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理想MIS结构（p型）在各种V下的表面势和空间电荷分布（a）多子堆积；（b）多子耗尽；（c）反型为绝缘层压降）注意如何分析(1)多数载流子堆积状态（p型）(2)多数载流子耗尽状态(3)少数载流子反型状态Vs0能带上弯热平衡时半导体内靠近价带空穴浓度
MOSf第八章半导体表面与MIS结构最初的MIS结构是由Moll在1959年作为变容二极管的电压控制电容提出的。.Al/SiO2/SiMoll当时已经建议由MIS电容监控氧化硅质量。.MOSf第八章半导体表面与MIS结构1962年，Moll的两位研究生发表的博士论文（Aninvestigatingofsurface...
论文DOI：10.1002/anie.201912344本文亮点1.MIS结构光体系的构建：设计了一种基于柔性共价有机框架（COFs）的新型金属-绝缘体-半导体（MIS）光体系，该体系由绝缘体聚乙烯吡咯烷（PVP）覆盖的Pt纳米颗粒和亲水性TP-COF有机半导体2.
详细信息可参考如下论文：[1]PhysicaStatusSolidiA,DOI:10.1002/pssa.201800810;[2]IEEETransactionsonElectronDevices,DOI:10.1109/TED.2020.3007363;
深层理解MIS结构，助力金半接触载流子注入效率的提升.众所周知，高AlN组分AlGaN材料的欧姆接触一直是困扰业界的一大难题。.我司技术团队借助Crosslight公司先进的半导体器件设计平台，发现当在n型AlGaN层与金属接触电极之间插入绝缘薄层时(i.e.,Metal/Insulator...
深层理解MIS结构，助力金半接触载流子注入效率的提升众所周知，高AlN组分AlGaN材料的欧姆接触一直是困扰业界的一大难题。我司技术团队借助Crosslight公司先进的半导体器件设计平台，发现当在n型AlGaN层与金属接触电极之间插入绝缘薄层时(i...
【摘要】：近年来随着信息技术的发展,非挥发性存储器成为研究的热点。其中铁电存储器以其读写速度快、操作电压低、功耗小等优点,成为最具潜力的非挥发性存储器之一。由具有金属-铁电-绝缘层-半导体(MFIS)结构的铁电场效应晶体管(FeFET)组成的铁电存储器以其非破坏性读出、存储密度高等优点...
AlGaN/GaNMISHEMT器件界面特性的研究-氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)由于其高电子迁移率、高击穿场强和高的电子饱和速度的优越特性而受到广泛关注。然而,仍存在很多问题,制约着AlGaN/GaNHEMT器件大规模应用。金属-绝缘层-半...
半导体物理考点归纳（完整版）.作为电子科学与技术or集成电路or微电子专业的学生，相信大家都深深体会过被《半导体物理》带来的恐惧所支配的痛苦，哈哈~~~.闲来无事，本着输出干货的原则，从考试的角度，以刘恩科老师编写的教材作为框架，对半导体...
最终，光照-反应空间解耦的n-SiMIS光电阴极展现出35.2mA/cm2的光电流密度，570mV的光生电压，以及10.3%的阴极光氢能量转换效率，超过以往文献报道的...
理想MIS结构（p型）在各种V下的表面势和空间电荷分布（a）多子堆积；（b）多子耗尽；（c）反型为绝缘层压降）注意如何分析(1)多数载流子堆积状态（p型）(2)多数载流子耗尽状态(3)少数载流子反型状态Vs0能带上弯热平衡时半导体内靠近价带空穴浓度
MOSf第八章半导体表面与MIS结构最初的MIS结构是由Moll在1959年作为变容二极管的电压控制电容提出的。.Al/SiO2/SiMoll当时已经建议由MIS电容监控氧化硅质量。.MOSf第八章半导体表面与MIS结构1962年，Moll的两位研究生发表的博士论文（Aninvestigatingofsurface...
论文DOI：10.1002/anie.201912344本文亮点1.MIS结构光体系的构建：设计了一种基于柔性共价有机框架（COFs）的新型金属-绝缘体-半导体（MIS）光体系，该体系由绝缘体聚乙烯吡咯烷（PVP）覆盖的Pt纳米颗粒和亲水性TP-COF有机半导体2.
详细信息可参考如下论文：[1]PhysicaStatusSolidiA,DOI:10.1002/pssa.201800810;[2]IEEETransactionsonElectronDevices,DOI:10.1109/TED.2020.3007363;
深层理解MIS结构，助力金半接触载流子注入效率的提升.众所周知，高AlN组分AlGaN材料的欧姆接触一直是困扰业界的一大难题。.我司技术团队借助Crosslight公司先进的半导体器件设计平台，发现当在n型AlGaN层与金属接触电极之间插入绝缘薄层时(i.e.,Metal/Insulator...
深层理解MIS结构，助力金半接触载流子注入效率的提升众所周知，高AlN组分AlGaN材料的欧姆接触一直是困扰业界的一大难题。我司技术团队借助Crosslight公司先进的半导体器件设计平台，发现当在n型AlGaN层与金属接触电极之间插入绝缘薄层时(i...
【摘要】：近年来随着信息技术的发展,非挥发性存储器成为研究的热点。其中铁电存储器以其读写速度快、操作电压低、功耗小等优点,成为最具潜力的非挥发性存储器之一。由具有金属-铁电-绝缘层-半导体(MFIS)结构的铁电场效应晶体管(FeFET)组成的铁电存储器以其非破坏性读出、存储密度高等优点...
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最终，光照-反应空间解耦的n-SiMIS光电阴极展现出35.2mA/cm2的光电流密度，570mV的光生电压，以及10.3%的阴极光氢能量转换效率，超过以往文献报道的...
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