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随着半导体激光仪器的持续更新发展,其在口腔正畸临床应用的文献近两年来不断涌现,本文旨在对半导体激光在正畸领域临床应用的不同方面进行归纳和分类总结.更多.abstracts：.Diodelasertherapyhasattractedincreasingattentioninorthodonticfieldrecently.Thisisareviewofhow...
本征半导体(intrinsicsemiconductors).ppt,*第一节半导体的特性1.半导体(semiconductor)共价键Covalentbond半导体的定义：将导电能力介于导体和绝缘体之间的一大类物质统称为半导体。大多数半导体器件所用主要材料是硅和锗一、本征半导体...
来源：内容来自微信公众号半导体行业观察（ID：icbank），作者「华创证券」，谢谢。半导体芯片生产主要分为IC设计、IC制造、IC封测三大环节。IC设计主要根据芯片的设计目的进行逻辑设计和规则制定，并根…
半导体硅、锗的晶体结构.ppt,1.10宽禁带半导体材料Eg≥2.3eV宽禁带半导体材料常见宽禁带半导体材料：SiC,AlN,GaN，金刚石等性质：禁带宽、热导率高、介电常数低、电子漂移饱和速度高用途：制作高温、高频、高功率、抗辐照电子器件。还可制作蓝光、绿光、紫外光的发光器件和光探测器件…
在石墨烯和宽禁带半导体构成的电子和光电子器件中，石墨烯与半导体所形成的接触是器件的核心结构。.对石墨烯与半导体接触特性从理论和实验进行深入研究，将有助于推动石墨烯进一步的应用发展。.在本论文中，首先在理论上，我们针对石墨烯特殊的能带...
摘要：基于密度泛函理论的第一性原理,采用平面波超软赝势方法建立了本征SnO,掺杂In,Al及In,Al共掺的SnO晶体的超晶胞模型,并计算了各类模型的能带结构和态密度.研究发现,少量Al和In替位原子的掺杂可使SnO半导体的禁带宽度变窄,并可使其价带顶部态密度明显增加.掺杂后SnO材料呈现p型导电特性,导电...
1摘要：近年来，高分子半导体在有机发光、有机光伏和有机场效应晶体管等领域扮演着愈发重要的角色。某些高分子材料特别是高分性体，具有优异的可拉伸、可弯曲等力学特性，因而高分子半导体在柔性电子领域具有广
随着半导体激光仪器的持续更新发展,其在口腔正畸临床应用的文献近两年来不断涌现,本文旨在对半导体激光在正畸领域临床应用的不同方面进行归纳和分类总结.更多.abstracts：.Diodelasertherapyhasattractedincreasingattentioninorthodonticfieldrecently.Thisisareviewofhow...
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半导体硅、锗的晶体结构.ppt,1.10宽禁带半导体材料Eg≥2.3eV宽禁带半导体材料常见宽禁带半导体材料：SiC,AlN,GaN，金刚石等性质：禁带宽、热导率高、介电常数低、电子漂移饱和速度高用途：制作高温、高频、高功率、抗辐照电子器件。还可制作蓝光、绿光、紫外光的发光器件和光探测器件…
在石墨烯和宽禁带半导体构成的电子和光电子器件中，石墨烯与半导体所形成的接触是器件的核心结构。.对石墨烯与半导体接触特性从理论和实验进行深入研究，将有助于推动石墨烯进一步的应用发展。.在本论文中，首先在理论上，我们针对石墨烯特殊的能带...
摘要：基于密度泛函理论的第一性原理,采用平面波超软赝势方法建立了本征SnO,掺杂In,Al及In,Al共掺的SnO晶体的超晶胞模型,并计算了各类模型的能带结构和态密度.研究发现,少量Al和In替位原子的掺杂可使SnO半导体的禁带宽度变窄,并可使其价带顶部态密度明显增加.掺杂后SnO材料呈现p型导电特性,导电...
1摘要：近年来，高分子半导体在有机发光、有机光伏和有机场效应晶体管等领域扮演着愈发重要的角色。某些高分子材料特别是高分性体，具有优异的可拉伸、可弯曲等力学特性，因而高分子半导体在柔性电子领域具有广
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