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论文服务：摘要：<正>一、引言自1998年开始高速发展并保持强劲增长势头,电子工业全球销售额预期将在2030年突破一万亿美元,成为世界上规模最大的工业,半导体器件正是此工业的基础。因此,半导体器件工艺技术的改进受到前所未有的关注,其研究价值和取得的成果也得到了迅速发展。
液/固态源扩散对晶硅材料掺杂的研究.杨楠楠.【摘要】：对于硅的n型和p型掺杂,在太阳电池的过程中占有非常重要的位置,本文分别以加入二氧化硅纳米球的硼酸、磷酸以及硼纸为源对硅片进行掺杂研究,并取得了优异的性能。.为了提高B扩散掺杂的性能...
基于这些要求,本论文研究了基于半导体开关的全固态电压倍增技术、磁脉冲压缩技术以及它们的结合应用,主要内容分为以下三部分：(1)研究了基于半导体开关的全固态脉冲电压倍增技术,及其多种拓扑的实现方案,从而输出单极性或双极性的方波高压快脉冲。
来源：本文内容来自微信公众号半导体行业观察（ID：icbank）原创国际固态半导体电路会议（ISSCC）被人称为“集成电路界的奥林匹克”，在会议上发表的论文都是全球来自学术界以及工业界质量最高的创新性工作。与…
半导体产品的过程主要包括晶圆制造（前道，Front-End）和封装（后道，Back-End）测试，随着先进封装技术的渗透，出现介于晶圆制造和封装之间的环节，称为中道（Middle-End）。由于半导体产品的工序多，所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。
半导体制造工艺之扩散原理概述46页.ppt46页.半导体制造工艺之扩散原理概述46页.ppt.46页.内容提供方：sunhongz.大小：4.42MB.字数：约8.58千字.发布时间：2020-07-28.浏览人气：13.下载次数：仅上传者可见.
离子注入工艺采用与扩散工艺相同的杂质元素。在扩散工艺中，杂质源于液态、气态或固态材料。对离子注入而言，只采用气态与固态源材料。由于便于使用与控制，离子注入偏向于使用气态源。最常用的气体是砷烷（AsH3）、磷烷（PH3）和三氟化硼（BF3）。
扩散的简单例子就如同除臭剂从压力容器内释放到房间内。气态下的掺杂原子通过扩散化学反应迁移到暴露的晶圆表面，形成一层薄膜，在芯片应用中，热扩散也称为固态扩散，因为晶圆材料是固态的。热扩散是一个化学反应过程。
半导体传感器的原理技术论文.半导体传感器的原理、应用及发展作者摘要：本文主要评述半导体传感器例如磁敏，色敏，离子敏，气敏，湿敏的传感器的原理，在机械工程中的应用及目前的发展前景。.关键词：半导体传感器，磁敏、色敏、离子敏、气敏、湿...
比如1e14，这时候为p型半导体，再对该材料子注入磷或或者磷源(如PH3,POCl3)高温炉管参杂高浓度，比如5e14，这时候该材料转为N型半导体。通过注入、气态源、液态源、固态源扩散进行掺杂可获得N型或P型半导体，例如，掺入硼可得到P型，掺入磷或砷可
论文服务：摘要：<正>一、引言自1998年开始高速发展并保持强劲增长势头,电子工业全球销售额预期将在2030年突破一万亿美元,成为世界上规模最大的工业,半导体器件正是此工业的基础。因此,半导体器件工艺技术的改进受到前所未有的关注,其研究价值和取得的成果也得到了迅速发展。
液/固态源扩散对晶硅材料掺杂的研究.杨楠楠.【摘要】：对于硅的n型和p型掺杂,在太阳电池的过程中占有非常重要的位置,本文分别以加入二氧化硅纳米球的硼酸、磷酸以及硼纸为源对硅片进行掺杂研究,并取得了优异的性能。.为了提高B扩散掺杂的性能...
基于这些要求,本论文研究了基于半导体开关的全固态电压倍增技术、磁脉冲压缩技术以及它们的结合应用,主要内容分为以下三部分：(1)研究了基于半导体开关的全固态脉冲电压倍增技术,及其多种拓扑的实现方案,从而输出单极性或双极性的方波高压快脉冲。
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半导体产品的过程主要包括晶圆制造（前道，Front-End）和封装（后道，Back-End）测试，随着先进封装技术的渗透，出现介于晶圆制造和封装之间的环节，称为中道（Middle-End）。由于半导体产品的工序多，所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。
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离子注入工艺采用与扩散工艺相同的杂质元素。在扩散工艺中，杂质源于液态、气态或固态材料。对离子注入而言，只采用气态与固态源材料。由于便于使用与控制，离子注入偏向于使用气态源。最常用的气体是砷烷（AsH3）、磷烷（PH3）和三氟化硼（BF3）。
扩散的简单例子就如同除臭剂从压力容器内释放到房间内。气态下的掺杂原子通过扩散化学反应迁移到暴露的晶圆表面，形成一层薄膜，在芯片应用中，热扩散也称为固态扩散，因为晶圆材料是固态的。热扩散是一个化学反应过程。
半导体传感器的原理技术论文.半导体传感器的原理、应用及发展作者摘要：本文主要评述半导体传感器例如磁敏，色敏，离子敏，气敏，湿敏的传感器的原理，在机械工程中的应用及目前的发展前景。.关键词：半导体传感器，磁敏、色敏、离子敏、气敏、湿...
比如1e14，这时候为p型半导体，再对该材料子注入磷或或者磷源(如PH3,POCl3)高温炉管参杂高浓度，比如5e14，这时候该材料转为N型半导体。通过注入、气态源、液态源、固态源扩散进行掺杂可获得N型或P型半导体，例如，掺入硼可得到P型，掺入磷或砷可
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