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分类号UDC密级学位论文高硅铝合金阳极氧化工艺及耐蚀性研究作者姓名：贾茹指导教师：牛盾副教授东北大学理学院申请学位级别：硕士学科类别：工学学科专业名称：应用化学论文提交日期：2010年6月论文答辩日期：2010年7月学位授予日期：2010年7月答辩委员会主席：孙挺教授评阅…
硅局部氧化(LOCOS)工艺之后生长薄栅(500)氧化层,发现在整个栅区以及沿LO-COS图样边缘各处都分布着缺陷。同时发现缺陷密度强烈地依赖于LOCOS工艺的各种工艺条件,尤其是场氧化的环境气体。提出了一个缺陷诱生的新模型,并已被一些实验所证实。
摘要：论文以氧化硅基微纳结构,形貌控制及物性研究为内容,开展了较深入的探索.首先出了具备不同新颖形貌构造的微纳米粒子,进一步的物性分析有新的发现,其主要成果分述如下:一,氧化硅基微纳粒子的及发光性能研究:1,采用改进的Stober工艺,首次出具有乙二胺功能团的杂化氧化...
IC制程中氮化硅薄膜及相应氧化硅膜腐蚀工艺和机理研究.lD22192学校代玛梗旦大学硕士学位论文(专业学位)IC制程巾氮化硅薄膜及相应氧化硅膜腐蚀工艺和机理研究丁士进副教授完成口期：2006年10月20论文独创性声明本论文是我个人在导师指导下进行的研究...
硅氧化膜包装材料不仅在食品包装上能广泛应用，而且在药品、的包装，甚至在电子、电力电容等领域中的应用前景也十分看好。3．关键工艺所谓镀氧化硅薄膜，就是在P盯、PE、PP等塑料薄膜基材上用物理汽相沉积（PvD法）或化学汽相...
第一章热氧化工艺..ppt,5、影响氧化速率的因素(1)温度对氧化速率的影响：(2)氧化气氛对氧化速率的影响：(3)氧化剂气压对...
集成电路制造工艺——应变硅技术.传统的CMOS技术通过工艺微缩来提供更好的器件性能和更高的元件密度，从而在更低的成本下获得更好的系统性能。.然而，随着工艺的不断微缩，传统的金属氧化物半导体场效应晶体管结构正受到一些基本要求的限制，它所...
本论文选取具有高比表面积的二维六方介孔SBA-15纯硅材料,以分子氧为绿色氧源,催化环己胺选择性氧化定向环己酮肟进行研究。同时结合各种谱学表征和DFT理论计算从分子层面揭示了硅羟基活性点的本征结构与催化活性的构效关系,阐明其表面硅羟基活性点在选择活化客体分子的作用规律,提出了...
编辑推荐：目前氧化铝-氧化硅气凝胶隔热复合材料工艺较为复杂，高温热导率偏高，最高使用温度不超过1300℃。本文通过简化的工艺，出了一种使用温度可达1500℃的高强韧低热导氧化铝-氧化硅气凝胶隔热复合材料，是耐高温气凝胶隔热材料研究领域的重大突破。
本节我们将制程分为工艺前，中，后三个主要阶段，如表2-2所示，分别从温度，压力和气体流量等主要参数来研究工艺参数设定对颗粒污染的影响。.l氮化硅生长开始首氮化硅生长中氮化硅成长后晶舟上载通入NH3N2PURGE抽真空通入SiH2C12降温密封测试关闭...
分类号UDC密级学位论文高硅铝合金阳极氧化工艺及耐蚀性研究作者姓名：贾茹指导教师：牛盾副教授东北大学理学院申请学位级别：硕士学科类别：工学学科专业名称：应用化学论文提交日期：2010年6月论文答辩日期：2010年7月学位授予日期：2010年7月答辩委员会主席：孙挺教授评阅…
硅局部氧化(LOCOS)工艺之后生长薄栅(500)氧化层,发现在整个栅区以及沿LO-COS图样边缘各处都分布着缺陷。同时发现缺陷密度强烈地依赖于LOCOS工艺的各种工艺条件,尤其是场氧化的环境气体。提出了一个缺陷诱生的新模型,并已被一些实验所证实。
摘要：论文以氧化硅基微纳结构,形貌控制及物性研究为内容,开展了较深入的探索.首先出了具备不同新颖形貌构造的微纳米粒子,进一步的物性分析有新的发现,其主要成果分述如下:一,氧化硅基微纳粒子的及发光性能研究:1,采用改进的Stober工艺,首次出具有乙二胺功能团的杂化氧化...
IC制程中氮化硅薄膜及相应氧化硅膜腐蚀工艺和机理研究.lD22192学校代玛梗旦大学硕士学位论文(专业学位)IC制程巾氮化硅薄膜及相应氧化硅膜腐蚀工艺和机理研究丁士进副教授完成口期：2006年10月20论文独创性声明本论文是我个人在导师指导下进行的研究...
硅氧化膜包装材料不仅在食品包装上能广泛应用，而且在药品、的包装，甚至在电子、电力电容等领域中的应用前景也十分看好。3．关键工艺所谓镀氧化硅薄膜，就是在P盯、PE、PP等塑料薄膜基材上用物理汽相沉积（PvD法）或化学汽相...
第一章热氧化工艺..ppt,5、影响氧化速率的因素(1)温度对氧化速率的影响：(2)氧化气氛对氧化速率的影响：(3)氧化剂气压对...
集成电路制造工艺——应变硅技术.传统的CMOS技术通过工艺微缩来提供更好的器件性能和更高的元件密度，从而在更低的成本下获得更好的系统性能。.然而，随着工艺的不断微缩，传统的金属氧化物半导体场效应晶体管结构正受到一些基本要求的限制，它所...
本论文选取具有高比表面积的二维六方介孔SBA-15纯硅材料,以分子氧为绿色氧源,催化环己胺选择性氧化定向环己酮肟进行研究。同时结合各种谱学表征和DFT理论计算从分子层面揭示了硅羟基活性点的本征结构与催化活性的构效关系,阐明其表面硅羟基活性点在选择活化客体分子的作用规律,提出了...
编辑推荐：目前氧化铝-氧化硅气凝胶隔热复合材料工艺较为复杂，高温热导率偏高，最高使用温度不超过1300℃。本文通过简化的工艺，出了一种使用温度可达1500℃的高强韧低热导氧化铝-氧化硅气凝胶隔热复合材料，是耐高温气凝胶隔热材料研究领域的重大突破。
本节我们将制程分为工艺前，中，后三个主要阶段，如表2-2所示，分别从温度，压力和气体流量等主要参数来研究工艺参数设定对颗粒污染的影响。.l氮化硅生长开始首氮化硅生长中氮化硅成长后晶舟上载通入NH3N2PURGE抽真空通入SiH2C12降温密封测试关闭...
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