光电探测器的发展现状及分析.1092110319(哈尔滨工业大学电子科学与技术黑龙江哈尔滨150001)【摘要】本文主要论述光电探测器的分类和原理,特性参数,发展历史和现状,同时,简单的总结各类光电探测器的特点和应用,最后,对于当代出现的新型光电探测...
2.2光电探测的分类及原理光电探测器能把光信号转换为电信号。.根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同,光电探测器可分为两大类:一类是光子探测器;另一类是热探测器。.光电探测器的工作原理是基于光电效应【2】。.热探测器是用...
构建超灵敏光电探测器的新思路近期,中国科学院金属研究所(以下简称金属所)科研团队与国内多家单位的科研团队合作,提出了一种提高光增益...
级:公开论文编号:重庆理工大学硕士学位论文InSb薄膜的及其在光电探测器中的应用理学院论文完成时间:2020论文答辩日期:2020CategoryNumber:LevelSecrecy:PublicitySerialNumberStudentNumber:51170119102Master´s...
有机—无机钙钛矿材料的光电探测器研究.胡毓聪.【摘要】:最近几年,基于有机无机钙钛矿材料的光电器件因其具有优异的光电转换效率、简单廉价的溶液法工艺,成为光电子领域研究的焦点之一。.有机无机钙钛矿光电探测器作为半导体器件,除了体积小...
全硅光电探测器主要实现光信号到电信号的转换。探测器响应度和带宽是全硅光电探测器的核心指标,本论文围绕这两个核心指标,从硅材料特性、探测机理(表面态吸收、双光子吸收)和结类型(交趾型p-n结、n-p-n结、横向p-n结)等方面予以深入研究。
该晶体管展现出超高响应度(>105A/W)、超高外量子效率(>107%)、在二维材料光电探测器中最高的探测度(9.8×1016Jones)和超快光电响应速度...
1.2光电探测器基础知识第37-52页1.2.1光电探测器的分类第37-39页1.2.2常见的钙钛矿基光电探测器性能参数第39-41页1.2.3钙钛矿单晶材料在光电探测器中的应用第41-52页1.3论文研究内容和章节安排第52-54页
随着紫外探测技术在生产生活及军事领域的广泛应用,获取成本低且性能优异的紫外探测器已成为当前最热门的研究方向之一。ZnO作为第三代宽禁带直接带隙的半导体材料,由于其优良的特性在光电器件应用中引起了广泛关注。为了改善ZnO薄膜的质量和提升其光电性能,从而出性
深紫外光电探测器是光电探测技术领域中的研究热点,在紫外制导、紫外预警、空间通信、航空航天和紫外天文学等领域具有重要的应用价值和迫切需求。作为新型超宽禁带半导体材料,六方氮化硼(hBN,禁带宽度约为6.0eV)由于具有极佳的热稳定性和化学稳定性、非常大的吸收
光电探测器的发展现状及分析.1092110319(哈尔滨工业大学电子科学与技术黑龙江哈尔滨150001)【摘要】本文主要论述光电探测器的分类和原理,特性参数,发展历史和现状,同时,简单的总结各类光电探测器的特点和应用,最后,对于当代出现的新型光电探测...
2.2光电探测的分类及原理光电探测器能把光信号转换为电信号。.根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同,光电探测器可分为两大类:一类是光子探测器;另一类是热探测器。.光电探测器的工作原理是基于光电效应【2】。.热探测器是用...
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有机—无机钙钛矿材料的光电探测器研究.胡毓聪.【摘要】:最近几年,基于有机无机钙钛矿材料的光电器件因其具有优异的光电转换效率、简单廉价的溶液法工艺,成为光电子领域研究的焦点之一。.有机无机钙钛矿光电探测器作为半导体器件,除了体积小...
全硅光电探测器主要实现光信号到电信号的转换。探测器响应度和带宽是全硅光电探测器的核心指标,本论文围绕这两个核心指标,从硅材料特性、探测机理(表面态吸收、双光子吸收)和结类型(交趾型p-n结、n-p-n结、横向p-n结)等方面予以深入研究。
该晶体管展现出超高响应度(>105A/W)、超高外量子效率(>107%)、在二维材料光电探测器中最高的探测度(9.8×1016Jones)和超快光电响应速度...
1.2光电探测器基础知识第37-52页1.2.1光电探测器的分类第37-39页1.2.2常见的钙钛矿基光电探测器性能参数第39-41页1.2.3钙钛矿单晶材料在光电探测器中的应用第41-52页1.3论文研究内容和章节安排第52-54页
随着紫外探测技术在生产生活及军事领域的广泛应用,获取成本低且性能优异的紫外探测器已成为当前最热门的研究方向之一。ZnO作为第三代宽禁带直接带隙的半导体材料,由于其优良的特性在光电器件应用中引起了广泛关注。为了改善ZnO薄膜的质量和提升其光电性能,从而出性
深紫外光电探测器是光电探测技术领域中的研究热点,在紫外制导、紫外预警、空间通信、航空航天和紫外天文学等领域具有重要的应用价值和迫切需求。作为新型超宽禁带半导体材料,六方氮化硼(hBN,禁带宽度约为6.0eV)由于具有极佳的热稳定性和化学稳定性、非常大的吸收