原子一般比较小，杂质原子位于晶格原子间的间隙。如锂...
第二章半导体中的杂质和缺陷能级课件.ppt,2.1Si、Ge中的杂质能级重点和难点施主杂质、施主能级、n型半导体；受主杂质、受主能级、p型半导体；施主杂质和受主杂质的电离能;杂质的补偿作用；浅能级杂质和深能级杂质二、N型半导体：本征半导体中掺入磷等Ⅴ族元素后，自由电子浓度大大...
解2.试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3.当E-EF为1.5k0T，4k0T,10k0T时，分别用费。8、米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。费米能级费米函数玻尔兹曼分布函数1.5k0T0.1820.2234k0T0.0180.018310k0T4.
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