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而且温度越高氢的表面覆盖率越低。本论文利用ECR等离子体系统，探索了低温氢等离子体处理SiC的工艺条件；研究了低温氢等离子体处理对SiC表面化学结构和抗氧化能力的影响；研究了低温氢等离子体处理对MOS电容器件和欧姆接触的影响。
SiC半导体表面处理技术研究.王海波.【摘要】：氢钝化技术是利用氢原子终结表面悬挂键的一种技术。.半导体经氢钝化处理后可以获得干净、平整、抗氧化能力强的表面，有利于高性能的MOS结构和欧姆接触。.由于SiC表面存在极性键，传统的湿法氢钝化...
11CVD工艺中表面颗粒问题的分析3.1CVD工艺的基本知识在半导体工业中，芯片制造是其中的重要组成部分。一块芯片的制作流程是非常复杂的，就拿一个NPN三极管来说，它就要经过三十多次步骤，但是其中有很多是某个工艺的反复，就从工艺来讲，种类并不是很多。
在半导体产业发展过程中,传统的晶圆片表面处理多是采用化学试剂,根据一定的工艺程序,事先干燥处理的晶圆片,将其浸没在目标工艺槽体中,利用大量超纯去离子水进行洗净,以便进行表面化学反应。
半导体器件制造工艺及设备论文栏目下面包含有约827篇半导体器件制造工艺及设备硕士学位论文和博士学位论文，或是相关的...
1.湿法处理对2DEG特性的影响化学溶液清洗是常用的半导体表面处理工艺，本研究在常规丙酮、乙醇清洗后，采用酸性或碱性溶液去除氮化物表面氧化层等无机物杂质。基于蓝宝石衬底
合金条件的选择合金是使电极金属和半导体紧密接触的工艺。具体的说是指在半导体表面蒸镀好金属电极后，在一定的气氛保护下，在某一特定的温度，使蒸11镀好电极的半导体材料在其中保温一段…
本论文以常规生产条件下实现大型钛合金叶片表面深层氮化技术需求为目标,针对大型复杂异形零部件表面氮化过程中存在的共性难题进行了相关研究。首先采用半导体激光器对钛合金平板表面进行激体氮化,重点研究了激体氮化的工艺特性。
四、半导体材料启示作为信息时代的主要材料，单晶硅是制造微电子机械系统、光电设备、能源转换器件和生物传感器的重要部件。本文报道的单晶硅，通过表面处理工艺进一步提升机械性能，为生产更加强健和稳定的硅基器件提供了参考和思路。
高功率半导体激光泵阀表面改性技术及设备研究.潘吉兴.【摘要】：半导体激光器以其电光转换效率高、性能稳定、可靠性好、寿命长、体积小、重量轻及易于与机器手臂结合等优点开拓了许多传统激光器无法涉及的领域,在工业应用方面受到了国内外学者越来...
而且温度越高氢的表面覆盖率越低。本论文利用ECR等离子体系统，探索了低温氢等离子体处理SiC的工艺条件；研究了低温氢等离子体处理对SiC表面化学结构和抗氧化能力的影响；研究了低温氢等离子体处理对MOS电容器件和欧姆接触的影响。
SiC半导体表面处理技术研究.王海波.【摘要】：氢钝化技术是利用氢原子终结表面悬挂键的一种技术。.半导体经氢钝化处理后可以获得干净、平整、抗氧化能力强的表面，有利于高性能的MOS结构和欧姆接触。.由于SiC表面存在极性键，传统的湿法氢钝化...
11CVD工艺中表面颗粒问题的分析3.1CVD工艺的基本知识在半导体工业中，芯片制造是其中的重要组成部分。一块芯片的制作流程是非常复杂的，就拿一个NPN三极管来说，它就要经过三十多次步骤，但是其中有很多是某个工艺的反复，就从工艺来讲，种类并不是很多。
在半导体产业发展过程中,传统的晶圆片表面处理多是采用化学试剂,根据一定的工艺程序,事先干燥处理的晶圆片,将其浸没在目标工艺槽体中,利用大量超纯去离子水进行洗净,以便进行表面化学反应。
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1.湿法处理对2DEG特性的影响化学溶液清洗是常用的半导体表面处理工艺，本研究在常规丙酮、乙醇清洗后，采用酸性或碱性溶液去除氮化物表面氧化层等无机物杂质。基于蓝宝石衬底
合金条件的选择合金是使电极金属和半导体紧密接触的工艺。具体的说是指在半导体表面蒸镀好金属电极后，在一定的气氛保护下，在某一特定的温度，使蒸11镀好电极的半导体材料在其中保温一段…
本论文以常规生产条件下实现大型钛合金叶片表面深层氮化技术需求为目标,针对大型复杂异形零部件表面氮化过程中存在的共性难题进行了相关研究。首先采用半导体激光器对钛合金平板表面进行激体氮化,重点研究了激体氮化的工艺特性。
四、半导体材料启示作为信息时代的主要材料，单晶硅是制造微电子机械系统、光电设备、能源转换器件和生物传感器的重要部件。本文报道的单晶硅，通过表面处理工艺进一步提升机械性能，为生产更加强健和稳定的硅基器件提供了参考和思路。
高功率半导体激光泵阀表面改性技术及设备研究.潘吉兴.【摘要】：半导体激光器以其电光转换效率高、性能稳定、可靠性好、寿命长、体积小、重量轻及易于与机器手臂结合等优点开拓了许多传统激光器无法涉及的领域,在工业应用方面受到了国内外学者越来...
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