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半导体论文范文三：题目：浅谈半导体分立器件的失效与预防摘要：本文为研究在电应力的作用下,半导体分立器件的可靠性能的影响因子,对元器件失效现象进行了详细的分析研究并提出了有效的预防半导体分立器件失效的措施和建议。
失效分析作为稳定提升产品可靠性的重要方法，受到各类生产企业的广泛关注。本论文通过调研国内外半导体生产企业先进的失效分析技术，总结主流失效分析流程及操作手法，将本公司现有流程与其进行比对。
摘要：半导体器件一般制作在单晶硅片或单晶硅外延层上，并且大多也采用多晶硅材料作为栅极，所以对于硅材料的处理是失效分析人员经常需要面对的问题。硅的湿法腐蚀作为一种成熟的方法被广泛地应用在半导体器件的失效分析工作中。通过三个实际案例，分别从去层处理、边界划定以及缺陷...
摘要：基于大数据分析的失效分析技术,研究了制约先进集成电路良率的系统性问题方法.应用YieldExplorer分析软件对集成电路测试结果进行基于大规模的统计分析的再诊断.根据晶圆的针测结果,利用YieldExplorer的大量自动诊断功能,选取晶圆最外面5圈的芯片进行分析,找到了影响制约晶圆良率的系统性...
来源：可靠性技术交流一、元器件概述1、元器件的定义与分类定义：欧洲空间局ESA标准中的定义：完成某一电子、电气和机电功能，并由一个或几个部分构成而且一般不能被分解或不会破坏的某个装置。GJB4027-2000《军…
失效分析技术是研究电子元器件产品失效机理、提高产品良率和可靠性的重要手段。随着现代半导体制造技术从深亚微米时代进入纳米时代,开展失效分析的难度越来越大,必须借助更加先进、精确的设备与技术,辅以合理的失效分析,才能提高失效分析的成功率。
【摘要】：针对传统失效定位技术如光辐射显微镜(EMMI)和红外成像等无法对互连失效进行定位的问题,在半导体失效分析中引入了热激光激发(TLS)技术进行失效定位。该技术应用激光束对材料进行加热,改变材料电阻特性,从而检测到缺陷。光束感生电阻变化(OBIRCH)技术即为TLS技术的一种。
电阻、电容、电感、半导体器件的失效分析.01-20.电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。.对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情，比如某个半导体器件...
【摘要】：针对传统失效定位技术如光辐射显微镜(EMMI)和红外成像等无法对互连失效进行定位的问题,在半导体失效分析中引入了热激光激发(TLS)技术进行失效定位。该技术应用激光束对材料进行加热,改变材料电阻特性,从而检测到缺陷。光束感生电阻变化(OBIRCH)技术即为TLS技术的一种。
980nm半导体激光器长期老化结果及失效分析.为了提高980nm半导体激光器的可靠性，采用氦离子注入形成腔面电流非注入区技术制作了4μm条宽的脊形波导激光器，并利用同一块外延片制作了常规工艺的4μm脊形波导激光器作为对比。.经过长期老化实验得知...
半导体论文范文三：题目：浅谈半导体分立器件的失效与预防摘要：本文为研究在电应力的作用下,半导体分立器件的可靠性能的影响因子,对元器件失效现象进行了详细的分析研究并提出了有效的预防半导体分立器件失效的措施和建议。
失效分析作为稳定提升产品可靠性的重要方法，受到各类生产企业的广泛关注。本论文通过调研国内外半导体生产企业先进的失效分析技术，总结主流失效分析流程及操作手法，将本公司现有流程与其进行比对。
摘要：半导体器件一般制作在单晶硅片或单晶硅外延层上，并且大多也采用多晶硅材料作为栅极，所以对于硅材料的处理是失效分析人员经常需要面对的问题。硅的湿法腐蚀作为一种成熟的方法被广泛地应用在半导体器件的失效分析工作中。通过三个实际案例，分别从去层处理、边界划定以及缺陷...
摘要：基于大数据分析的失效分析技术,研究了制约先进集成电路良率的系统性问题方法.应用YieldExplorer分析软件对集成电路测试结果进行基于大规模的统计分析的再诊断.根据晶圆的针测结果,利用YieldExplorer的大量自动诊断功能,选取晶圆最外面5圈的芯片进行分析,找到了影响制约晶圆良率的系统性...
来源：可靠性技术交流一、元器件概述1、元器件的定义与分类定义：欧洲空间局ESA标准中的定义：完成某一电子、电气和机电功能，并由一个或几个部分构成而且一般不能被分解或不会破坏的某个装置。GJB4027-2000《军…
失效分析技术是研究电子元器件产品失效机理、提高产品良率和可靠性的重要手段。随着现代半导体制造技术从深亚微米时代进入纳米时代,开展失效分析的难度越来越大,必须借助更加先进、精确的设备与技术,辅以合理的失效分析,才能提高失效分析的成功率。
【摘要】：针对传统失效定位技术如光辐射显微镜(EMMI)和红外成像等无法对互连失效进行定位的问题,在半导体失效分析中引入了热激光激发(TLS)技术进行失效定位。该技术应用激光束对材料进行加热,改变材料电阻特性,从而检测到缺陷。光束感生电阻变化(OBIRCH)技术即为TLS技术的一种。
电阻、电容、电感、半导体器件的失效分析.01-20.电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。.对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情，比如某个半导体器件...
【摘要】：针对传统失效定位技术如光辐射显微镜(EMMI)和红外成像等无法对互连失效进行定位的问题,在半导体失效分析中引入了热激光激发(TLS)技术进行失效定位。该技术应用激光束对材料进行加热,改变材料电阻特性,从而检测到缺陷。光束感生电阻变化(OBIRCH)技术即为TLS技术的一种。
980nm半导体激光器长期老化结果及失效分析.为了提高980nm半导体激光器的可靠性，采用氦离子注入形成腔面电流非注入区技术制作了4μm条宽的脊形波导激光器，并利用同一块外延片制作了常规工艺的4μm脊形波导激光器作为对比。.经过长期老化实验得知...
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