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半导体所等发表《红外光电探测技术研究现状及展望》综述论文.红外光电探测器是红外产业链的核心，其最早应用于军事领域，如今在现代战争中仍是重要战略手段。.随着红外探测技术的逐渐成熟，适用于医疗、安全和商业等民用的低成本红外探测器也得到了...
硅基锗MSM光电探测器通常存在暗电流过大、器件的高速响应受限的缺点，所以能否进一步抑制暗电流、提高器件的响应速度是影响器件能否应用于光互连的非常关键的因素。本论文着重于硅基锗MSM光电探测器的性能优化与设计研究工作。
博士毕业论文—《半导体单光子探测器集成化研究》摘要第1-7页ABSTRACT第7-16页第一章引言第16-22页1.1量子通信发展动态第16-17页
本论文采用化学气相沉积方法生长了InP、CdS、SnSe及SnS等多种一维半导体纳米线,并研制了基于这些纳米线的光电探测器。论文在一维纳米线的可控、器件的暗电流抑制以及光电性能调控等方面进行了系统的探索和研究,所取得的主要研究成果可归纳如下:1.一维磷化铟纳米线的可控及其...
SmallMethods:二维层状半导体异质结光电探测器研究进展综述.二维层状材料由于其独特的结构、机械和物理特性以及潜在的应用，在过去十几年来受到了广泛的关注和研究。.二维材料的大家族包括单元素的二维原子晶体（比如石墨烯和黑磷（BP））、过渡金属二...
氮化硼的半导体特性和紫外光电探测器的基础研究来自知网喜欢0阅读量：153作者：冯双展开摘要：氮化硼(BN)材料具有立方氮化硼(cBN),六方氮化硼(hBN),三方氮化硼(rBN),纤维锌矿结构氮化硼(wBN)四种晶体结构,其中cBN和hBN因其宽...
通过半导体测试系统的电学表征发现,利用该扑绝缘体的近红外光电探测器具有很高的光电导增益、光响应,分别达到27.4,21.7AW-1。2.表面等离子共振技术是采用金属纳米颗粒或者是氧化物纳米颗粒修饰器件的表面,当尺寸满足一定条件的时候,可以增强器件对光的吸收,从而提高器件的性能。
Si基光电探测器是Si基光通信系统的关键器件之一。随着近年来Si基Ge材料外延技术的突破性进展，Si基Ge光电探测器因为兼顾了Si基光电子集成和对光通讯波段(1.31和1.55μm)的高效探测，成为了当今研究的一大热点。半导体光电探测器的性能与其结构密切
本文是对光电探测器的等效电路进行研究，较为详细的研究了光电探测器的性能参数。并对光电探测器在实际生活中的应用进行分析和研究。本论文的结构安排如下：第一章：绪论：介绍光电探测器的发展与起源，及本文研究内容和结构安排。
武汉大学氧化锌基纳米复合材料及其光电探测器的研究硅(Silicon,Si)是第一代半导体材料的代表,硅在地壳中的含量丰富仅次于氧,提纯和结晶方便并且成本低廉；硅基半导体器件耐高温且抗辐射性能良好,特别适合制作大功率器件；因此,硅已经成为应用最为广泛的半导体材料,到目前为止,99%的集成电路...
半导体所等发表《红外光电探测技术研究现状及展望》综述论文.红外光电探测器是红外产业链的核心，其最早应用于军事领域，如今在现代战争中仍是重要战略手段。.随着红外探测技术的逐渐成熟，适用于医疗、安全和商业等民用的低成本红外探测器也得到了...
硅基锗MSM光电探测器通常存在暗电流过大、器件的高速响应受限的缺点，所以能否进一步抑制暗电流、提高器件的响应速度是影响器件能否应用于光互连的非常关键的因素。本论文着重于硅基锗MSM光电探测器的性能优化与设计研究工作。
博士毕业论文—《半导体单光子探测器集成化研究》摘要第1-7页ABSTRACT第7-16页第一章引言第16-22页1.1量子通信发展动态第16-17页
本论文采用化学气相沉积方法生长了InP、CdS、SnSe及SnS等多种一维半导体纳米线,并研制了基于这些纳米线的光电探测器。论文在一维纳米线的可控、器件的暗电流抑制以及光电性能调控等方面进行了系统的探索和研究,所取得的主要研究成果可归纳如下:1.一维磷化铟纳米线的可控及其...
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氮化硼的半导体特性和紫外光电探测器的基础研究来自知网喜欢0阅读量：153作者：冯双展开摘要：氮化硼(BN)材料具有立方氮化硼(cBN),六方氮化硼(hBN),三方氮化硼(rBN),纤维锌矿结构氮化硼(wBN)四种晶体结构,其中cBN和hBN因其宽...
通过半导体测试系统的电学表征发现,利用该扑绝缘体的近红外光电探测器具有很高的光电导增益、光响应,分别达到27.4,21.7AW-1。2.表面等离子共振技术是采用金属纳米颗粒或者是氧化物纳米颗粒修饰器件的表面,当尺寸满足一定条件的时候,可以增强器件对光的吸收,从而提高器件的性能。
Si基光电探测器是Si基光通信系统的关键器件之一。随着近年来Si基Ge材料外延技术的突破性进展，Si基Ge光电探测器因为兼顾了Si基光电子集成和对光通讯波段(1.31和1.55μm)的高效探测，成为了当今研究的一大热点。半导体光电探测器的性能与其结构密切
本文是对光电探测器的等效电路进行研究，较为详细的研究了光电探测器的性能参数。并对光电探测器在实际生活中的应用进行分析和研究。本论文的结构安排如下：第一章：绪论：介绍光电探测器的发展与起源，及本文研究内容和结构安排。
武汉大学氧化锌基纳米复合材料及其光电探测器的研究硅(Silicon,Si)是第一代半导体材料的代表,硅在地壳中的含量丰富仅次于氧,提纯和结晶方便并且成本低廉；硅基半导体器件耐高温且抗辐射性能良好,特别适合制作大功率器件；因此,硅已经成为应用最为广泛的半导体材料,到目前为止,99%的集成电路...
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