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两类有机半导体材料的n、p型掺杂的研究.太原理工大学硕士研究生学位论文两类有机半导体材料的N．、P一型掺杂研究摘要近年来，OLED的技术和产品以独特的优点、巨大的发展潜力和应用价值，引了各界的广泛关注和认可。.但是由于有机半导体材料自身的...
第一章半导体的n型、p型掺杂.根据物体导电能力（电阻率）的不同，物质可分为导体(ρ<10Ωcm)和半导体(10-1Ω<ρ<10Ωcm)三大类。.半导体应用极为广泛，因为它具有热敏性、光敏性、掺杂性等特殊性能。.典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等，其都是4价...
本论文着重针对有机半导体中掺杂机理对载流子传输性能的影响的研究。.研究内容主要包含以下几个部分:一、热蒸发三氧化钥(MoO3)掺杂诱导产生p型富勒烯(C60)的机理研究。.热蒸发方法Mo03掺杂C60薄膜,通过X射线光电子能谱(XPS)和紫外光电子能谱(UPS)表征...
氧化镓晶体有效p型掺杂第一性原理研究-宽禁带半导体材料由于其独特的性质和广泛的应用潜力已经成为当今最热门的材料之一,其中β-Ga2O3晶体作为第四代宽禁带半导体材料已经展示出了可以应用在许多...
MoS2由于容易存在硫空穴而显示n型半导体特性。传统化学气相沉积方法（CVD）生长的单原子层MoS2一般采用MoO3与硫粉的高温蒸发反应，掺杂与掺杂量均难以调控，目前文献报道CVDMoS2产物也通常是n型半导体。但实际应用中，n型和p型MoS2在形成p-n
南方科技大学实现有机半导体n-型掺杂新突破.北京时间2021年11月4日时0点，国际顶尖学术期刊《自然》在线发表了南方科技大学材料科学与工程系郭...
半导体材料的研究综述文献综述毕业论文.doc,半导体材料的研究综述文献综述毕业论文半导体研究文献综述学院：材料科学与工程学院专业：材料化学班级：材料122姓名：刘田防学号：2012141009半导体材料的研究综述文献综述摘要：半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分…
中国半导体十大研究进展候选推荐（2021-012）——超宽禁带氮化物半导体材料高效p型掺杂.超宽禁带氮化物由于其可调谐直接带隙、高击穿场强、优异的化学和热稳定性，在高效深紫外照明和探测、高频和大功率电子器件等领域具备极大的应用潜力。.通过掺杂来...
论文视频小柯机器人帮助Help粉丝评论@我提醒我的博客博文专家视点l夏建白院士：超宽禁带半导体高效p型掺杂已有253次阅读2021-7-1616:38...
N型或P型半导体，杂质掺杂是身多少？P型：1、基本都是添加B吗？三价的其他元素可以吗？2、添加的量是多少？3、除了在硅本体添加B之外，还有哪些材料可以成为P型半导体？4、N型半导体，同问如上问题。
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MoS2由于容易存在硫空穴而显示n型半导体特性。传统化学气相沉积方法（CVD）生长的单原子层MoS2一般采用MoO3与硫粉的高温蒸发反应，掺杂与掺杂量均难以调控，目前文献报道CVDMoS2产物也通常是n型半导体。但实际应用中，n型和p型MoS2在形成p-n
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N型或P型半导体，杂质掺杂是身多少？P型：1、基本都是添加B吗？三价的其他元素可以吗？2、添加的量是多少？3、除了在硅本体添加B之外，还有哪些材料可以成为P型半导体？4、N型半导体，同问如上问题。
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